一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是(shi)(shi)IGBT芯片、IGBT單(dan)(dan)管(guan)和IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)的統稱，IGBT單(dan)(dan)管(guan)和IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)都是(shi)(shi)由IGBT芯片制(zhi)成的，它們的控(kong)制(zhi)電路是(shi)(shi)一樣的，作用(yong)和工作原理也基(ji)本(ben)一樣，IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)可以看(kan)成是(shi)(shi)多(duo)個(ge)IGBT單(dan)(dan)管(guan)集成的模(mo)(mo)塊(kuai)，那么它們有啥區別呢？

1、IGBT單管：IGBT單(dan)管是分立IGBT，封裝(zhuang)較模(mo)塊小，電流通(tong)常(chang)在50A以下，它的的封裝(zhuang)形式比較簡單(dan)，只有一(yi)個(ge)IGBT晶體管，一(yi)個(ge)反向(xiang)恢(hui)復二極管和一(yi)個(ge)可選的溫度傳(chuan)感器。

2、IGBT模塊：IGBT模塊是模塊化封裝(zhuang)的IGBT芯片，封裝(zhuang)形式比(bi)較復雜，除了IGBT晶體管，反向恢復二極(ji)管，溫度傳(chuan)感器(qi)外，還有漏電感，濾波電容器(qi)，放大(da)器(qi)，控制電路等。

除此(ci)之(zhi)外，IGBT單管(guan)和(he)IGBT模(mo)塊(kuai)的(de)區別還有：IGBT單管(guan)的(de)功耗比IGBT模(mo)塊(kuai)低，IGBT模(mo)塊(kuai)的(de)可靠性比IGBT單管(guan)更高。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應(ying)用(yong)IGBT的(de)時候，用(yong)IGBT單(dan)管還是IGBT模塊主要看應(ying)用(yong)領域的(de)需(xu)求，一般來說，不建議用(yong)IGBT單(dan)管代(dai)替IGBT模塊，原因主要有(you)兩點：

1、IGBT單管的散(san)熱條(tiao)件沒有IGBT模塊的散(san)熱條(tiao)件好(hao)。

2、就制作來說，IGBT模塊的(de)一致性比IGBT單管(guan)的(de)一致性好，IGBT模(mo)塊中(zhong)，IGBT芯片(pian)(pian)(pian)的(de)并聯(lian)(lian)排線肯定比單管(guan)的(de)好，會降低很多雜散參數(shu)，IGBT模(mo)塊并聯(lian)(lian)的(de)芯片(pian)(pian)(pian)都是(shi)同一片(pian)(pian)(pian)wafer上取出相鄰的(de)IGBT芯片(pian)(pian)(pian)，IGBT芯片(pian)(pian)(pian)參數(shu)非(fei)常(chang)相似，如果換成單管(guan)，那就不(bu)一定了。

當(dang)然，要用(yong)IGBT單管代替IGBT模塊也不是(shi)不行(xing)，只(zhi)是(shi)余量要留大一些。