一、太陽能硅片是什么材料
太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)分(fen)為單晶硅(gui)太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)、多晶硅(gui)薄膜太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)和非(fei)晶硅(gui)薄膜太陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)(chi)三種。
1、單質硅的一種形態。熔融的單質(zhi)硅(gui)在凝固時(shi)硅(gui)原子(zi)以金剛石(shi)晶格排列成(cheng)許多(duo)晶核，如(ru)果這(zhe)些晶核長成(cheng)晶面取向(xiang)相同的晶粒，則這(zhe)些晶粒平行(xing)結合(he)起來便結晶成(cheng)單晶硅(gui)。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融(rong)的單質硅在過冷條件(jian)下(xia)凝固時，硅原子(zi)以金(jin)剛石(shi)晶(jing)格形態排列(lie)成許多(duo)(duo)晶(jing)核，如這(zhe)些(xie)晶(jing)核長成晶(jing)面取(qu)向不同(tong)的晶(jing)粒(li)，則這(zhe)些(xie)晶(jing)粒(li)結(jie)(jie)合起來(lai)，就結(jie)(jie)晶(jing)成多(duo)(duo)晶(jing)硅。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純度要求很(hen)高。非晶硅膜的(de)(de)結構和性質(zhi)與(yu)制備(bei)工(gong)藝的(de)(de)關系非常密切，目(mu)前認為以輝光放(fang)電(dian)法制備(bei)的(de)(de)非晶硅膜質(zhi)量(liang)最好，設備(bei)也并不復雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先(xian)看外觀(guan)，必須無(wu)(wu)裂(lie)紋，無(wu)(wu)硬傷，無(wu)(wu)孔洞，無(wu)(wu)崩邊。
2、其(qi)次看物理指(zhi)標(biao)，物理指(zhi)標(biao)很多(duo)，包括晶向(xiang)，晶向(xiang)偏差，類型，厚(hou)(hou)度，邊長，垂(chui)直度等(deng)等(deng)。用(yong)相應的(de)(de)測試(shi)儀器確定類型，晶向(xiang)等(deng)；用(yong)相應測量儀器抽測5點厚(hou)(hou)度、公(gong)差，邊長和對(dui)角(jiao)線(xian)長及(ji)(ji)公(gong)差，垂(chui)直度等(deng)，這(zhe)里(li)面對(dui)太陽(yang)能電池工藝來說，最重(zhong)要的(de)(de)是硅片厚(hou)(hou)度及(ji)(ji)厚(hou)(hou)度變化(hua)（TTV），因為很多(duo)太陽(yang)能電池生產線(xian)是有(you)(you)硅片厚(hou)(hou)度要求的(de)(de)，低(di)于起生產最低(di)厚(hou)(hou)度，碎片率就(jiu)(jiu)會提(ti)高，利潤就(jiu)(jiu)折騰到(dao)這(zhe)碎片里(li)頭了(le)。另外碳、氧含量對(dui)硅片品質來說非常重(zhong)要，一定要進行抽測，當(dang)然，正常說來，這(zhe)兩個指(zhi)標(biao)不會有(you)(you)問題(ti)，如果有(you)(you)問題(ti)的(de)(de)話，它們就(jiu)(jiu)會直接反映在后面講到(dao)的(de)(de)電學(xue)指(zhi)標(biao)中了(le)。
3、最后看(kan)電(dian)學指(zhi)標，主(zhu)要是少子壽命(ming)和電(dian)阻(zu)率(lv)(lv)，硅片(pian)的(de)等(deng)級主(zhu)要通過(guo)這兩個指(zhi)標確定。比如目前A級的(de)單(dan)晶硅片(pian)少子壽命(ming)要求大于(yu)10μs，電(dian)阻(zu)率(lv)(lv)0-6Ω.cm。
