1、顯(xian)(xian)卡(ka)(ka)(ka)芯片:顯(xian)(xian)卡(ka)(ka)(ka)核(he)心(xin)型(xing)號(hao)(hao)差一檔,性能也就(jiu)差了一檔,所以(yi)可根據(ju)核(he)心(xin)型(xing)號(hao)(hao)來判斷(duan)顯(xian)(xian)卡(ka)(ka)(ka)的(de)高低,例如(ru),N卡(ka)(ka)(ka)型(xing)號(hao)(hao)的(de)前(qian)綴一共(gong)有GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩(liang)位(wei)數(shu)或(huo)一位(wei)數(shu)代表代數(shu),再其后兩(liang)位(wei)數(shu)越大(da),表示(shi)同代中(zhong)的(de)性能就(jiu)越強(qiang)(qiang),后綴有Ti、SE、M、MX,分別表示(shi)加強(qiang)(qiang)版、閹割版、移動(dong)版、移動(dong)加強(qiang)(qiang)版。
2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)器:流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)器是顯卡(ka)的核心,直(zhi)接影響處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)能力,對于(yu)N卡(ka)和A卡(ka)來(lai)說(shuo),流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元個(ge)數越多則處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)能力越強(qiang)。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元可采取近似比較(jiao),N卡(ka)的1個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元相當(dang)于(yu)AMD的5個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)單(dan)(dan)元。
3、顯(xian)(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan):顯(xian)(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)表(biao)示一個(ge)時(shi)鐘周期內所(suo)能(neng)傳(chuan)送數(shu)據(ju)的(de)位(wei)(wei)數(shu),位(wei)(wei)數(shu)越(yue)大則傳(chuan)輸量越(yue)大,常見(jian)的(de)有(you)64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)(xian)存(cun)頻率相當情況下,顯(xian)(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)決定著(zhu)帶寬(kuan)(kuan)的(de)大小。
4、顯存類型(xing):顯存類型(xing)主要(yao)(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三(san)種(zhong),SDRAM顆粒主要(yao)(yao)應(ying)用在(zai)低端(duan)顯卡(ka)上,頻率一般不超過(guo)200MHz;DDR SDRAM是主流(liu);DDR SGRAM適合繪圖專用。
5、散熱(re)設計(ji):散熱(re)系統的好壞直(zhi)接決(jue)定(ding)了性能發揮的穩定(ding)性,被(bei)動式噪音低,適(shi)合(he)(he)(he)低頻率(lv)顯卡;主動式有散熱(re)片和風(feng)扇,適(shi)合(he)(he)(he)高(gao)頻率(lv)顯卡;導流式適(shi)合(he)(he)(he)高(gao)檔游戲顯卡。