一、氮化鎵是什么

氮(dan)化(hua)鎵(jia)（GaN）是氮(dan)和(he)鎵(jia)化(hua)合物(wu)，具有半導(dao)體(ti)特(te)性，早(zao)期應(ying)用于(yu)發光二極管中，它與常用的硅屬于(yu)同(tong)一(yi)元(yuan)素周期族，硬度高(gao)(gao)(gao)熔點高(gao)(gao)(gao)穩定性強。氮(dan)化(hua)鎵(jia)材料是研制微(wei)電(dian)子器(qi)件的重(zhong)要(yao)半導(dao)體(ti)材料，具有寬帶隙、高(gao)(gao)(gao)熱導(dao)率(lv)等特(te)點，應(ying)用在(zai)充電(dian)器(qi)方面，主(zhu)要(yao)是集成氮(dan)化(hua)鎵(jia)MOS管，可適配小型變壓器(qi)和(he)高(gao)(gao)(gao)功率(lv)器(qi)件，充電(dian)效率(lv)高(gao)(gao)(gao)。

二、氮化鎵充電器優點

簡(jian)單來(lai)說，氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)(jia)號稱(cheng)第三代(dai)半導體核心材料(liao)。相(xiang)對硅而言，氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)(jia)擁(yong)有(you)更寬(kuan)的(de)(de)帶(dai)隙，寬(kuan)帶(dai)隙也意味著，氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)(jia)能(neng)比硅承受更高的(de)(de)電壓，擁(yong)有(you)更好的(de)(de)導電能(neng)力。簡(jian)而言之兩種(zhong)材料(liao)在相(xiang)同(tong)體積下(xia)，氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)(jia)比硅的(de)(de)效率高出不少。如果氮(dan)(dan)(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)(jia)替換(huan)現在所有(you)電子(zi)(zi)設備，可能(neng)會(hui)讓電子(zi)(zi)產品的(de)(de)用電量再(zai)減少10%或(huo)者25%。

在許多電源(yuan)管理產品中(zhong)，氮(dan)化鎵(jia)(jia)是(shi)更(geng)強的存在。應用層面，采用氮(dan)化鎵(jia)(jia)做充(chong)電器(qi)的話(hua)能夠實(shi)現更(geng)快充(chong)電更(geng)小(xiao)體積。

打個比方說，采(cai)用(yong)氮化鎵材(cai)料做(zuo)出來(lai)的(de)(de)充(chong)電頭(tou)，體(ti)積和蘋果5W差不多大的(de)(de)情(qing)況下，能(neng)實現更多的(de)(de)功率。蘋果的(de)(de)5W充(chong)電頭(tou)實現的(de)(de)充(chong)電效率相信大家都懂的(de)(de)，未來(lai)新的(de)(de)材(cai)料大規模應有(you)(you)后就有(you)(you)望改變這種情(qing)況。

氮化鎵（GaN）等(deng)新技術有望大幅改(gai)進電源管理(li)、發(fa)電和功率輸出的(de)諸多方(fang)面。

對于(yu)(yu)用戶，最(zui)直接(jie)的好處就是能帶(dai)來更快(kuai)的充(chong)電(dian)，但是體積卻不會因(yin)此而增大。因(yin)為GaN氮化鎵材料本身的特質，因(yin)此充(chong)電(dian)器如果采用了GaN氮化鎵做材料，那么不僅可(ke)以(yi)實現體積小、重量輕；對于(yu)(yu)發(fa)熱(re)(re)量與效率(lv)轉化也(ye)有(you)非(fei)常明(ming)顯(xian)的提高(gao)。很多產品(pin)一旦發(fa)熱(re)(re)效率(lv)就會明(ming)顯(xian)的下降，比如CPU、充(chong)電(dian)頭(tou)等(deng)。

三、氮化鎵充電器的缺點

氮化(hua)(hua)鎵(jia)充(chong)(chong)電(dian)(dian)器主要(yao)缺點是成本高(gao)。氮化(hua)(hua)鎵(jia)作為(wei)新型第三代化(hua)(hua)合物，合成環境要(yao)求很高(gao)，從制(zhi)造(zao)工(gong)藝上(shang)講，氮化(hua)(hua)鎵(jia)沒有液態，不(bu)能使用單晶硅的(de)傳統(tong)直拉(la)(la)法拉(la)(la)出(chu)單晶，純靠氣體反應(ying)合成，在氨氣流中超過1000度(du)加(jia)熱金屬鎵(jia)半小時(shi)才能形(xing)成粉末(mo)狀(zhuang)氮化(hua)(hua)鎵(jia)，所以氮化(hua)(hua)鎵(jia)充(chong)(chong)電(dian)(dian)器的(de)成本更高(gao)，對應(ying)市(shi)面上(shang)的(de)氮化(hua)(hua)鎵(jia)充(chong)(chong)電(dian)(dian)器售價也(ye)比傳統(tong)充(chong)(chong)電(dian)(dian)器高(gao)出(chu)一大截(jie)。

隨著氮化鎵技術的普及應用，氮化鎵充電器成本可能會逐步降下來，之后的價格應該(gai)能回歸到百元(yuan)內。