一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指由晶體(ti)管和發射極構成(cheng)的(de)(de)半導(dao)體(ti)元件，用(yong)于控制電子(zi)電路中的(de)(de)電流和電壓，作為(wei)新(xin)興的(de)(de)高科技產(chan)業，現已發展成(cheng)為(wei)一個具有(you)重要經濟意義的(de)(de)產(chan)業，擁有(you)廣闊的(de)(de)發展前景(jing)。

IGBT被譽為“電力電子裝置的(de)CPU”，應用廣泛，隨(sui)著智(zhi)能家居、智(zhi)能照明、新能源(yuan)汽車等新興行(xing)業的(de)興起，IGBT的(de)應用需(xu)求(qiu)越來越大(da)；同時，國家對IGBT功率器(qi)件行(xing)業也提(ti)供了大(da)力支(zhi)持，在IGBT功率器(qi)件行(xing)業的(de)發展中，國產企業的(de)發展受到了政府(fu)新政策、資金支(zhi)持和技(ji)術支(zhi)持的(de)推動。

預計(ji)未來(lai)幾年，我國的IGBT行業(ye)將取得較(jiao)快的發展(zhan)，行業(ye)市(shi)場規模將繼續(xu)擴大，市(shi)場競爭也(ye)將更加激烈，未來(lai)發展(zhan)前景非常樂觀(guan)。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨(sui)著新技(ji)術、新材料(liao)及新工藝的出現，CAD設(she)計(ji)、離子注入(ru)、多層金屬化(hua)、納米級光刻(ke)等先進工藝技(ji)術應用到功(gong)IGBT器件中，IGBT設(she)計(ji)技(ji)術將(jiang)不斷得到推(tui)動和(he)提升。未來，IGBT器件的應用將(jiang)非(fei)常廣泛，涉及生(sheng)活的方方面(mian)(mian)面(mian)(mian)，這也是中國(guo)看好的原因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能得到國家的(de)重視，這得益于它在(zai)工控和(he)(he)新(xin)能源(yuan)(yuan)等(deng)領域(yu)的(de)作用(yong)(yong)。IGBT在(zai)國內的(de)主(zhu)(zhu)要(yao)應用(yong)(yong)領域(yu)是(shi)在(zai)工業(ye)、電(dian)器(qi)和(he)(he)新(xin)能源(yuan)(yuan)等(deng)。工業(ye)方(fang)(fang)面(mian)有用(yong)(yong)于電(dian)焊機、工業(ye)加熱和(he)(he)電(dian)鍍電(dian)源(yuan)(yuan)；電(dian)器(qi)方(fang)(fang)面(mian)包(bao)括(kuo)電(dian)磁爐、商用(yong)(yong)電(dian)磁爐、變(bian)頻(pin)空調和(he)(he)變(bian)頻(pin)冰(bing)箱；新(xin)能源(yuan)(yuan)方(fang)(fang)面(mian)主(zhu)(zhu)要(yao)是(shi)風力發電(dian)和(he)(he)電(dian)動汽車(che)。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊，在發展趨勢和發展方向上，從行業整體發展規律而言，IGBT發展趨勢主要是降低損(sun)耗和(he)降低成(cheng)本；從結構(gou)上講，IGBT主要有三個發展方向(xiang)：

1、IGBT縱向結構(gou)：非透(tou)明集電(dian)區NPT型、帶(dai)緩沖層(ceng)的PT型、透(tou)明集電(dian)區NPT型和FS電(dian)場截止(zhi)型。

2、IGBT棚極結(jie)構：平面棚機構、Trench溝槽型結(jie)構。

3、硅片(pian)加工工藝：外延生長技術、區熔(rong)硅單(dan)晶(jing)。