一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳Mn、鐵Fe、鈷CO、鎳Ni、銅Cu、鋅Zn、鉛Pd、錫Sn、鋁AL。

小金屬靶材(cai)：銦In、鍺Ge、鎵Ga、銻Sb、鉍(bi)Bi、鎘Cd。

難熔金屬靶材：鈦(tai)Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩V鈮Nb、鉭Ta、銘Cr、鉬Mo、鎢W、錸Re。

貴金(jin)屬靶材：金(jin)Au、銀(yin)Ag、鈀Pd、鉑Pt、銥(yi)lr、釕Ru、銠Rh、鋨Os。

半金屬靶材(cai)：碳C、硼B、碲Te、硒Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金屬(shu)靶材應用主(zhu)要包括平板顯示器、半(ban)導體、太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)、記錄媒體等領(ling)域(yu)。其中平板顯示器占33.80%，半(ban)導體占11.40%，太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)占18.50%，記錄媒體占28.60%。

半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片用(yong)金(jin)(jin)屬濺(jian)射靶(ba)材(cai)的(de)(de)(de)作用(yong)，就(jiu)是給芯(xin)片上制作傳遞信息的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬導(dao)線。具體(ti)(ti)的(de)(de)(de)濺(jian)射過程(cheng)：首先(xian)利用(yong)高速離子流，在高真空(kong)條件下(xia)分別(bie)去轟擊不同種類的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬濺(jian)射靶(ba)材(cai)的(de)(de)(de)表面，使(shi)各(ge)種靶(ba)材(cai)表面的(de)(de)(de)原子一層(ceng)一層(ceng)地沉積在半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片的(de)(de)(de)表面上，然后再通過的(de)(de)(de)特(te)殊加(jia)工(gong)工(gong)藝，將沉積在芯(xin)片表面的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬薄膜刻蝕成納(na)米級別(bie)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬線，將芯(xin)片內部數以億計(ji)的(de)(de)(de)微型晶(jing)體(ti)(ti)管相(xiang)互連接起來，從而起到傳遞信號的(de)(de)(de)作用(yong)。

行業用(yong)的(de)金(jin)屬(shu)濺射靶材(cai)，主要(yao)種類包括：銅(tong)、鉭(tan)、鋁、鈦、鈷和(he)鎢(wu)等(deng)高純濺射靶材(cai)，以及鎳鉑、鎢(wu)鈦等(deng)合金(jin)類的(de)金(jin)屬(shu)濺射靶材(cai)。銅(tong)靶和(he)鉭(tan)靶通常配(pei)合起(qi)來(lai)(lai)使用(yong)。目(mu)前晶圓的(de)制造正朝著更小的(de)制程方向(xiang)發展，銅(tong)導線(xian)工(gong)藝的(de)應用(yong)量在(zai)逐步增(zeng)(zeng)大(da)，因(yin)此，銅(tong)和(he)鉭(tan)靶材(cai)的(de)需(xu)(xu)求將有望(wang)持續增(zeng)(zeng)長。鋁靶和(he)鈦靶通常配(pei)合起(qi)來(lai)(lai)使用(yong)。目(mu)前，在(zai)汽車電(dian)子芯片等(deng)需(xu)(xu)要(yao)110nm以上技術(shu)節點來(lai)(lai)保(bao)證其穩定性(xing)和(he)抗干擾(rao)性(xing)的(de)領域，仍(reng)需(xu)(xu)大(da)量使用(yong)鋁、鈦靶材(cai)。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。