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ITO濺射靶材的制作方法 ITO濺射靶材生產難點

本文章由注冊用戶 天空之城 上傳提供 2023-09-17 評論 0
摘要:ITO靶材是一種貴金屬材料,是在高溫氣氛燒結形成的黑灰色陶瓷半導體。ITO靶材主要有四種成型方法,分別是真空熱壓法、熱等靜壓法、常壓燒結法、冷等靜壓法。下面就來了解下ITO濺射靶材的制作方法以及ITO濺射靶材生產難點。

一、ITO濺射靶材的制作方法

1、真空熱壓

真空熱壓利用熱能和機械能對ITO粉體進行致密化,可生產出密度為91%~96%的高密度ITO陶瓷靶材。該方法可以輕松獲得接近預期密度且孔隙率接近于零的ITO靶材。但受設備和模具尺寸的限制,真空熱壓在制備大尺寸濺射靶材方面優勢較小。

2、熱等靜壓

熱等靜壓(ya)(HIP)通過在壓(ya)力(li)下燒結或在高溫下加(jia)(jia)壓(ya)來(lai)制備ITO濺射靶(ba)。與真空熱壓(ya)類似,HIP在加(jia)(jia)熱和加(jia)(jia)壓(ya)狀態下可以獲得高密度(幾乎(hu)是(shi)理論(lun)密度)和優異的物(wu)理和機械性能的產品。但(dan)也(ye)受設備壓(ya)力(li)和氣缸(gang)尺寸(cun)的限制。

3、常溫燒結

室(shi)溫燒結是先(xian)通過漿料澆(jiao)注或(huo)預壓制備高密度靶材預制件,然后(hou)在一定氣氛和溫度下燒結得到(dao)ITO靶材。其最大的優勢在于能(neng)夠生(sheng)產大尺寸的濺射靶材。但與(yu)其他(ta)燒結方法(fa)相比(bi),這(zhe)種方法(fa)制成(cheng)的靶材純度較(jiao)低。

4、冷等靜壓

冷(leng)等靜(jing)壓(CIP)在常溫下(xia)以橡(xiang)膠或塑料(liao)為覆膜材(cai)(cai)料(liao),以液體為壓力介(jie)質傳遞超高(gao)壓。CIP還可以制備更大尺寸的(de)ITO濺射靶材(cai)(cai)。而且價格便宜,適(shi)合大批量生產(chan)。但CIP要(yao)求材(cai)(cai)料(liao)在0.1~0.9MPa的(de)純氧環境中(zhong)經過1500~1600°C的(de)高(gao)溫燒結,具有較高(gao)的(de)風(feng)險。

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二、ITO濺射靶材生產難點

1、粉末制備

粉末冶金最(zui)核(he)心的競爭力就是(shi)粉體,能夠獨立生產(chan)高(gao)品質穩定的粉體的公司,會(hui)在未來占有(you)一席之地。

2、大尺寸燒結工藝

ITO靶材的(de)另一個難點就是燒結(jie)(jie)工(gong)藝(yi),精準的(de)燒結(jie)(jie)工(gong)藝(yi)是燒結(jie)(jie)高品質靶材的(de)關鍵。燒結(jie)(jie)工(gong)藝(yi)細分為(wei)真空熱壓法(fa)、熱等靜壓法(fa)、常(chang)壓燒結(jie)(jie)法(fa)。目前高端顯示器用(yong)鍍膜靶材主要采(cai)用(yong)常(chang)壓燒結(jie)(jie)法(fa),性價比高。

3、成本投入較大

ITO生(sheng)產(chan)中需要使用非常(chang)(chang)多的大(da)(da)型設(she)備(bei),如冷壓(ya)機,大(da)(da)型模壓(ya)機,燒結(jie)爐,加(jia)工設(she)備(bei)及綁定設(she)備(bei),每一項(xiang)的投(tou)入(ru)都非常(chang)(chang)大(da)(da)。整廠的設(she)備(bei)投(tou)入(ru)預計在5000萬(wan)以上(年產(chan)50噸),且因(yin)為是(shi)能(neng)耗大(da)(da)戶,日(ri)常(chang)(chang)的能(neng)源(yuan)消(xiao)耗也(ye)是(shi)非常(chang)(chang)可觀的,運營維護成(cheng)本也(ye)比較高。

4、產品的驗證

如何(he)能夠自主(zhu)的(de)驗證產品(pin)是否符合客戶的(de)使用需求(qiu),是產品(pin)能否一次通過(guo)客戶驗證并且順(shun)利導(dao)入生(sheng)產的(de)關鍵因素,所以企業自己(ji)配套綁定檢測設備及鍍膜機就是保證。

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