一、硅片清洗的目標是什么
半導體器(qi)件生產(chan)中硅(gui)片須(xu)經嚴格清洗。微量污染也會導致器(qi)件失效。那(nei)么(me)硅(gui)片清洗的目標是什么(me)呢？
硅片清(qing)洗的目的在于(yu)(yu)清(qing)除表(biao)面污染雜(za)質(zhi)，包括(kuo)有(you)機(ji)物和無(wu)機(ji)物。這些雜(za)質(zhi)有(you)的以原子(zi)狀態(tai)或離子(zi)狀態(tai)，有(you)的以薄膜形(xing)式或顆粒形(xing)式存在于(yu)(yu)硅片表(biao)面。會導致各種缺陷。
二、硅片清洗的方法有哪些
硅(gui)片清(qing)除污染的(de)方法有物理清(qing)洗(xi)和化學清(qing)洗(xi)兩(liang)種。
1、化(hua)學清(qing)(qing)洗是為(wei)了除(chu)去原子、離(li)(li)(li)子不(bu)可見的(de)(de)污染，方法(fa)(fa)較多(duo)，有(you)溶劑(ji)萃取、酸洗（硫酸、硝(xiao)酸、王水(shui)、各種(zhong)混(hun)合酸等）和等離(li)(li)(li)子體(ti)法(fa)(fa)等。其中雙氧水(shui)體(ti)系(xi)清(qing)(qing)洗方法(fa)(fa)效(xiao)果好，環境污染小。一(yi)般(ban)方法(fa)(fa)是將硅片先用(yong)成分比(bi)(bi)為(wei)H2SO4:H2O2=5:1或(huo)(huo)(huo)4:1的(de)(de)酸性(xing)液(ye)(ye)(ye)清(qing)(qing)洗。清(qing)(qing)洗液(ye)(ye)(ye)的(de)(de)強氧化(hua)性(xing)，將有(you)機物(wu)分解(jie)而除(chu)去；用(yong)超純水(shui)沖洗后(hou)，再用(yong)成分比(bi)(bi)為(wei)H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或(huo)(huo)(huo)5:1:1或(huo)(huo)(huo)7:2:1的(de)(de)堿(jian)性(xing)清(qing)(qing)洗液(ye)(ye)(ye)清(qing)(qing)洗，由(you)于H2O2的(de)(de)氧化(hua)作用(yong)和NH4OH的(de)(de)絡(luo)(luo)合作用(yong)，許多(duo)金(jin)屬(shu)離(li)(li)(li)子形成穩定的(de)(de)可溶性(xing)絡(luo)(luo)合物(wu)而溶于水(shui)；然后(hou)使用(yong)成分比(bi)(bi)為(wei)H2O:H2O2:HCL=7:2:1或(huo)(huo)(huo)5:2:1的(de)(de)酸性(xing)清(qing)(qing)洗液(ye)(ye)(ye)，由(you)于H2O2的(de)(de)氧化(hua)作用(yong)和鹽(yan)酸的(de)(de)溶解(jie)，以及氯離(li)(li)(li)子的(de)(de)絡(luo)(luo)合性(xing)，許多(duo)金(jin)屬(shu)生成溶于水(shui)的(de)(de)絡(luo)(luo)離(li)(li)(li)子，從而達到清(qing)(qing)洗的(de)(de)目的(de)(de)。
放射示蹤原子分析和質譜分析表明(ming)，采(cai)用雙氧(yang)水體(ti)系清洗(xi)硅(gui)(gui)片(pian)效果(guo)最(zui)好(hao)，同時所用的(de)全部化學試劑H2O2、NH4OH、HCl能夠完全揮(hui)發掉。用H2SO4和H2O2清洗(xi)硅(gui)(gui)片(pian)時，在硅(gui)(gui)片(pian)表面會留下約(yue)2×1010原子每(mei)平方厘米的(de)硫原子，用后(hou)(hou)一(yi)種酸(suan)性清洗(xi)液時可以(yi)完全被(bei)清除(chu)。用H2O2體(ti)系清洗(xi)硅(gui)(gui)片(pian)無殘(can)留物(wu)，有害性小，也(ye)有利于工人健康(kang)和環境保護。硅(gui)(gui)片(pian)清洗(xi)中用各(ge)步清洗(xi)液處理(li)后(hou)(hou)，都(dou)要用超純(chun)水徹底(di)沖洗(xi)。
2、物理清洗有(you)三種方(fang)法(fa)。
（1）刷洗或擦(ca)洗：可除(chu)去顆(ke)粒污染和(he)大多數粘在片(pian)子上(shang)的薄膜。
（2）高壓(ya)清洗：是用(yong)(yong)液體(ti)噴(pen)(pen)射(she)片子(zi)(zi)表面，噴(pen)(pen)嘴的(de)(de)壓(ya)力高達幾(ji)百個大(da)氣壓(ya)。高壓(ya)清洗靠(kao)噴(pen)(pen)射(she)作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)，片子(zi)(zi)不易產(chan)生(sheng)劃痕和損(sun)傷。但高壓(ya)噴(pen)(pen)射(she)會產(chan)生(sheng)靜(jing)電作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)，靠(kao)調節(jie)噴(pen)(pen)嘴到片子(zi)(zi)的(de)(de)距離、角度或加(jia)入防(fang)靜(jing)電劑加(jia)以避免。
（3）超(chao)聲波清(qing)洗(xi)：超(chao)聲波聲能傳入溶液，靠氣蝕作(zuo)用洗(xi)掉片(pian)子上的(de)污染。但是，從有圖形(xing)的(de)片(pian)子上除去(qu)小于1微(wei)米(mi)顆粒則比較困難。將頻(pin)(pin)率提高(gao)到超(chao)高(gao)頻(pin)(pin)頻(pin)(pin)段，清(qing)洗(xi)效果更好。
