一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型電(dian)池片采用n型硅(gui)片，P型電(dian)池片采用p型硅(gui)片。
N型(xing)和P型(xing)單晶硅(gui)片(pian)的區別主要為：
1、摻雜的元素不同：單晶(jing)硅中(zhong)摻磷是N型，單晶(jing)硅中(zhong)摻硼(peng)為P型。
2、導電不同：N型(xing)(xing)是(shi)(shi)電(dian)子導電(dian)，P型(xing)(xing)是(shi)(shi)空(kong)穴導電(dian)。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能硅(gui)(gui)片(pian)的生產工藝流程分為硅(gui)(gui)片(pian)檢測--表面(mian)制絨及(ji)酸(suan)洗--擴散制結--去磷(lin)硅(gui)(gui)玻璃(li)--等離子刻(ke)蝕及(ji)酸(suan)洗--鍍減反(fan)射膜--絲(si)網(wang)印刷--快速(su)燒結等。具(ju)體介紹如下:
1、硅片檢(jian)(jian)測(ce)(ce)，硅片(pian)質(zhi)量的好(hao)壞直接決定了太陽能電(dian)池片(pian)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)(lv)的高(gao)低，因此需要(yao)對來料硅片(pian)進行檢(jian)(jian)測(ce)(ce)。在進行少子壽命和電(dian)阻率(lv)(lv)檢(jian)(jian)測(ce)(ce)之(zhi)前，需要(yao)先對硅片(pian)的對角線(xian)、微裂紋進行檢(jian)(jian)測(ce)(ce)，并自動(dong)剔(ti)除破(po)損硅片(pian)。硅片(pian)檢(jian)(jian)測(ce)(ce)設備能夠(gou)自動(dong)裝(zhuang)片(pian)和卸片(pian)，并且能夠(gou)將(jiang)不(bu)合(he)格(ge)品放到固定位置(zhi)，從(cong)而提高(gao)檢(jian)(jian)測(ce)(ce)精(jing)度和效率(lv)(lv)。
2、表(biao)(biao)面(mian)(mian)制絨(rong)，單晶硅(gui)(gui)絨(rong)面(mian)(mian)的(de)制備(bei)是利用(yong)(yong)硅(gui)(gui)的(de)各向異性(xing)腐(fu)蝕(shi)，在(zai)每平方厘(li)米硅(gui)(gui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形成(cheng)幾(ji)百(bai)萬個四(si)面(mian)(mian)方錐體也即金字(zi)塔結(jie)構。制備(bei)絨(rong)面(mian)(mian)前，硅(gui)(gui)片須先進行初(chu)步(bu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)腐(fu)蝕(shi)，用(yong)(yong)堿性(xing)或酸(suan)性(xing)腐(fu)蝕(shi)液蝕(shi)去約20~25μm，在(zai)腐(fu)蝕(shi)絨(rong)面(mian)(mian)后，進行一般的(de)化學清(qing)洗(xi)。經過表(biao)(biao)面(mian)(mian)準備(bei)的(de)硅(gui)(gui)片都(dou)不宜在(zai)水中久存，以防沾污(wu)，應盡(jin)快擴散制結(jie)。
3、擴散制結(jie)，太陽(yang)能電(dian)池(chi)需要(yao)一個(ge)大面積的(de)(de)(de)(de)(de)PN結(jie)以實現光能到(dao)電(dian)能的(de)(de)(de)(de)(de)轉換，而擴散爐即為(wei)制造(zao)太陽(yang)能電(dian)池(chi)PN結(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)專用設備。管式擴散爐主(zhu)要(yao)由石(shi)英舟的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)下載部(bu)分、廢(fei)氣室、爐體部(bu)分和(he)氣柜部(bu)分等四大部(bu)分組成。擴散一般用三(san)氯氧磷液態(tai)源(yuan)(yuan)作為(wei)擴散源(yuan)(yuan)。制造(zao)PN結(jie)是(shi)太陽(yang)電(dian)池(chi)生產(chan)最(zui)基本也是(shi)最(zui)關鍵的(de)(de)(de)(de)(de)工序。因為(wei)正(zheng)是(shi)PN結(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)形(xing)成，才使電(dian)子和(he)空穴在流(liu)(liu)動后不(bu)再回到(dao)原處(chu)，這(zhe)樣(yang)就形(xing)成了(le)電(dian)流(liu)(liu)，用導線(xian)將電(dian)流(liu)(liu)引出(chu)，就是(shi)直流(liu)(liu)電(dian)。
4、去磷硅(gui)(gui)玻璃，該(gai)工藝用于太(tai)陽能電池片生(sheng)(sheng)產制造(zao)過程(cheng)中，通過化(hua)學腐蝕法也即把硅(gui)(gui)片放在氫氟(fu)(fu)(fu)酸溶(rong)液中浸泡，使其產生(sheng)(sheng)化(hua)學反(fan)應生(sheng)(sheng)成(cheng)可溶(rong)性(xing)的(de)絡(luo)和(he)物六氟(fu)(fu)(fu)硅(gui)(gui)酸，以去除擴散制結(jie)后在硅(gui)(gui)片表面形成(cheng)的(de)一層磷硅(gui)(gui)玻璃。氫氟(fu)(fu)(fu)酸能夠溶(rong)解(jie)二氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)是因為(wei)氫氟(fu)(fu)(fu)酸與(yu)二氧(yang)化(hua)硅(gui)(gui)反(fan)應生(sheng)(sheng)成(cheng)易揮發的(de)四(si)氟(fu)(fu)(fu)化(hua)硅(gui)(gui)氣體。若氫氟(fu)(fu)(fu)酸過量，反(fan)應生(sheng)(sheng)成(cheng)的(de)四(si)氟(fu)(fu)(fu)化(hua)硅(gui)(gui)會進一步與(yu)氫氟(fu)(fu)(fu)酸反(fan)應生(sheng)(sheng)成(cheng)可溶(rong)性(xing)的(de)絡(luo)和(he)物六氟(fu)(fu)(fu)硅(gui)(gui)酸。
