一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功(gong)率模塊，具有(you)輸入阻抗大、驅動功(gong)率小、控制電路簡單(dan)、開關損耗小、通斷(duan)速度快、工作頻率高等優點，那么IGBT功(gong)率模塊的價格是多少呢？

一(yi)般一(yi)個(ge)IGBT功率模塊，其價(jia)格(ge)主要(yao)受(shou)到(dao)它的(de)生(sheng)產(chan)廠(chang)家、電(dian)壓(ya)電(dian)流(liu)等參(can)數、設計(ji)、性能(neng)等因素的(de)影(ying)響，市(shi)場價(jia)從一(yi)兩百元一(yi)個(ge)到(dao)兩三(san)千元一(yi)個(ge)的(de)都(dou)有。（以上(shang)價(jia)格(ge)來(lai)源網絡，僅(jin)供參(can)考）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊在選型時，主要考慮以下三個(ge)方(fang)面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相(xiang)380V輸入電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)經(jing)過整流(liu)和濾波后，直(zhi)流(liu)母線(xian)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)最大值：在開關工作的(de)條件(jian)下，IGBT的(de)額定電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)一般要求高于直(zhi)流(liu)母線(xian)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)兩倍，根據IGBT規(gui)格的(de)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)等(deng)級，選擇1200V電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)等(deng)級的(de)IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為(wei)例，負(fu)載(zai)電(dian)流(liu)約為(wei)79A，由于(yu)負(fu)載(zai)電(dian)氣啟動或加速(su)時(shi)，電(dian)流(liu)過載(zai)，一般(ban)要求(qiu)1分鐘的時(shi)間內，承受1.5倍的過流(liu)，擇最(zui)大負(fu)載(zai)電(dian)流(liu)約為(wei)119A，建議選擇150A電(dian)流(liu)等級的IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變頻器的(de)開關頻率一般小于10kHZ，而在實際工(gong)作(zuo)的(de)過程中，IGBT的(de)通(tong)態損(sun)耗(hao)所占比(bi)重比(bi)較大(da)，建議選擇低通(tong)態型(xing)IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選型時，還要考(kao)慮是否符(fu)合下(xia)面四個(ge)基本要求：

1、安全工作區

在(zai)安全(quan)(quan)上面，主要(yao)指的(de)(de)(de)(de)(de)就(jiu)是電的(de)(de)(de)(de)(de)特性(xing)，除了常規的(de)(de)(de)(de)(de)變壓電流以外，還有(you)RBSOA（反向偏置安全(quan)(quan)工作(zuo)區）和(he)(he)短路(lu)時候的(de)(de)(de)(de)(de)保護(hu)。這(zhe)(zhe)個(ge)是開通和(he)(he)關斷時候的(de)(de)(de)(de)(de)波形，這(zhe)(zhe)個(ge)是相(xiang)關的(de)(de)(de)(de)(de)開通和(he)(he)關斷時候的(de)(de)(de)(de)(de)定(ding)義。我們做(zuo)設計時結(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求，比如長期工作(zuo)必(bi)須保證(zheng)溫(wen)度在(zai)安全(quan)(quan)結(jie)溫(wen)之內，做(zuo)到這(zhe)(zhe)個(ge)保證(zheng)的(de)(de)(de)(de)(de)前提(ti)是需(xu)要(yao)把這(zhe)(zhe)個(ge)模(mo)塊(kuai)相(xiang)關的(de)(de)(de)(de)(de)應用參(can)數(shu)提(ti)供出來。這(zhe)(zhe)樣結(jie)合這(zhe)(zhe)個(ge)參(can)數(shu)以后，結(jie)合選擇的(de)(de)(de)(de)(de)IGBT的(de)(de)(de)(de)(de)芯片，還有(you)封裝和(he)(he)電流，來計算產品的(de)(de)(de)(de)(de)功耗和(he)(he)結(jie)溫(wen)，是否(fou)滿足安全(quan)(quan)結(jie)溫(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)需(xu)求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可(ke)靠性，就是(shi)壽(shou)命問題。你可(ke)以看到50赫(he)茲(zi)波動量非(fei)常小，這個壽(shou)命才長(chang)。

3、封裝要求

封裝(zhuang)要求主要體(ti)現在外部封裝(zhuang)材料上面(mian)，在結構(gou)上面(mian)，其實也(ye)會和封裝(zhuang)相關，因為設計的(de)(de)時(shi)候會布(bu)局和結構(gou)的(de)(de)問題，不同的(de)(de)設計它的(de)(de)差異(yi)性很大。

4、可靠性要求

可(ke)靠性(xing)問題，前(qian)面說(shuo)到(dao)(dao)了(le)結(jie)溫(wen)波(bo)動(dong)，其中(zhong)最擔心就是結(jie)溫(wen)波(bo)動(dong)以(yi)后，會影響到(dao)(dao)這個(ge)綁定線和(he)硅(gui)片(pian)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)焊(han)接，時間(jian)(jian)久了(le)，這兩種材(cai)料(liao)本身之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)熱抗系數都有差(cha)異(yi)，所(suo)以(yi)在(zai)(zai)結(jie)溫(wen)波(bo)動(dong)情況下，長(chang)時間(jian)(jian)下來，如果工藝不好的(de)(de)話，就會出(chu)現(xian)裂痕甚至斷裂，這樣就會影響保護(hu)壓降，進一步導致IGBT失效。第(di)二(er)個(ge)就是熱循環，主(zhu)要(yao)體現(xian)在(zai)(zai)硅(gui)片(pian)和(he)DCB這個(ge)材(cai)料(liao)之(zhi)間(jian)(jian)，他們之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)差(cha)異(yi)性(xing)。