1、顯(xian)(xian)卡芯(xin)片:顯(xian)(xian)卡核(he)心型號差一檔,性能也就差了(le)一檔,所以可根據核(he)心型號來(lai)判斷顯(xian)(xian)卡的(de)高低,例如,N卡型號的(de)前綴(zhui)一共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后(hou)的(de)兩位(wei)數(shu)或一位(wei)數(shu)代表(biao)代數(shu),再其(qi)后(hou)兩位(wei)數(shu)越大(da),表(biao)示同代中(zhong)的(de)性能就越強(qiang),后(hou)綴(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX,分(fen)別表(biao)示加(jia)強(qiang)版、閹(yan)割版、移(yi)動版、移(yi)動加(jia)強(qiang)版。
2、流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)器:流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)器是顯卡(ka)(ka)的(de)核心,直接影響處(chu)理(li)(li)能(neng)(neng)力,對于N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說,流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)個數(shu)越多則處(chu)理(li)(li)能(neng)(neng)力越強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)可采取近似比較,N卡(ka)(ka)的(de)1個流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)相當于AMD的(de)5個流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)表示一個時(shi)鐘周期內所能傳送數據(ju)的(de)位(wei)(wei)(wei)數,位(wei)(wei)(wei)數越大則傳輸量(liang)越大,常見(jian)的(de)有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡(ka)。在顯(xian)存(cun)頻率相(xiang)當情況下(xia),顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的(de)大小(xiao)。
4、顯(xian)存類(lei)型:顯(xian)存類(lei)型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要應用在低端顯(xian)卡上(shang),頻率一般不(bu)超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適(shi)合繪圖專用。
5、散(san)熱設(she)計:散(san)熱系統的(de)好壞(huai)直接決定(ding)了性能發揮的(de)穩定(ding)性,被動式(shi)噪(zao)音低(di),適(shi)合(he)低(di)頻率顯(xian)(xian)卡(ka);主(zhu)動式(shi)有散(san)熱片和風扇(shan),適(shi)合(he)高頻率顯(xian)(xian)卡(ka);導流式(shi)適(shi)合(he)高檔游戲顯(xian)(xian)卡(ka)。