一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸(xi)附在硅片表面(mian)上的雜(za)(za)(za)質可分(fen)為分(fen)子(zi)(zi)(zi)型(xing)、離子(zi)(zi)(zi)型(xing)和原子(zi)(zi)(zi)型(xing)三(san)種情況。其中分(fen)子(zi)(zi)(zi)型(xing)雜(za)(za)(za)質與硅片表面(mian)之間的吸(xi)附力較(jiao)弱(ruo)，清除這類雜(za)(za)(za)質粒子(zi)(zi)(zi)比較(jiao)容易。它(ta)們多屬油(you)脂類雜(za)(za)(za)質，具(ju)(ju)有疏水性的特點，對于(yu)清除離子(zi)(zi)(zi)型(xing)和原子(zi)(zi)(zi)型(xing)雜(za)(za)(za)質具(ju)(ju)有掩蔽作用。
因此在對硅片進(jin)行(xing)化學(xue)清(qing)洗時，首(shou)先應該把它(ta)們清(qing)除干凈(jing)。離子型和原子型吸(xi)附的雜(za)質屬于(yu)化學(xue)吸(xi)附雜(za)質，其(qi)吸(xi)附力都較強。
在(zai)一般情況下，原子型吸(xi)附雜質的(de)量(liang)較小，因(yin)此(ci)在(zai)化學清洗時，先清除掉離(li)子型吸(xi)附雜質，然后再清除殘存的(de)離(li)子型雜質及原子型雜質。
最后用高純(chun)去離子水(shui)將硅片沖冼干(gan)凈，再(zai)加溫烘干(gan)或甩干(gan)就可得到(dao)潔凈表(biao)面的硅片。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為去除硅片表面(mian)的氧化層，常要(yao)增(zeng)加(jia)一個稀氫氟(fu)酸浸泡(pao)步驟。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖洗不干凈(jing)(jing)，可以拿一(yi)些干凈(jing)(jing)的(de)硅片(pian)再重新清(qing)洗一(yi)次(ci)，不要(yao)過清(qing)洗劑槽，看(kan)是(shi)否有水印出現，若無，則(ze)是(shi)清(qing)洗劑的(de)問題，調整即可。
2、烘(hong)(hong)干不夠，將硅片在進(jin)入(ru)烘(hong)(hong)干通(tong)道前取出甩(shuai)干或(huo)吹干，看(kan)是否有水(shui)印，如無，則(ze)是加大烘(hong)(hong)干通(tong)道的力(li)度。
3、水(shui)中(zhong)雜(za)質(zhi)含量過高，造成不易清洗，清除水(shui)中(zhong)的(de)雜(za)質(zhi)即可。
