1、顯(xian)卡芯(xin)片:顯(xian)卡核心型(xing)號差一(yi)檔,性能也就差了一(yi)檔,所以可(ke)根(gen)據核心型(xing)號來判斷顯(xian)卡的(de)(de)高(gao)低,例(li)如,N卡型(xing)號的(de)(de)前綴一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其后(hou)的(de)(de)兩(liang)(liang)位(wei)(wei)數(shu)或一(yi)位(wei)(wei)數(shu)代(dai)表代(dai)數(shu),再其后(hou)兩(liang)(liang)位(wei)(wei)數(shu)越(yue)大,表示同代(dai)中(zhong)的(de)(de)性能就越(yue)強,后(hou)綴有Ti、SE、M、MX,分(fen)別表示加強版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移動版(ban)(ban)、移動加強版(ban)(ban)。
2、流(liu)處(chu)(chu)(chu)理器(qi):流(liu)處(chu)(chu)(chu)理器(qi)是顯(xian)卡(ka)(ka)(ka)的核心,直(zhi)接影響(xiang)處(chu)(chu)(chu)理能力(li),對于N卡(ka)(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)(ka)來(lai)說(shuo),流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元個數(shu)越多(duo)則處(chu)(chu)(chu)理能力(li)越強。N卡(ka)(ka)(ka)和(he)(he)A卡(ka)(ka)(ka)的流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元可采(cai)取近似比較(jiao),N卡(ka)(ka)(ka)的1個流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元相當于AMD的5個流(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元。
3、顯(xian)存(cun)位寬(kuan)(kuan):顯(xian)存(cun)位寬(kuan)(kuan)表示(shi)一個時(shi)鐘周期內所能傳送數據(ju)的位數,位數越(yue)(yue)大則傳輸(shu)量越(yue)(yue)大,常(chang)見的有64位、128位和(he)256位顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情況下(xia),顯(xian)存(cun)位寬(kuan)(kuan)決定著帶寬(kuan)(kuan)的大小。
4、顯存(cun)類(lei)(lei)型:顯存(cun)類(lei)(lei)型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種(zhong),SDRAM顆粒主要應(ying)用在(zai)低(di)端顯卡上(shang),頻率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主流;DDR SGRAM適合(he)繪圖專(zhuan)用。
5、散熱(re)設計:散熱(re)系(xi)統的好壞直接決定了性(xing)能發揮(hui)的穩定性(xing),被(bei)動(dong)式(shi)噪音低,適合低頻率顯(xian)卡(ka);主動(dong)式(shi)有散熱(re)片和風(feng)扇,適合高頻率顯(xian)卡(ka);導(dao)流(liu)式(shi)適合高檔游戲顯(xian)卡(ka)。