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1、顯(xian)卡芯片：顯(xian)卡核(he)心(xin)型(xing)號(hao)差(cha)一(yi)檔，性能也就差(cha)了一(yi)檔，所以可根據核(he)心(xin)型(xing)號(hao)來判斷顯(xian)卡的高低，例如(ru)，N卡型(xing)號(hao)的前綴(zhui)一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其后的兩位(wei)數或一(yi)位(wei)數代(dai)表(biao)代(dai)數，再其后兩位(wei)數越大，表(biao)示同代(dai)中的性能就越強，后綴(zhui)有Ti、SE、M、MX，分(fen)別(bie)表(biao)示加強版、閹(yan)割版、移(yi)動版、移(yi)動加強版。

2、流(liu)處理(li)(li)(li)(li)器：流(liu)處理(li)(li)(li)(li)器是(shi)顯卡(ka)(ka)的(de)(de)核心，直接(jie)影響處理(li)(li)(li)(li)能力，對于N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)來(lai)說，流(liu)處理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)個(ge)數越多則處理(li)(li)(li)(li)能力越強(qiang)。N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)的(de)(de)流(liu)處理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)可采取近似(si)比較，N卡(ka)(ka)的(de)(de)1個(ge)流(liu)處理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)相當于AMD的(de)(de)5個(ge)流(liu)處理(li)(li)(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)位(wei)寬：顯(xian)存(cun)位(wei)寬表(biao)示一個時鐘周期內所能(neng)傳(chuan)送數(shu)(shu)據的(de)(de)位(wei)數(shu)(shu)，位(wei)數(shu)(shu)越大則(ze)傳(chuan)輸量越大，常見的(de)(de)有64位(wei)、128位(wei)和(he)256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當(dang)情況下，顯(xian)存(cun)位(wei)寬決定著帶寬的(de)(de)大小(xiao)。

4、顯(xian)存類型：顯(xian)存類型主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆(ke)粒(li)主要應用在低端(duan)顯(xian)卡上，頻率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流(liu)；DDR SGRAM適合(he)繪圖專用。

5、散(san)熱設計：散(san)熱系統的(de)好壞直(zhi)接決(jue)定(ding)了性(xing)能發揮的(de)穩定(ding)性(xing)，被動式噪音低(di)，適合(he)低(di)頻率顯卡；主動式有散(san)熱片和風扇，適合(he)高頻率顯卡；導流(liu)式適合(he)高檔游戲顯卡。