一、igbt是什么意思

igbt是(shi)英文Insulated Gate Bipolar Transistor的首(shou)字母縮(suo)寫，翻譯過來的中文全稱(cheng)是(shi)絕(jue)緣(yuan)柵雙極型(xing)(xing)晶體管，是(shi)由雙極型(xing)(xing)三(san)極管和絕(jue)緣(yuan)柵型(xing)(xing)場(chang)效應管組成的復合全控型(xing)(xing)電壓驅動式(shi)功率半導(dao)體器(qi)件(jian)，是(shi)能(neng)源變(bian)換與傳輸的核心器(qi)件(jian)。

IGBT俗(su)稱(cheng)電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子裝(zhuang)置的“CPU”，具(ju)有驅動功率(lv)小而飽(bao)和壓降低的優點，非常適合應用(yong)于直流(liu)電(dian)(dian)(dian)壓為600V及(ji)以上(shang)的變流(liu)系(xi)統如交流(liu)電(dian)(dian)(dian)機(ji)、變頻器、開關電(dian)(dian)(dian)源、照明電(dian)(dian)(dian)路(lu)、牽(qian)引(yin)傳動等領域(yu)，作為國家戰略(lve)性新(xin)興產業(ye)，在軌道交通、智能(neng)電(dian)(dian)(dian)網、航空航天(tian)、電(dian)(dian)(dian)動汽(qi)車與新(xin)能(neng)源裝(zhuang)備等領域(yu)應用(yong)極廣。

二、IGBT模塊是什么意思

IGBT是(shi)(shi)一種半導體器(qi)件，應(ying)用于高功率、高頻率的電(dian)力(li)電(dian)子(zi)設備中，igbt模塊則是(shi)(shi)由多個IGBT芯片、驅動電(dian)路、保(bao)護電(dian)路、散熱器(qi)、連接(jie)器(qi)等組成的模塊化(hua)電(dian)子(zi)元件。

IGBT模塊具(ju)有節能、安裝(zhuang)維修方(fang)便(bian)、散熱穩定等(deng)特點(dian)，封裝(zhuang)后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不(bu)間斷(duan)電源(yuan)等(deng)設(she)備(bei)上。

IGBT芯片通(tong)常不(bu)會單獨使用(yong)，而是模(mo)(mo)塊(kuai)化使用(yong)，模(mo)(mo)塊(kuai)化處理通(tong)過(guo)內(nei)部的(de)絕緣(yuan)隔離結(jie)構(gou)，使IGBT芯片與外界隔離，以防止外界的(de)干擾和電(dian)磁(ci)干擾。同時(shi)，模(mo)(mo)塊(kuai)內(nei)部的(de)驅動電(dian)路和保(bao)護電(dian)路可以有效地(di)控制和保(bao)護IGBT芯片，提高設備(bei)的(de)可靠性和安全性。

三、什么是IGBT功率模塊

IGBT功(gong)率(lv)(lv)模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)采(cai)用(yong)IC驅動(dong)，各種驅動(dong)保護電路，高性能(neng)IGBT芯片，新型(xing)封裝(zhuang)技(ji)術，從復合(he)功(gong)率(lv)(lv)模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)PIM發(fa)(fa)(fa)(fa)展到智(zhi)能(neng)功(gong)率(lv)(lv)模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)IPM、電力電子積木PEBB、電力模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)IPEM。PIM向(xiang)高壓大(da)(da)電流發(fa)(fa)(fa)(fa)展，其產(chan)品水平(ping)為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用(yong)于變頻調速(su)外，600A/2000V的(de)IPM已用(yong)于電力機車(che)VVVF逆變器(qi)(qi)。平(ping)面(mian)低電感封裝(zhuang)技(ji)術是(shi)大(da)(da)電流IGBT模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)為有源器(qi)(qi)件(jian)的(de)PEBB，用(yong)于艦艇上的(de)導彈發(fa)(fa)(fa)(fa)射裝(zhuang)置(zhi)。IPEM采(cai)用(yong)共燒瓷片多芯片模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)技(ji)術組裝(zhuang)PEBB，大(da)(da)大(da)(da)降低電路接線電感，進步系統效(xiao)率(lv)(lv)，現已開發(fa)(fa)(fa)(fa)成功(gong)第二代IPEM，其中所有的(de)無源元件(jian)以埋層方式掩埋在襯底(di)中。智(zhi)能(neng)化、模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)化成為IGBT發(fa)(fa)(fa)(fa)展熱(re)門。