一、芯片封測是什么意思

芯片封測，全稱是芯片封裝測試，芯片封裝測(ce)試(shi)(shi)(shi)是將生產出來(lai)的合格晶圓進(jin)行切割、焊(han)線、塑封，使芯(xin)片電(dian)路與外(wai)部器件實現電(dian)氣連接，并為芯(xin)片提(ti)供機械物(wu)理(li)保護，并利用集成電(dian)路設(she)計企業提(ti)供的測(ce)試(shi)(shi)(shi)工具(ju)，對封裝完畢(bi)的芯(xin)片進(jin)行功能和性能測(ce)試(shi)(shi)(shi)。

二、芯片封測有技術含量嗎

芯片的生產(chan)(chan)過程嚴格(ge)意義上來講分為(wei)了三步，設計、生產(chan)(chan)和封(feng)測(ce)，每一步都是(shi)非(fei)常重要的，生產(chan)(chan)出(chu)的晶圓(yuan)，如(ru)果(guo)沒有經歷封(feng)測(ce)這一步驟，那么就是(shi)個半成品，根(gen)本無法使用。

芯(xin)(xin)片(pian)封測有一定的(de)技(ji)術(shu)含量，但(dan)相對于(yu)芯(xin)(xin)片(pian)設計(ji)和(he)芯(xin)(xin)片(pian)制造來說，技(ji)術(shu)含量和(he)對技(ji)術(shu)的(de)要(yao)求較低，但(dan)是隨著摩爾(er)定律接(jie)近極限，或許未來將有更先(xian)進(jin)的(de)封測技(ji)術(shu)發展。

三、芯片封測廠商技術布局分析

對于芯片封測廠商來說(shuo)，發展先(xian)進封(feng)裝技術(shu)是提升芯片性(xing)能(neng)的重要途徑，這就需(xu)要高密度、大帶寬的先(xian)進封(feng)裝技術(shu)提供硬件支持(chi)，其(qi)中需(xu)要的技術(shu)主要有：

1、SiP（系統級封裝技術）

系統級封裝（SiP）技(ji)術是通過將多個(ge)裸片(pian)（Die）及(ji)無源器件整(zheng)合在(zai)(zai)單個(ge)封裝體(ti)內(nei)的集(ji)成電路封裝技(ji)術。在(zai)(zai)后(hou)摩(mo)爾時(shi)代，系統級封裝（SiP）技(ji)術可以幫助芯片(pian)成品增加集(ji)成度、減小體(ti)積并降低功耗。

2、RDL（晶圓重布線技術）

RDL（ReDistribution Layer）重布線層，起著XY平面電氣延伸和互聯(lian)的(de)(de)作用。RDL工(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)出現(xian)和演(yan)(yan)變(bian)也(ye)和TSV等先進封(feng)裝(zhuang)其他工(gong)(gong)藝(yi)一(yi)樣，是一(yi)個不斷(duan)演(yan)(yan)變(bian)與進化的(de)(de)過程，RDL工(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)誕生，已經為先進封(feng)裝(zhuang)中的(de)(de)異質集(ji)成提(ti)供了操作上的(de)(de)基礎。

3、Bumping（晶圓凸點工藝）

Bumping技術(shu)通過在(zai)芯(xin)片表面(mian)制作金屬(shu)凸塊提(ti)供芯(xin)片電氣互連的(de)“點”接口，反應了(le)先進制程以“點替(ti)代(dai)線(xian)(xian)”的(de)發展趨(qu)勢，廣泛應用于(yu)(yu)FC、WLP、CSP、3D等(deng)先進封(feng)裝。它(ta)提(ti)供了(le)芯(xin)片之間、芯(xin)片和基板之間的(de)“點連接”，由于(yu)(yu)避(bi)免了(le)傳統Wire Bonding向四(si)周輻射的(de)金屬(shu)“線(xian)(xian)連接”，減(jian)小了(le)芯(xin)片面(mian)積（封(feng)裝效率100%），此外凸塊陣(zhen)列(lie)在(zai)芯(xin)片表面(mian)，引腳密度可以做得很高，便(bian)于(yu)(yu)滿足芯(xin)片性能(neng)提(ti)升的(de)需求

4、Fan-in/out（扇入/扇出式封裝）

扇出(chu)（Fan-Out）的概念(nian)是相對于扇入(ru)（Fan-In）而言的，兩者都遵循(xun)類(lei)似的工藝(yi)流(liu)程。當芯片被加工切割完畢之后，會放(fang)置(zhi)在基于環氧樹(shu)脂模制化合(he)物(wu)的晶圓上(shang)，這被稱為重構晶圓。然后，在模制化合(he)物(wu)上(shang)形成再分布層（RDL）。