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1、顯(xian)卡(ka)芯片(pian):顯(xian)卡(ka)核(he)心(xin)型號差(cha)一(yi)檔(dang),性(xing)能也就差(cha)了(le)一(yi)檔(dang),所以(yi)可(ke)根據(ju)核(he)心(xin)型號來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)(de)高(gao)低,例如,N卡(ka)型號的(de)(de)前綴一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其(qi)(qi)后(hou)的(de)(de)兩(liang)位(wei)數或(huo)一(yi)位(wei)數代(dai)(dai)表代(dai)(dai)數,再其(qi)(qi)后(hou)兩(liang)位(wei)數越(yue)(yue)大(da),表示同代(dai)(dai)中的(de)(de)性(xing)能就越(yue)(yue)強,后(hou)綴有(you)Ti、SE、M、MX,分別表示加強版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移(yi)動版(ban)(ban)、移(yi)動加強版(ban)(ban)。

2、流(liu)處(chu)理器:流(liu)處(chu)理器是(shi)顯(xian)卡(ka)(ka)(ka)的核心,直接(jie)影響處(chu)理能力(li),對于N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)來說(shuo),流(liu)處(chu)理單元(yuan)(yuan)個數越多則處(chu)理能力(li)越強。N卡(ka)(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)(ka)的流(liu)處(chu)理單元(yuan)(yuan)可采取近(jin)似比較,N卡(ka)(ka)(ka)的1個流(liu)處(chu)理單元(yuan)(yuan)相當于AMD的5個流(liu)處(chu)理單元(yuan)(yuan)。

3、顯(xian)存位(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)存位(wei)(wei)寬(kuan)表示一個時鐘(zhong)周(zhou)期內所能傳(chuan)送數據的位(wei)(wei)數,位(wei)(wei)數越(yue)大(da)則傳(chuan)輸量(liang)越(yue)大(da),常(chang)見的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存頻(pin)率相當(dang)情況下,顯(xian)存位(wei)(wei)寬(kuan)決(jue)定(ding)著(zhu)帶(dai)寬(kuan)的大(da)小。

4、顯存類型(xing):顯存類型(xing)主(zhu)(zhu)要有(you)SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主(zhu)(zhu)要應(ying)用在低端顯卡上,頻率一般不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)(zhu)流;DDR SGRAM適合繪圖(tu)專(zhuan)用。

5、散熱(re)設計:散熱(re)系統的(de)(de)好壞(huai)直接決定(ding)了性能發(fa)揮的(de)(de)穩定(ding)性,被(bei)動(dong)(dong)式噪音(yin)低,適合低頻率(lv)顯(xian)卡;主動(dong)(dong)式有散熱(re)片和風(feng)扇(shan),適合高頻率(lv)顯(xian)卡;導流式適合高檔游戲顯(xian)卡。

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