一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳Mn、鐵Fe、鈷CO、鎳Ni、銅Cu、鋅(xin)Zn、鉛Pd、錫Sn、鋁AL。

小金(jin)屬靶材：銦In、鍺Ge、鎵Ga、銻Sb、鉍Bi、鎘Cd。

難熔金屬靶材：鈦(tai)Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩V鈮Nb、鉭Ta、銘(ming)Cr、鉬(mu)Mo、鎢(wu)W、錸Re。

貴(gui)金(jin)屬靶材：金(jin)Au、銀Ag、鈀Pd、鉑(bo)Pt、銥lr、釕Ru、銠Rh、鋨Os。

半金屬(shu)靶材：碳(tan)C、硼B、碲Te、硒Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金屬靶材應用主要包括平板顯示器(qi)、半導體、太(tai)陽能電池、記(ji)錄(lu)媒體等領域。其中(zhong)平板顯示器(qi)占33.80%，半導體占11.40%，太(tai)陽能電池占18.50%，記(ji)錄(lu)媒體占28.60%。

半導(dao)體芯片用金(jin)(jin)屬濺(jian)射(she)靶(ba)材的(de)(de)(de)(de)(de)作用，就是給芯片上(shang)制作傳(chuan)遞信息的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬導(dao)線(xian)。具體的(de)(de)(de)(de)(de)濺(jian)射(she)過(guo)程(cheng)：首先(xian)利用高速(su)離(li)子(zi)流(liu)，在高真空條(tiao)件(jian)下分別(bie)去轟擊不(bu)同種(zhong)類的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬濺(jian)射(she)靶(ba)材的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面，使各種(zhong)靶(ba)材表(biao)面的(de)(de)(de)(de)(de)原子(zi)一層一層地沉(chen)積在半導(dao)體芯片的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面上(shang)，然(ran)后再(zai)通過(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)特殊加工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝，將沉(chen)積在芯片表(biao)面的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬薄膜刻蝕成納(na)米(mi)級(ji)別(bie)的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬線(xian)，將芯片內部(bu)數以億計的(de)(de)(de)(de)(de)微型晶體管相互(hu)連(lian)接起(qi)來，從而起(qi)到傳(chuan)遞信號的(de)(de)(de)(de)(de)作用。

行業用的金(jin)屬濺(jian)射(she)靶(ba)材，主要種(zhong)類(lei)包括：銅(tong)、鉭、鋁、鈦、鈷(gu)和(he)(he)鎢(wu)等(deng)高純(chun)濺(jian)射(she)靶(ba)材，以及鎳鉑、鎢(wu)鈦等(deng)合(he)金(jin)類(lei)的金(jin)屬濺(jian)射(she)靶(ba)材。銅(tong)靶(ba)和(he)(he)鉭靶(ba)通常配合(he)起來(lai)使用。目前晶圓的制造正朝(chao)著更小的制程方向發展，銅(tong)導(dao)線工藝的應用量在(zai)逐步增(zeng)大，因此(ci)，銅(tong)和(he)(he)鉭靶(ba)材的需(xu)求將(jiang)有望持續增(zeng)長。鋁靶(ba)和(he)(he)鈦靶(ba)通常配合(he)起來(lai)使用。目前，在(zai)汽車電子芯(xin)片等(deng)需(xu)要110nm以上技術節點來(lai)保(bao)證其穩定性和(he)(he)抗干(gan)擾(rao)性的領(ling)域，仍需(xu)大量使用鋁、鈦靶(ba)材。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。