一、igbt屬于什么器件

IGBT，即Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻譯過(guo)來是絕緣柵雙極晶(jing)體管，是半導體領(ling)域里分立器件(jian)中特別重要的一(yi)個分支。

IGBT屬于電(dian)(dian)(dian)(dian)壓控制器(qi)(qi)件，是由BJT和MOSFET組成的(de)(de)復合功率半導體(ti)器(qi)(qi)件，它能夠(gou)根(gen)據工業裝置中的(de)(de)信(xin)號指令來調節電(dian)(dian)(dian)(dian)路中的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)、頻(pin)率、相位等，以實現(xian)精(jing)準(zhun)調控的(de)(de)目的(de)(de)，廣泛應用(yong)于電(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)節能、軌道(dao)交通(tong)、智能電(dian)(dian)(dian)(dian)網、航(hang)空航(hang)天、家用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)器(qi)(qi)、汽車(che)電(dian)(dian)(dian)(dian)子、新能源發(fa)電(dian)(dian)(dian)(dian)、新能源汽車(che)等領(ling)域。

二、igbt有幾種類型

IGBT是(shi)半導體器件，它的應用廣泛，種類也有(you)很多，按(an)照不同的分(fen)類方法可(ke)分(fen)為不同類型：

1、在應用層面根據電壓等級劃分

（1）低壓IGBT：指(zhi)電壓等(deng)級在1000V以(yi)內的(de)IGBT器件，例如常見的(de)650V應用(yong)于新能源汽車、家電、工(gong)業變頻等(deng)領域。

（2）中壓(ya)IGBT：指電(dian)壓(ya)等(deng)級(ji)在(zai)1000-1700V區間(jian)的(de)IGBT器(qi)件，如1200V應用于光伏、電(dian)磁爐、家電(dian)、焊機、工業變頻器(qi)和新能(neng)源汽車(che)領域，1700V應用于光伏和風電(dian)領域。

（3）高壓(ya)IGBT：指電(dian)壓(ya)等級(ji)3300V及(ji)以上(shang)的IGBT器件，比如3300V和(he)6500V應用(yong)于高鐵、動車、智能電(dian)網，以及(ji)工業電(dian)機等領域。

2、在產品層面根據封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝(zhuang)規模(mo)較小，一般指封裝(zhuang)單顆IGBT芯片，電流通常在50A以(yi)下，適用于消費、工業家電領域。

（2）IGBT模塊：IGBT最(zui)常(chang)見的形(xing)式，是將多個IGBT芯片集(ji)成封裝(zhuang)在(zai)一(yi)起，功(gong)率(lv)(lv)更大、散熱能(neng)力(li)更強，適用于高壓大功(gong)率(lv)(lv)平(ping)臺，如新能(neng)源車、光伏、高鐵等。

（3）功(gong)(gong)率集成(cheng)(cheng)（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱(re)器、電容(rong)等外(wai)圍組(zu)件，組(zu)成(cheng)(cheng)一個功(gong)(gong)能(neng)較(jiao)為完整和復雜(za)的(de)智(zhi)能(neng)功(gong)(gong)率模塊。

3、根據是否具有N+緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱(cheng)PT-IGBT、非對稱(cheng)IGBT，在發(fa)射極接(jie)觸處具有(you)N+區，具有(you)不對稱(cheng)的(de)電(dian)(dian)壓阻斷能(neng)力(li)，即正向(xiang)(xiang)(xiang)和反向(xiang)(xiang)(xiang)擊穿(chuan)(chuan)電(dian)(dian)壓不同。非對稱(cheng)IGBT的(de)反向(xiang)(xiang)(xiang)擊穿(chuan)(chuan)電(dian)(dian)壓小于(yu)其正向(xiang)(xiang)(xiang)擊穿(chuan)(chuan)電(dian)(dian)壓，同時(shi)具有(you)更快的(de)切換速度。穿(chuan)(chuan)通IGBT是(shi)單(dan)向(xiang)(xiang)(xiang)的(de)，不能(neng)處理反向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)壓。因此，它們(men)被用于(yu)逆變器(qi)(qi)和斬波器(qi)(qi)電(dian)(dian)路等直流電(dian)(dian)路中。

（2）非(fei)穿通IGBT：又稱(cheng)NPT-IGBT、對稱(cheng)IGBT，它(ta)沒有由發射極接觸額外的N+區域，結(jie)構的對稱(cheng)性提供了(le)對稱(cheng)的擊(ji)穿電(dian)(dian)壓特性，即正向和(he)反向擊(ji)穿電(dian)(dian)壓相等(deng)。由于(yu)這個原(yuan)因，它(ta)們被用于(yu)交(jiao)流電(dian)(dian)路(lu)。