一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸附在硅(gui)片表面(mian)上的(de)雜質(zhi)可分(fen)為分(fen)子(zi)(zi)型(xing)、離子(zi)(zi)型(xing)和原子(zi)(zi)型(xing)三種(zhong)情(qing)況。其中分(fen)子(zi)(zi)型(xing)雜質(zhi)與硅(gui)片表面(mian)之間的(de)吸附力較弱，清(qing)除這類雜質(zhi)粒子(zi)(zi)比較容易。它們多屬油脂類雜質(zhi)，具有疏(shu)水性的(de)特點，對于清(qing)除離子(zi)(zi)型(xing)和原子(zi)(zi)型(xing)雜質(zhi)具有掩蔽作用(yong)。
因此在對硅片進行化學(xue)清洗(xi)時，首先應該把它們清除干凈。離子型和原(yuan)子型吸附的雜(za)質屬(shu)于(yu)化學(xue)吸附雜(za)質，其吸附力(li)都較強。
在一般情況下，原子型(xing)(xing)(xing)吸附(fu)(fu)雜質(zhi)的量(liang)較小，因此在化學清(qing)洗時(shi)，先(xian)清(qing)除(chu)掉離(li)子型(xing)(xing)(xing)吸附(fu)(fu)雜質(zhi)，然(ran)后再清(qing)除(chu)殘(can)存的離(li)子型(xing)(xing)(xing)雜質(zhi)及原子型(xing)(xing)(xing)雜質(zhi)。
最(zui)后用高純(chun)去離子水將(jiang)硅片沖冼干(gan)凈(jing)，再(zai)加溫烘(hong)干(gan)或(huo)甩干(gan)就可得到潔凈(jing)表面的硅片。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為(wei)去除硅片表(biao)面的氧化層，常要增加一個稀氫氟酸浸泡步驟。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖洗不干凈，可以(yi)拿一些干凈的(de)硅片再重新清(qing)(qing)洗一次，不要過(guo)清(qing)(qing)洗劑槽，看(kan)是(shi)否有水(shui)印(yin)出現，若無(wu)，則是(shi)清(qing)(qing)洗劑的(de)問(wen)題，調整即可。
2、烘(hong)干不夠，將硅片在進入烘(hong)干通道(dao)前(qian)取出甩干或(huo)吹干，看(kan)是否有水印，如(ru)無，則是加大烘(hong)干通道(dao)的力度(du)。
3、水(shui)中(zhong)雜質含量過高(gao)，造成不易清(qing)洗，清(qing)除水(shui)中(zhong)的雜質即可(ke)。
