一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指由晶體管和(he)發射極(ji)構成的(de)(de)半導體元件，用于控制電(dian)子(zi)電(dian)路中的(de)(de)電(dian)流(liu)和(he)電(dian)壓，作(zuo)為新興的(de)(de)高(gao)科技產業(ye)，現已發展(zhan)成為一(yi)個(ge)具有重要經(jing)濟意義的(de)(de)產業(ye)，擁有廣闊的(de)(de)發展(zhan)前景。

IGBT被譽為(wei)“電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子(zi)裝置的CPU”，應用廣泛，隨著智能家居、智能照明、新能源汽車等(deng)新興行(xing)(xing)業(ye)(ye)的興起，IGBT的應用需求越來越大(da)；同時，國家對IGBT功(gong)率器(qi)件行(xing)(xing)業(ye)(ye)也提供(gong)了大(da)力支持，在IGBT功(gong)率器(qi)件行(xing)(xing)業(ye)(ye)的發(fa)展(zhan)中，國產企(qi)業(ye)(ye)的發(fa)展(zhan)受(shou)到(dao)了政府(fu)新政策、資金支持和技術支持的推(tui)動。

預計未來幾年，我國的IGBT行(xing)業(ye)將取得較快的發展，行(xing)業(ye)市場規模將繼續(xu)擴大，市場競爭也將更加(jia)激烈，未來發展前景非(fei)常樂觀(guan)。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨著新技(ji)術(shu)、新材(cai)料(liao)及(ji)新工藝的(de)出現，CAD設(she)計、離子(zi)注入、多層金屬化、納米級光刻等先進工藝技(ji)術(shu)應用(yong)到功IGBT器(qi)件中，IGBT設(she)計技(ji)術(shu)將不(bu)斷得(de)到推動和提升。未(wei)來，IGBT器(qi)件的(de)應用(yong)將非常廣(guang)泛，涉及(ji)生(sheng)活(huo)的(de)方方面面，這也是中國看好(hao)的(de)原因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能得(de)到國家的重視，這得(de)益于它(ta)在(zai)工(gong)控和(he)(he)(he)新(xin)能源(yuan)等領域的作用(yong)(yong)。IGBT在(zai)國內的主(zhu)要應用(yong)(yong)領域是(shi)在(zai)工(gong)業、電(dian)(dian)器和(he)(he)(he)新(xin)能源(yuan)等。工(gong)業方(fang)(fang)(fang)面有用(yong)(yong)于電(dian)(dian)焊(han)機(ji)、工(gong)業加(jia)熱和(he)(he)(he)電(dian)(dian)鍍電(dian)(dian)源(yuan)；電(dian)(dian)器方(fang)(fang)(fang)面包括(kuo)電(dian)(dian)磁(ci)爐、商用(yong)(yong)電(dian)(dian)磁(ci)爐、變頻(pin)空(kong)調和(he)(he)(he)變頻(pin)冰箱；新(xin)能源(yuan)方(fang)(fang)(fang)面主(zhu)要是(shi)風力(li)發電(dian)(dian)和(he)(he)(he)電(dian)(dian)動汽車。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊，在發展趨勢和發展方向上，從行業整體發展規律而言，IGBT發展(zhan)(zhan)趨勢主要是降低(di)損耗和降低(di)成(cheng)本；從結構上講，IGBT主要有三個發展(zhan)(zhan)方向：

1、IGBT縱向結構：非透明集電區NPT型(xing)(xing)(xing)、帶緩沖(chong)層的PT型(xing)(xing)(xing)、透明集電區NPT型(xing)(xing)(xing)和FS電場截止型(xing)(xing)(xing)。

2、IGBT棚極結構(gou)：平面(mian)棚機構(gou)、Trench溝槽型結構(gou)。

3、硅片(pian)加(jia)工工藝(yi)：外延生長技術、區熔硅單晶。