一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光片(pian)與(yu)外延片(pian)區別是什么呢？
拋光片(pian)(pian)(pian)可以(yi)用于(yu)制作存儲芯(xin)片(pian)(pian)(pian)，功率(lv)器件，以(yi)及外(wai)延(yan)片(pian)(pian)(pian)的(de)襯底(di)材料。外(wai)延(yan)片(pian)(pian)(pian)，是在拋光片(pian)(pian)(pian)的(de)基礎上(shang)生長(chang)了一(yi)層單晶(jing)硅，一(yi)般用于(yu)通用處理器芯(xin)片(pian)(pian)(pian)，二極管，以(yi)及igbt功率(lv)器件的(de)制造。由于(yu)拋光原(yuan)始顆粒細(xi)微、粒度尺寸小于(yu)可見光的(de)波長(chang)，所以(yi)均勻地分(fen)布后形成外(wai)觀(guan)透明(ming)或半透明(ming)的(de)拋光膜。
二、硅片拋光片用于哪里
拋光片是(shi)用量最大的(de)產品(pin)(pin)，其他的(de)硅片產品(pin)(pin)都是(shi)在拋光片的(de)基(ji)礎上二次加工(gong)產生的(de)。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨著(zhu)集成電路特征(zheng)線寬(kuan)的不斷(duan)縮小(xiao)，光(guang)刻精度日益(yi)精細，硅(gui)片上極其微小(xiao)的不平整都會(hui)造成集成電路圖(tu)形(xing)的形(xing)變和錯位，硅(gui)片制造技術面臨(lin)越來越高的要求(qiu)和挑戰，硅(gui)片表面顆粒(li)度和潔凈(jing)度對半導體產品(pin)的良(liang)率(lv)也(ye)有直接影響。
因此，拋(pao)光工藝對提(ti)高(gao)硅片表面(mian)的平整度(du)和清潔度(du)至(zhi)關重要，主要原理為(wei)通(tong)過去除(chu)加工表面(mian)殘(can)留的損傷層(ceng)，實現(xian)半導體硅片表面(mian)平坦化，減小(xiao)粗糙度(du)。
