一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也(ye)就越低。但大尺寸晶片(pian)對材(cai)料和技術的要求(qiu)也(ye)越高。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電池片(pian)-組件端，降低單瓦非(fei)硅成本(ben)。
2、組件-電站端，降低BOS成(cheng)本。硅(gui)片尺寸增(zeng)大，增(zeng)加(jia)了(le)從硅(gui)片、電池(chi)、組件到電站等各環節(jie)的產能輸出，相當于攤銷了(le)部(bu)分人工、折舊、水(shui)電氣、施(shi)工等成(cheng)本投(tou)入。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨著產業鏈合(he)作推進，薄片(pian)化進程加(jia)速。硅片(pian)厚(hou)度對電池(chi)片(pian)的自(zi)動化、良率、轉換效率等均有影響，需要與下游電池(chi)片(pian)、組件(jian)制造端需求(qiu)匹配，因此薄片(pian)化更為依賴產業鏈各環節(jie)的合(he)作推進。
2020年多晶硅(gui)片平均(jun)(jun)厚(hou)(hou)度為180μm，P型單晶硅(gui)片平均(jun)(jun)厚(hou)(hou)度在175μm左右，N型硅(gui)片平均(jun)(jun)厚(hou)(hou)度為168μm，TOPCon電池(chi)(chi)的N型硅(gui)片平均(jun)(jun)厚(hou)(hou)度為175μm，異質結電池(chi)(chi)的硅(gui)片厚(hou)(hou)度約150μm。
1、P型單晶硅片：薄片化經歷了(le)350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多個節點，預計2021年(nian)達到170μm，150-160μm的薄片技術目前已(yi)經趨于(yu)成熟，2025年(nian)有(you)望達到160μm。
2、N型單晶硅片：N型硅片(pian)相比P型更容易(yi)實現減薄，預計2021年達到160-165μm，目前(qian)已經具備120-140μm的(de)薄片(pian)技術，遠期有望達到100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是最有利于薄(bo)片(pian)(pian)化的電池結(jie)構和工藝，在(zai)薄(bo)片(pian)(pian)化方面具備天然優勢，原因(yin)是：
（1）對稱(cheng)結(jie)構、低溫或(huo)無(wu)應力制程可以適應更薄(bo)的硅片。
（2）轉換效率(lv)不受厚(hou)度影響，即(ji)使減薄到(dao)100μm左右，依賴超(chao)低表面復合(he)，短(duan)路(lu)電流Isc的損失可以(yi)通過開路(lu)電壓Voc得到(dao)補(bu)償(chang)。
根據相關(guan)預測，2024、2027、2030年異質結(jie)N型硅(gui)片厚度將分別達(da)到(dao)140、130、120μm，薄片化的理論極限可(ke)以達(da)到(dao)100μm以下。
