一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成(cheng)的功(gong)(gong)率(lv)模(mo)(mo)塊(kuai)，具有輸入阻(zu)抗大、驅動功(gong)(gong)率(lv)小(xiao)(xiao)、控制電路簡(jian)單、開關損耗(hao)小(xiao)(xiao)、通斷速度快(kuai)、工作頻(pin)率(lv)高等優點(dian)，那么IGBT功(gong)(gong)率(lv)模(mo)(mo)塊(kuai)的價格是多少呢？

一(yi)(yi)般一(yi)(yi)個(ge)IGBT功率模塊，其價(jia)格主要受到它的(de)生(sheng)產廠(chang)家、電(dian)壓電(dian)流等參(can)數、設計(ji)、性能等因(yin)素的(de)影響，市場價(jia)從一(yi)(yi)兩百(bai)元一(yi)(yi)個(ge)到兩三千元一(yi)(yi)個(ge)的(de)都有(you)。（以上(shang)價(jia)格來(lai)源網(wang)絡，僅供參(can)考）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模(mo)塊(kuai)在選(xuan)型(xing)時，主要考慮以下三個方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相(xiang)380V輸入電(dian)壓(ya)(ya)(ya)經過整流(liu)和濾波后，直(zhi)(zhi)流(liu)母(mu)線電(dian)壓(ya)(ya)(ya)的(de)(de)最大(da)值：在開(kai)關工作的(de)(de)條件下，IGBT的(de)(de)額定(ding)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)一般要求高于直(zhi)(zhi)流(liu)母(mu)線電(dian)壓(ya)(ya)(ya)的(de)(de)兩倍，根據IGBT規(gui)格(ge)的(de)(de)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)等級，選擇1200V電(dian)壓(ya)(ya)(ya)等級的(de)(de)IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為(wei)例，負(fu)載電流約為(wei)79A，由于(yu)負(fu)載電氣啟動或加(jia)速時，電流過載，一般要求1分(fen)鐘的時間內(nei)，承受1.5倍的過流，擇最大負(fu)載電流約為(wei)119A，建議選擇150A電流等級的IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變頻器的(de)開(kai)關頻率一(yi)般小于(yu)10kHZ，而在(zai)實際工作的(de)過程中，IGBT的(de)通態損(sun)耗所(suo)占(zhan)比(bi)重比(bi)較大，建議(yi)選擇(ze)低通態型(xing)IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選型時(shi)，還要考慮是否符合下(xia)面(mian)四個基本要求：

1、安全工作區

在安(an)全(quan)(quan)上面，主(zhu)要指的(de)(de)就是(shi)(shi)(shi)電(dian)的(de)(de)特(te)性，除(chu)了常(chang)規(gui)的(de)(de)變壓電(dian)流(liu)以外，還有RBSOA（反(fan)向(xiang)偏(pian)置安(an)全(quan)(quan)工作區）和短路時(shi)(shi)候(hou)的(de)(de)保(bao)(bao)護。這個(ge)是(shi)(shi)(shi)開通和關(guan)斷(duan)時(shi)(shi)候(hou)的(de)(de)波(bo)形，這個(ge)是(shi)(shi)(shi)相(xiang)關(guan)的(de)(de)開通和關(guan)斷(duan)時(shi)(shi)候(hou)的(de)(de)定義。我們做(zuo)設計時(shi)(shi)結溫的(de)(de)要求(qiu)，比如長期工作必須(xu)保(bao)(bao)證溫度在安(an)全(quan)(quan)結溫之內，做(zuo)到這個(ge)保(bao)(bao)證的(de)(de)前提是(shi)(shi)(shi)需要把(ba)這個(ge)模(mo)塊(kuai)相(xiang)關(guan)的(de)(de)應用參數(shu)(shu)提供(gong)出來。這樣結合這個(ge)參數(shu)(shu)以后，結合選擇的(de)(de)IGBT的(de)(de)芯片，還有封裝和電(dian)流(liu)，來計算產品的(de)(de)功(gong)耗和結溫，是(shi)(shi)(shi)否(fou)滿足安(an)全(quan)(quan)結溫的(de)(de)需求(qiu)。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠(kao)性，就是壽命(ming)問題。你可以看(kan)到50赫茲波動量非常小，這(zhe)個壽命(ming)才長。

3、封裝要求

封裝(zhuang)要(yao)求主要(yao)體現在外部封裝(zhuang)材料上面，在結(jie)構上面，其實(shi)也會和封裝(zhuang)相關，因(yin)為(wei)設(she)計的時候(hou)會布局和結(jie)構的問題，不同(tong)的設(she)計它的差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問題(ti)，前面說到了結溫(wen)波動，其中最擔心就是結溫(wen)波動以后(hou)，會影(ying)響到這(zhe)個綁定線和硅片之間(jian)(jian)的(de)焊接，時間(jian)(jian)久了，這(zhe)兩種(zhong)材料(liao)本身之間(jian)(jian)的(de)熱抗系數都有差異(yi)，所以在(zai)結溫(wen)波動情況(kuang)下，長時間(jian)(jian)下來，如果(guo)工藝不好的(de)話(hua)，就會出現(xian)裂痕(hen)甚至斷裂，這(zhe)樣(yang)就會影(ying)響保護(hu)壓降，進一步(bu)導致IGBT失效。第(di)二個就是熱循環，主要(yao)體現(xian)在(zai)硅片和DCB這(zhe)個材料(liao)之間(jian)(jian)，他們之間(jian)(jian)的(de)差異(yi)性。