一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型(xing)電池(chi)(chi)片采用n型(xing)硅(gui)片，P型(xing)電池(chi)(chi)片采用p型(xing)硅(gui)片。
N型和P型單晶硅(gui)片的區(qu)別主要為：
1、摻雜的元素不同：單晶(jing)硅中摻磷是(shi)N型(xing)，單晶(jing)硅中摻硼(peng)為P型(xing)。
2、導電不同：N型是(shi)電子(zi)導(dao)電，P型是(shi)空(kong)穴導(dao)電。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能硅片(pian)的生產(chan)工藝流程分(fen)為硅片(pian)檢測--表面制(zhi)絨及(ji)酸洗--擴散制(zhi)結--去磷硅玻璃--等離子刻蝕及(ji)酸洗--鍍減反射膜(mo)--絲網印(yin)刷--快速燒(shao)結等。具體(ti)介紹如下:
1、硅片檢(jian)測(ce)，硅(gui)片(pian)(pian)(pian)質量的好壞(huai)直接決定了(le)太陽能(neng)(neng)(neng)電(dian)池片(pian)(pian)(pian)轉換效率(lv)(lv)的高(gao)低(di)，因此需要(yao)對來料硅(gui)片(pian)(pian)(pian)進行檢(jian)測(ce)。在進行少子壽命和電(dian)阻率(lv)(lv)檢(jian)測(ce)之前，需要(yao)先對硅(gui)片(pian)(pian)(pian)的對角線、微裂紋進行檢(jian)測(ce)，并自動剔(ti)除破損硅(gui)片(pian)(pian)(pian)。硅(gui)片(pian)(pian)(pian)檢(jian)測(ce)設備能(neng)(neng)(neng)夠自動裝片(pian)(pian)(pian)和卸片(pian)(pian)(pian)，并且(qie)能(neng)(neng)(neng)夠將不(bu)合(he)格品(pin)放到固定位置，從而提(ti)高(gao)檢(jian)測(ce)精度和效率(lv)(lv)。
2、表面(mian)制絨，單(dan)晶硅絨面(mian)的(de)制備是利用(yong)硅的(de)各向異(yi)性腐(fu)蝕(shi)，在(zai)每平方(fang)厘米硅表面(mian)形成幾百萬個四面(mian)方(fang)錐(zhui)體也即金字塔結(jie)構。制備絨面(mian)前，硅片須先進行初步(bu)表面(mian)腐(fu)蝕(shi)，用(yong)堿性或酸性腐(fu)蝕(shi)液蝕(shi)去約20~25μm，在(zai)腐(fu)蝕(shi)絨面(mian)后(hou)，進行一般的(de)化學清洗。經過表面(mian)準備的(de)硅片都(dou)不宜在(zai)水(shui)中久(jiu)存，以防沾污，應(ying)盡快擴散制結(jie)。
3、擴散(san)制(zhi)結，太(tai)陽(yang)能(neng)電池需要一個大面(mian)積的PN結以實現光能(neng)到電能(neng)的轉換，而擴散(san)爐(lu)即為制(zhi)造太(tai)陽(yang)能(neng)電池PN結的專用設備。管(guan)式(shi)擴散(san)爐(lu)主要由石(shi)英(ying)舟的上(shang)下載部(bu)分、廢氣室、爐(lu)體部(bu)分和氣柜(ju)部(bu)分等四(si)大部(bu)分組成。擴散(san)一般用三氯氧(yang)磷(lin)液態源作為擴散(san)源。制(zhi)造PN結是(shi)太(tai)陽(yang)電池生產最基(ji)本也是(shi)最關鍵(jian)的工序。因為正是(shi)PN結的形成，才使電子和空穴在流(liu)(liu)動后(hou)不再(zai)回到原處(chu)，這樣就形成了電流(liu)(liu)，用導(dao)線將(jiang)電流(liu)(liu)引出，就是(shi)直流(liu)(liu)電。
4、去磷(lin)硅(gui)(gui)(gui)玻璃(li)，該工藝用于太陽能電池片(pian)生(sheng)(sheng)產制造過(guo)程中，通(tong)過(guo)化(hua)學腐蝕(shi)法也即把硅(gui)(gui)(gui)片(pian)放(fang)在氫(qing)(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)溶(rong)液中浸泡，使其產生(sheng)(sheng)化(hua)學反應(ying)(ying)生(sheng)(sheng)成可(ke)溶(rong)性的(de)(de)絡和物(wu)六(liu)氟(fu)(fu)(fu)(fu)硅(gui)(gui)(gui)酸(suan)，以(yi)去除擴散制結后在硅(gui)(gui)(gui)片(pian)表(biao)面形成的(de)(de)一(yi)層磷(lin)硅(gui)(gui)(gui)玻璃(li)。氫(qing)(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)能夠(gou)溶(rong)解二氧化(hua)硅(gui)(gui)(gui)是因為氫(qing)(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)與(yu)二氧化(hua)硅(gui)(gui)(gui)反應(ying)(ying)生(sheng)(sheng)成易揮發(fa)的(de)(de)四(si)氟(fu)(fu)(fu)(fu)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)氣(qi)體。若氫(qing)(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)過(guo)量，反應(ying)(ying)生(sheng)(sheng)成的(de)(de)四(si)氟(fu)(fu)(fu)(fu)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)會進一(yi)步與(yu)氫(qing)(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)反應(ying)(ying)生(sheng)(sheng)成可(ke)溶(rong)性的(de)(de)絡和物(wu)六(liu)氟(fu)(fu)(fu)(fu)硅(gui)(gui)(gui)酸(suan)。
