一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是(shi)IGBT芯片、IGBT單(dan)管和IGBT模(mo)(mo)塊的(de)統稱，IGBT單(dan)管和IGBT模(mo)(mo)塊都(dou)是(shi)由IGBT芯片制成的(de)，它們的(de)控制電路是(shi)一樣的(de)，作(zuo)(zuo)用和工(gong)作(zuo)(zuo)原理也(ye)基本(ben)一樣，IGBT模(mo)(mo)塊可以(yi)看成是(shi)多(duo)個IGBT單(dan)管集成的(de)模(mo)(mo)塊，那么它們有啥區(qu)別呢？

1、IGBT單管：IGBT單管是分立IGBT，封裝(zhuang)較模塊小(xiao)，電(dian)流通常在50A以(yi)下，它的的封裝(zhuang)形(xing)式比較簡單，只有一(yi)(yi)個IGBT晶體管，一(yi)(yi)個反向恢復二極管和一(yi)(yi)個可(ke)選的溫度傳感器(qi)。

2、IGBT模塊：IGBT模塊(kuai)是(shi)模塊(kuai)化封裝的(de)IGBT芯片，封裝形式比較復雜，除(chu)了IGBT晶體管，反(fan)向恢復二極管，溫度傳感器外，還(huan)有漏電感，濾(lv)波電容器，放(fang)大器，控制電路等。

除此之外，IGBT單(dan)管(guan)(guan)(guan)和(he)IGBT模塊的區(qu)別還有：IGBT單(dan)管(guan)(guan)(guan)的功耗比IGBT模塊低，IGBT模塊的可靠(kao)性比IGBT單(dan)管(guan)(guan)(guan)更(geng)高。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應用IGBT的時候，用IGBT單管(guan)還是IGBT模塊主(zhu)要(yao)(yao)看應用領域的需求，一(yi)般來說(shuo)，不建(jian)議用IGBT單管(guan)代替IGBT模塊，原因主(zhu)要(yao)(yao)有兩點：

1、IGBT單管的(de)散熱條件沒有IGBT模塊的(de)散熱條件好。

2、就制作來說，IGBT模塊的(de)一(yi)致性比IGBT單管(guan)的(de)一(yi)致性好(hao)，IGBT模塊(kuai)(kuai)中(zhong)，IGBT芯(xin)(xin)片(pian)的(de)并聯(lian)排線肯(ken)定比單管(guan)的(de)好(hao)，會降低很多雜散參(can)數，IGBT模塊(kuai)(kuai)并聯(lian)的(de)芯(xin)(xin)片(pian)都是同一(yi)片(pian)wafer上取出相鄰的(de)IGBT芯(xin)(xin)片(pian)，IGBT芯(xin)(xin)片(pian)參(can)數非常相似(si)，如果換成單管(guan)，那(nei)就(jiu)不一(yi)定了(le)。

當然(ran)，要用IGBT單管代替(ti)IGBT模塊(kuai)也不(bu)是(shi)(shi)不(bu)行，只是(shi)(shi)余量要留(liu)大一(yi)些。