一、太陽能硅片是什么材料
太陽(yang)能電池分為單晶硅(gui)太陽(yang)能電池、多晶硅(gui)薄(bo)膜太陽(yang)能電池和非晶硅(gui)薄(bo)膜太陽(yang)能電池三種。
1、單質硅的一種形態。熔(rong)融的(de)單(dan)質(zhi)硅在(zai)凝固時硅原子以金剛石晶格排(pai)列成(cheng)(cheng)許多晶核，如果這(zhe)些(xie)晶核長成(cheng)(cheng)晶面取向相同的(de)晶粒，則這(zhe)些(xie)晶粒平行結(jie)合起來(lai)便結(jie)晶成(cheng)(cheng)單(dan)晶硅。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單(dan)質(zhi)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金(jin)剛石晶(jing)(jing)格(ge)形態(tai)排列成(cheng)(cheng)許多(duo)晶(jing)(jing)核(he)，如這(zhe)(zhe)些晶(jing)(jing)核(he)長(chang)成(cheng)(cheng)晶(jing)(jing)面取向不同(tong)的晶(jing)(jing)粒，則這(zhe)(zhe)些晶(jing)(jing)粒結合起來，就結晶(jing)(jing)成(cheng)(cheng)多(duo)晶(jing)(jing)硅。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等(deng)，純度要求很高。非(fei)晶硅膜的(de)結構和性質與制備工藝的(de)關系非(fei)常(chang)密切(qie)，目前認為以輝光放電(dian)法制備的(de)非(fei)晶硅膜質量(liang)最好，設備也并不(bu)復雜(za)。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先看(kan)外觀，必須(xu)無裂紋，無硬傷，無孔洞(dong)，無崩(beng)邊。
2、其次(ci)看物(wu)理指(zhi)標(biao)，物(wu)理指(zhi)標(biao)很(hen)多，包括晶向(xiang)，晶向(xiang)偏(pian)差，類(lei)型，厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)，邊長(chang)，垂直度(du)(du)等(deng)(deng)(deng)等(deng)(deng)(deng)。用相應的(de)測(ce)(ce)試儀器(qi)確定類(lei)型，晶向(xiang)等(deng)(deng)(deng)；用相應測(ce)(ce)量儀器(qi)抽(chou)測(ce)(ce)5點厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)、公(gong)差，邊長(chang)和對(dui)(dui)角線長(chang)及公(gong)差，垂直度(du)(du)等(deng)(deng)(deng)，這(zhe)里面(mian)對(dui)(dui)太(tai)陽能電池工(gong)藝來說(shuo)，最重(zhong)要(yao)(yao)的(de)是硅(gui)片(pian)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)及厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)變化(hua)（TTV），因為很(hen)多太(tai)陽能電池生產(chan)(chan)線是有(you)硅(gui)片(pian)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)要(yao)(yao)求的(de)，低(di)于(yu)起生產(chan)(chan)最低(di)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)，碎片(pian)率就(jiu)會提高，利潤就(jiu)折(zhe)騰(teng)到這(zhe)碎片(pian)里頭(tou)了(le)(le)。另外碳、氧含(han)量對(dui)(dui)硅(gui)片(pian)品質(zhi)來說(shuo)非常重(zhong)要(yao)(yao)，一定要(yao)(yao)進行抽(chou)測(ce)(ce)，當然，正(zheng)常說(shuo)來，這(zhe)兩個指(zhi)標(biao)不會有(you)問(wen)題，如果(guo)有(you)問(wen)題的(de)話，它們就(jiu)會直接反(fan)映在后面(mian)講到的(de)電學指(zhi)標(biao)中了(le)(le)。
3、最后看電學指標，主(zhu)要(yao)是少子壽(shou)命(ming)和電阻率，硅片的等級主(zhu)要(yao)通(tong)過(guo)這兩個(ge)指標確定。比如目前A級的單晶(jing)硅片少子壽(shou)命(ming)要(yao)求大于10μs，電阻率0-6Ω.cm。