5、等離子刻蝕(shi)，由于在擴(kuo)散過程(cheng)中，即使采(cai)用背靠背擴(kuo)散，硅(gui)片的(de)(de)(de)所有(you)表面(mian)包括邊(bian)緣(yuan)都將不可避免地擴(kuo)散上磷。PN結的(de)(de)(de)正面(mian)所收(shou)集到的(de)(de)(de)光生電(dian)子會沿著邊(bian)緣(yuan)擴(kuo)散有(you)磷的(de)(de)(de)區域(yu)流到PN結的(de)(de)(de)背面(mian)，而造(zao)成短路(lu)。因此，必(bi)須(xu)對太(tai)陽能電(dian)池周邊(bian)的(de)(de)(de)摻雜(za)硅(gui)進行刻蝕(shi)，以去除電(dian)池邊(bian)緣(yuan)的(de)(de)(de)PN結。
6、鍍減(jian)(jian)(jian)反(fan)(fan)射(she)膜，拋光硅表(biao)面的(de)反(fan)(fan)射(she)率(lv)為35%，為了減(jian)(jian)(jian)少表(biao)面反(fan)(fan)射(she)，提高電(dian)池的(de)轉換效率(lv)，需要沉(chen)積一層氮化硅減(jian)(jian)(jian)反(fan)(fan)射(she)膜。工(gong)業(ye)生產中常(chang)采用PECVD設備制備減(jian)(jian)(jian)反(fan)(fan)射(she)膜。PECVD即等離子(zi)增強型化學氣相沉(chen)積。
7、絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)，太陽電池(chi)經過制絨、擴散及PECVD等工(gong)序后(hou)，已(yi)經制成PN結，可(ke)以(yi)在光照下產生電流(liu)，為(wei)了將(jiang)產生的(de)電流(liu)導出，需(xu)要在電池(chi)表面(mian)上制作正(zheng)、負(fu)兩個(ge)電極。制造電極的(de)方法(fa)很多，而絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)是目前(qian)制作太陽電池(chi)電極最(zui)普遍的(de)一種生產工(gong)藝。絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)是采用壓(ya)印(yin)的(de)方式將(jiang)預定的(de)圖形印(yin)刷(shua)在基板(ban)上，該設備由(you)電池(chi)背(bei)面(mian)銀(yin)(yin)鋁漿(jiang)(jiang)印(yin)刷(shua)、電池(chi)背(bei)面(mian)鋁漿(jiang)(jiang)印(yin)刷(shua)和電池(chi)正(zheng)面(mian)銀(yin)(yin)漿(jiang)(jiang)印(yin)刷(shua)三部分組成。
8、快(kuai)(kuai)速(su)燒(shao)結(jie)(jie)，經過絲(si)網印刷后(hou)的(de)(de)硅(gui)片(pian)，不能直接使(shi)用(yong)，需經燒(shao)結(jie)(jie)爐快(kuai)(kuai)速(su)燒(shao)結(jie)(jie)，將有(you)機樹脂粘合劑(ji)燃(ran)燒(shao)掉，剩下幾乎純粹的(de)(de)、由于(yu)玻璃(li)質作用(yong)而密合在硅(gui)片(pian)上的(de)(de)銀電(dian)極。燒(shao)結(jie)(jie)爐分為(wei)預(yu)燒(shao)結(jie)(jie)、燒(shao)結(jie)(jie)、降(jiang)溫(wen)(wen)冷卻(que)三個(ge)階(jie)段(duan)(duan)(duan)。預(yu)燒(shao)結(jie)(jie)階(jie)段(duan)(duan)(duan)目的(de)(de)是使(shi)漿料中(zhong)的(de)(de)高分子粘合劑(ji)分解(jie)、燃(ran)燒(shao)掉，此階(jie)段(duan)(duan)(duan)溫(wen)(wen)度慢慢上升；燒(shao)結(jie)(jie)階(jie)段(duan)(duan)(duan)中(zhong)燒(shao)結(jie)(jie)體(ti)內完成各(ge)種物理化學反應(ying)，形成電(dian)阻(zu)膜結(jie)(jie)構，使(shi)其真正具有(you)電(dian)阻(zu)特性，該階(jie)段(duan)(duan)(duan)溫(wen)(wen)度達到峰值(zhi);降(jiang)溫(wen)(wen)冷卻(que)階(jie)段(duan)(duan)(duan)，玻璃(li)冷卻(que)硬化并凝固，使(shi)電(dian)阻(zu)膜結(jie)(jie)構固定地粘附于(yu)基片(pian)上。
9、外(wai)圍設備在(zai)電(dian)池(chi)片生(sheng)產(chan)(chan)過程中，還需要(yao)供電(dian)、動力、給水(shui)、排水(shui)、暖通、真空、特(te)汽(qi)等外(wai)圍設施。消(xiao)防(fang)和(he)(he)環保(bao)設備對于保(bao)證安(an)(an)全和(he)(he)持(chi)續(xu)發展也(ye)顯得(de)尤(you)為重要(yao)。考慮(lv)到特(te)殊氣體如(ru)硅烷的(de)安(an)(an)全因(yin)素，還需要(yao)單獨設置一個特(te)氣間，以絕(jue)對保(bao)證生(sheng)產(chan)(chan)安(an)(an)全。另外(wai)，硅烷燃(ran)燒塔、污水(shui)處理站等也(ye)是電(dian)池(chi)片生(sheng)產(chan)(chan)的(de)必備設施。