5、等離子刻蝕(shi)，由于在擴散(san)過程中，即使(shi)采用背(bei)靠背(bei)擴散(san)，硅片的(de)(de)所有表面(mian)包括(kuo)邊緣(yuan)(yuan)都將不可避免地擴散(san)上磷。PN結(jie)的(de)(de)正(zheng)面(mian)所收集(ji)到的(de)(de)光生電(dian)子會沿(yan)著邊緣(yuan)(yuan)擴散(san)有磷的(de)(de)區域流到PN結(jie)的(de)(de)背(bei)面(mian)，而造成短路。因此(ci)，必須對太陽能電(dian)池周邊的(de)(de)摻雜(za)硅進(jin)行刻蝕(shi)，以去除電(dian)池邊緣(yuan)(yuan)的(de)(de)PN結(jie)。
6、鍍減反射膜，拋光硅表面的(de)反射率為(wei)35%，為(wei)了減少(shao)表面反射，提高電(dian)池的(de)轉換效率，需(xu)要沉(chen)積一層氮(dan)化硅減反射膜。工業生產中常采用PECVD設備(bei)(bei)制(zhi)備(bei)(bei)減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉(chen)積。
7、絲(si)網印(yin)刷(shua)(shua)，太陽電(dian)(dian)池(chi)(chi)經(jing)過制(zhi)絨、擴散及PECVD等工序(xu)后，已經(jing)制(zhi)成PN結，可以在光照下產(chan)生電(dian)(dian)流，為了(le)將產(chan)生的(de)(de)電(dian)(dian)流導出，需要在電(dian)(dian)池(chi)(chi)表面(mian)(mian)(mian)上制(zhi)作正、負兩個(ge)電(dian)(dian)極。制(zhi)造電(dian)(dian)極的(de)(de)方法(fa)很多，而絲(si)網印(yin)刷(shua)(shua)是目前制(zhi)作太陽電(dian)(dian)池(chi)(chi)電(dian)(dian)極最普遍(bian)的(de)(de)一(yi)種生產(chan)工藝。絲(si)網印(yin)刷(shua)(shua)是采用壓印(yin)的(de)(de)方式(shi)將預定的(de)(de)圖形印(yin)刷(shua)(shua)在基板(ban)上，該設備(bei)由電(dian)(dian)池(chi)(chi)背(bei)(bei)面(mian)(mian)(mian)銀(yin)鋁漿(jiang)印(yin)刷(shua)(shua)、電(dian)(dian)池(chi)(chi)背(bei)(bei)面(mian)(mian)(mian)鋁漿(jiang)印(yin)刷(shua)(shua)和電(dian)(dian)池(chi)(chi)正面(mian)(mian)(mian)銀(yin)漿(jiang)印(yin)刷(shua)(shua)三部(bu)分組成。
8、快速(su)燒(shao)結(jie)，經過絲(si)網(wang)印(yin)刷后的硅片(pian)，不能(neng)直接使(shi)用，需(xu)經燒(shao)結(jie)爐快速(su)燒(shao)結(jie)，將有機樹脂粘合(he)劑燃燒(shao)掉(diao)，剩下(xia)幾乎純粹的、由于玻璃質作用而密合(he)在(zai)硅片(pian)上(shang)的銀電(dian)極。燒(shao)結(jie)爐分(fen)為(wei)預燒(shao)結(jie)、燒(shao)結(jie)、降溫(wen)(wen)冷卻三個階(jie)(jie)段(duan)。預燒(shao)結(jie)階(jie)(jie)段(duan)目的是(shi)使(shi)漿料中的高分(fen)子(zi)粘合(he)劑分(fen)解、燃燒(shao)掉(diao)，此階(jie)(jie)段(duan)溫(wen)(wen)度(du)慢慢上(shang)升；燒(shao)結(jie)階(jie)(jie)段(duan)中燒(shao)結(jie)體內(nei)完(wan)成各種物理(li)化學反應，形成電(dian)阻膜結(jie)構(gou)，使(shi)其(qi)真正具有電(dian)阻特性，該階(jie)(jie)段(duan)溫(wen)(wen)度(du)達(da)到峰值;降溫(wen)(wen)冷卻階(jie)(jie)段(duan)，玻璃冷卻硬化并(bing)凝固，使(shi)電(dian)阻膜結(jie)構(gou)固定地粘附于基片(pian)上(shang)。
9、外(wai)圍(wei)設(she)備(bei)在電(dian)(dian)池(chi)(chi)片生產過程中，還需要供電(dian)(dian)、動(dong)力、給水(shui)、排水(shui)、暖通、真空(kong)、特汽等外(wai)圍(wei)設(she)施。消(xiao)防和(he)(he)環保(bao)設(she)備(bei)對于保(bao)證安(an)全(quan)和(he)(he)持續發(fa)展也顯(xian)得(de)尤為重要。考慮(lv)到(dao)特殊(shu)氣(qi)體如硅烷(wan)的(de)安(an)全(quan)因素，還需要單獨設(she)置一個特氣(qi)間，以絕(jue)對保(bao)證生產安(an)全(quan)。另(ling)外(wai)，硅烷(wan)燃燒塔、污水(shui)處理站等也是電(dian)(dian)池(chi)(chi)片生產的(de)必備(bei)設(she)施。
