1、顯(xian)卡(ka)(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)(ka)核心(xin)型號(hao)差一檔(dang),性能(neng)也(ye)就(jiu)差了(le)一檔(dang),所以可根據(ju)核心(xin)型號(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)(de)高低,例如(ru),N卡(ka)(ka)型號(hao)的(de)(de)前綴(zhui)一共有GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)(de)兩(liang)位(wei)數(shu)或一位(wei)數(shu)代(dai)表(biao)(biao)代(dai)數(shu),再(zai)其后兩(liang)位(wei)數(shu)越大,表(biao)(biao)示(shi)同代(dai)中的(de)(de)性能(neng)就(jiu)越強,后綴(zhui)有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)(biao)示(shi)加強版、閹割版、移(yi)(yi)動(dong)版、移(yi)(yi)動(dong)加強版。
2、流(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)器(qi):流(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)器(qi)是顯卡(ka)的核心(xin),直接影響處(chu)(chu)(chu)理(li)能(neng)力(li)(li),對于(yu)N卡(ka)和(he)A卡(ka)來說,流(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)單元(yuan)個(ge)數越(yue)多則(ze)處(chu)(chu)(chu)理(li)能(neng)力(li)(li)越(yue)強。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的流(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)單元(yuan)可采取近似比較,N卡(ka)的1個(ge)流(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)單元(yuan)相(xiang)當于(yu)AMD的5個(ge)流(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)單元(yuan)。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)(kuan)(kuan):顯(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)(kuan)(kuan)表示一個時鐘周(zhou)期內所能(neng)傳送(song)數據的(de)(de)位(wei)數,位(wei)數越大(da)則傳輸量越大(da),常見(jian)的(de)(de)有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當(dang)情(qing)況下(xia),顯(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)(kuan)(kuan)決(jue)定著帶寬(kuan)(kuan)(kuan)的(de)(de)大(da)小。
4、顯存(cun)類(lei)型:顯存(cun)類(lei)型主要(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要(yao)應(ying)用(yong)在低端顯卡(ka)上,頻(pin)率一般不超(chao)過(guo)200MHz;DDR SDRAM是主流(liu);DDR SGRAM適(shi)合繪圖專用(yong)。
5、散熱設計:散熱系統的好壞直接決定了性(xing)能(neng)發揮的穩(wen)定性(xing),被動(dong)式噪音低,適(shi)合(he)低頻率(lv)顯(xian)卡;主動(dong)式有散熱片(pian)和(he)風扇,適(shi)合(he)高頻率(lv)顯(xian)卡;導(dao)流式適(shi)合(he)高檔游(you)戲顯(xian)卡。