1、顯(xian)卡(ka)芯(xin)片:顯(xian)卡(ka)核(he)心型(xing)號差(cha)一(yi)檔(dang),性(xing)(xing)能也就(jiu)差(cha)了一(yi)檔(dang),所以可根據(ju)核(he)心型(xing)號來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)高低,例如,N卡(ka)型(xing)號的(de)前(qian)綴一(yi)共(gong)有GTX > GTS > GT > GF,其后(hou)的(de)兩位數(shu)或(huo)一(yi)位數(shu)代(dai)表代(dai)數(shu),再其后(hou)兩位數(shu)越大,表示同(tong)代(dai)中的(de)性(xing)(xing)能就(jiu)越強,后(hou)綴有Ti、SE、M、MX,分(fen)別(bie)表示加強版、閹割版、移動版、移動加強版。
2、流處(chu)(chu)理(li)(li)器:流處(chu)(chu)理(li)(li)器是顯卡(ka)(ka)(ka)的(de)核心,直接影響(xiang)處(chu)(chu)理(li)(li)能(neng)力,對于N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)來說,流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)元(yuan)個數越(yue)多則處(chu)(chu)理(li)(li)能(neng)力越(yue)強(qiang)。N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)的(de)流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)元(yuan)可(ke)采取近似比(bi)較(jiao),N卡(ka)(ka)(ka)的(de)1個流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)元(yuan)相(xiang)當于AMD的(de)5個流處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)(dan)元(yuan)。
3、顯(xian)(xian)(xian)存位(wei)寬:顯(xian)(xian)(xian)存位(wei)寬表(biao)示一個時鐘周期內所(suo)能(neng)傳送(song)數(shu)據的位(wei)數(shu),位(wei)數(shu)越大則傳輸量越大,常見的有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)(xian)存頻率相當情(qing)況下(xia),顯(xian)(xian)(xian)存位(wei)寬決定著帶寬的大小(xiao)。
4、顯存類(lei)型:顯存類(lei)型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種(zhong),SDRAM顆粒主要應用在低端顯卡上,頻率一般(ban)不超過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主流(liu);DDR SGRAM適合繪圖(tu)專用。
5、散(san)熱(re)(re)設計:散(san)熱(re)(re)系統(tong)的好壞直接決(jue)定(ding)(ding)了(le)性(xing)能發揮(hui)的穩(wen)定(ding)(ding)性(xing),被動式(shi)噪音低(di)(di),適合(he)低(di)(di)頻率顯卡(ka);主動式(shi)有散(san)熱(re)(re)片和風(feng)扇,適合(he)高頻率顯卡(ka);導流式(shi)適合(he)高檔游戲顯卡(ka)。