一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光片(pian)與外(wai)延(yan)片(pian)區別是什么(me)呢？
拋光(guang)片(pian)(pian)(pian)可(ke)(ke)以(yi)用于(yu)制作存儲芯片(pian)(pian)(pian)，功率器(qi)(qi)件，以(yi)及外(wai)延片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)襯底材料。外(wai)延片(pian)(pian)(pian)，是在拋光(guang)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)基礎上(shang)生長(chang)了一層單晶硅(gui)，一般用于(yu)通用處理器(qi)(qi)芯片(pian)(pian)(pian)，二極管，以(yi)及igbt功率器(qi)(qi)件的(de)(de)制造。由于(yu)拋光(guang)原始顆粒細(xi)微、粒度尺(chi)寸小于(yu)可(ke)(ke)見光(guang)的(de)(de)波(bo)長(chang)，所以(yi)均勻(yun)地分布(bu)后形成外(wai)觀透(tou)明或半透(tou)明的(de)(de)拋光(guang)膜(mo)。
二、硅片拋光片用于哪里
拋(pao)光(guang)片(pian)是(shi)用(yong)量最大(da)的(de)產品，其他的(de)硅片(pian)產品都是(shi)在拋(pao)光(guang)片(pian)的(de)基礎上二次加工產生的(de)。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨著(zhu)集成(cheng)電路特征線寬的(de)不斷(duan)縮(suo)小，光刻(ke)精度日益精細(xi)，硅片上極其微(wei)小的(de)不平(ping)整都會造(zao)成(cheng)集成(cheng)電路圖(tu)形的(de)形變和(he)錯位，硅片制(zhi)造(zao)技術面臨越來(lai)越高的(de)要(yao)求和(he)挑戰，硅片表面顆粒度和(he)潔凈度對半導(dao)體產品的(de)良率也(ye)有直接影響。
因此，拋(pao)光工(gong)藝(yi)對(dui)提高硅(gui)片表(biao)(biao)面的平整度和清潔度至(zhi)關重要(yao)，主要(yao)原理為通過去除加工(gong)表(biao)(biao)面殘留的損(sun)傷層，實(shi)現(xian)半導體硅(gui)片表(biao)(biao)面平坦(tan)化，減小粗糙(cao)度。
