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1、顯(xian)卡(ka)芯片：顯(xian)卡(ka)核心(xin)型(xing)號(hao)差(cha)一(yi)檔，性能也就(jiu)差(cha)了一(yi)檔，所以可根據核心(xin)型(xing)號(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)型(xing)號(hao)的(de)前綴一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)(hou)的(de)兩位數或(huo)一(yi)位數代表代數，再其后(hou)(hou)兩位數越(yue)大，表示(shi)同(tong)代中的(de)性能就(jiu)越(yue)強，后(hou)(hou)綴有(you)Ti、SE、M、MX，分別表示(shi)加(jia)強版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移(yi)動版(ban)(ban)、移(yi)動加(jia)強版(ban)(ban)。

2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi)：流(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi)是顯卡的(de)核心，直接影響處(chu)(chu)理(li)能(neng)力，對于(yu)N卡和A卡來說，流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)個(ge)數越多則處(chu)(chu)理(li)能(neng)力越強。N卡和A卡的(de)流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)可采取近似比較，N卡的(de)1個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)相(xiang)當于(yu)AMD的(de)5個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)。

3、顯(xian)存(cun)(cun)位(wei)寬(kuan)(kuan)：顯(xian)存(cun)(cun)位(wei)寬(kuan)(kuan)表示(shi)一個時(shi)鐘周期內所能傳送(song)數(shu)據的位(wei)數(shu)，位(wei)數(shu)越大則傳輸量越大，常見的有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)(cun)頻率相當情況下，顯(xian)存(cun)(cun)位(wei)寬(kuan)(kuan)決定(ding)著帶(dai)寬(kuan)(kuan)的大小。

4、顯(xian)(xian)(xian)存(cun)類(lei)型(xing)：顯(xian)(xian)(xian)存(cun)類(lei)型(xing)主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒(li)主要應(ying)用(yong)在低端顯(xian)(xian)(xian)卡(ka)上，頻(pin)率一般不超過(guo)200MHz；DDR SDRAM是(shi)主流；DDR SGRAM適(shi)合繪圖專用(yong)。

5、散(san)熱(re)設計：散(san)熱(re)系統的好壞直接(jie)決(jue)定(ding)(ding)了性能發(fa)揮的穩定(ding)(ding)性，被動式噪(zao)音低，適合低頻率顯(xian)卡；主動式有散(san)熱(re)片(pian)和風扇，適合高(gao)頻率顯(xian)卡；導流式適合高(gao)檔游戲(xi)顯(xian)卡。