1、顯卡(ka)芯(xin)片:顯卡(ka)核(he)心型號差一(yi)檔,性(xing)能也(ye)就差了一(yi)檔,所以可根據核(he)心型號來判(pan)斷顯卡(ka)的高低,例如,N卡(ka)型號的前綴一(yi)共(gong)有(you)GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后的兩位數(shu)或(huo)一(yi)位數(shu)代表代數(shu),再其(qi)后兩位數(shu)越大,表示(shi)同代中的性(xing)能就越強(qiang),后綴有(you)Ti、SE、M、MX,分別表示(shi)加強(qiang)版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移動版(ban)(ban)、移動加強(qiang)版(ban)(ban)。
2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi):流(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi)是顯卡(ka)(ka)的核心,直(zhi)接影響(xiang)處(chu)(chu)理(li)能(neng)力(li),對于(yu)N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說,流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)個(ge)數(shu)越(yue)多則處(chu)(chu)理(li)能(neng)力(li)越(yue)強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)可(ke)采取近似比較,N卡(ka)(ka)的1個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)相(xiang)當于(yu)AMD的5個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)。
3、顯存(cun)位(wei)寬:顯存(cun)位(wei)寬表(biao)示一(yi)個時(shi)鐘(zhong)周期內(nei)所能(neng)傳(chuan)送數(shu)(shu)據的位(wei)數(shu)(shu),位(wei)數(shu)(shu)越(yue)大則傳(chuan)輸量越(yue)大,常見的有(you)64位(wei)、128位(wei)和(he)256位(wei)顯卡。在顯存(cun)頻率相(xiang)當情況下(xia),顯存(cun)位(wei)寬決定著帶寬的大小。
4、顯(xian)存(cun)(cun)類型:顯(xian)存(cun)(cun)類型主(zhu)要(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主(zhu)要(yao)應用在低端(duan)顯(xian)卡上,頻(pin)率(lv)一(yi)般不超過200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)流(liu);DDR SGRAM適合(he)繪(hui)圖專用。
5、散(san)(san)熱(re)設計:散(san)(san)熱(re)系統(tong)的好壞直接決(jue)定了(le)性能(neng)發揮的穩定性,被動(dong)式噪音(yin)低(di),適合(he)低(di)頻率顯(xian)卡;主(zhu)動(dong)式有散(san)(san)熱(re)片(pian)和風(feng)扇,適合(he)高頻率顯(xian)卡;導流式適合(he)高檔(dang)游(you)戲(xi)顯(xian)卡。