一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕(jue)緣(yuan)柵雙極型晶體(ti)管(guan)，是由(you)晶體(ti)三極管(guan)和MOS管(guan)組成的復合型半導體(ti)器件(jian)。

2、mos管是什么

MOS管即(ji)MOSFET，又叫絕緣柵場效(xiao)應管，是場效(xiao)應管的一種類型(xing)。MOSFET又可分為(wei)N溝耗盡型(xing)、增強(qiang)型(xing)、P溝耗盡型(xing)和增強(qiang)型(xing)四大類。

3、igbt和mos管的區別

（1）在結(jie)構(gou)(gou)上，MOSFET和(he)IGBT看起來非常相似，實則不(bu)同。IGBT由(you)發射(she)極、集電極和(he)柵極端子(zi)組成(cheng)，而(er)MOSFET由(you)源極、漏極和(he)柵極端子(zi)組成(cheng)。IGBT的結(jie)構(gou)(gou)中(zhong)有PN結(jie)，MOSFET沒有任何PN結(jie)。

（2）在低(di)電(dian)流區，MOSFET的(de)導通電(dian)壓(ya)低(di)于IGBT；在大電(dian)流區IGBT的(de)正向電(dian)壓(ya)特(te)性優于MOSFET。

（3）IGBT的(de)高溫特性更好，導通電壓比(bi)MOSFET低。

（4）IGBT適用于(yu)中到極高(gao)電流的傳(chuan)導和控(kong)制(zhi)，而MOSFET適用于(yu)低到中等(deng)電流的傳(chuan)導和控(kong)制(zhi)。

（5）IGBT不適(shi)合高頻(pin)應(ying)(ying)用，它能在千Hz頻(pin)率(lv)下(xia)運(yun)行良好(hao)。MOSFET特(te)別適(shi)合非(fei)常高頻(pin)的應(ying)(ying)用，它可以(yi)在兆Hz頻(pin)率(lv)下(xia)運(yun)行良好(hao)。

（6）IGBT的開關(guan)速(su)度比較(jiao)低，MOSFET開關(guan)速(su)度非常高。

（7）IGBT可以承(cheng)受(shou)非常高的電壓以及大功率，MOSFET僅適用于低至中壓應用。

（8）IGBT具有較(jiao)大的關斷時間(jian)，MOSFET的關斷時間(jian)較(jiao)小。

（9）IGBT可以處理任何瞬態電壓和電流(liu)，但(dan)當發生瞬態電壓時，MOSFET的(de)運行會(hui)受(shou)到干擾。

（10）MOSFET器件成(cheng)(cheng)本低(di)，價格便宜，而IGBT至今(jin)仍屬于較高成(cheng)(cheng)本器件。IGBT適合高功率交流應用，MOSFET適合低(di)功率直流應用。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和(he)mos管相比(bi)，各有各的優勢和(he)缺點(dian)，并(bing)不(bu)好說哪種更好，主(zhu)要是根據(ju)實際(ji)應用場(chang)合來選擇：

1、IGBT的(de)主(zhu)要優勢是能夠處理和(he)傳導(dao)中(zhong)至超(chao)高(gao)電壓和(he)大電流，擁有非(fei)常高(gao)的(de)柵極絕緣特性，且在電流傳導(dao)過程中(zhong)產生非(fei)常低(di)的(de)正向(xiang)壓降，哪(na)怕浪(lang)涌電壓出(chu)現(xian)時，IGBT的(de)運行也(ye)不(bu)會受到干(gan)擾。與MOSFET相比(bi)，IGBT開關速度(du)較慢(man)，關斷時間較長，不(bu)適合高(gao)頻應用，比(bi)較適合高(gao)壓大電流應用。

2、MOSFET的(de)優點決定了(le)它非常(chang)適(shi)合高頻且(qie)開關(guan)速度要求高的(de)應用。在開關(guan)電源（SMPS）中，MOSFET的(de)寄生(sheng)參(can)數至關(guan)重要，它決定了(le)轉換時間、導通(tong)電阻(zu)、振鈴（開關(guan)時超調）和背柵擊(ji)穿等性能(neng)，這些都與SMPS的(de)效率密切(qie)相(xiang)關(guan)。對(dui)于門驅動器或者逆(ni)變器應用，通(tong)常(chang)需要選擇(ze)低輸入(ru)電容(rong)（利于快速切(qie)換）以(yi)及(ji)較高驅動能(neng)力的(de)MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和(he)MOSFET工(gong)作特性(xing)不一(yi)樣，一(yi)般不能互換，在考慮(lv)(lv)具(ju)體技術細節的情況下，可以(yi)用IGBT替(ti)代MOSFET，需(xu)要考慮(lv)(lv)的問題點有：

1、電路的工作頻率

IGBT工作頻率低，一般25Khz是上限。如果電路工作頻率超過IGBT頻率上限（以具體(ti)管子數(shu)據手冊為(wei)準(zhun)），不能(neng)替換。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可(ke)(ke)以(yi)用(yong)零(ling)壓(ya)(ya)關(guan)斷(duan)，也可(ke)(ke)以(yi)用(yong)負壓(ya)(ya)關(guan)斷(duan)。IGBT只能用(yong)負壓(ya)(ya)關(guan)斷(duan)。如果電(dian)路(lu)驅動電(dian)路(lu)，只是零(ling)壓(ya)(ya)關(guan)斷(duan)，一般不能替代。

3、功率管并聯

MOSFET是(shi)(shi)正溫(wen)(wen)度(du)特性，可以直接并(bing)聯擴流，而(er)IGBT是(shi)(shi)負溫(wen)(wen)度(du)特性，不能直接并(bing)聯。如果電(dian)路是(shi)(shi)多個MOSFET并(bing)聯使用，不能用IGBT簡單替(ti)換。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自帶(dai)寄生二極(ji)管，IGBT則是(shi)另(ling)外加進去的。保險起見，只選擇帶(dai)續流二極(ji)管的IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸(shu)入(ru)電容(rong)要和原(yuan)電路MOSFET的(de)輸(shu)入(ru)電容(rong)接近。這(zhe)只是考慮(lv)驅動(dong)(dong)電路的(de)驅動(dong)(dong)能力(li)，與(yu)MOSFET和IGBT特性(xing)無關(guan)。

6、過流保護電路

對過流(liu)保護電路(lu)，IGBT要求更高。如果沒有電路(lu)圖的(de)話，可以通過短(duan)路(lu)試驗來(lai)確定能否替換。

對于(yu)常見(jian)的簡(jian)單電路(lu)，考慮上述(shu)幾個(ge)因素，就可以用符合功率耐壓要求IGBT替(ti)代MOSFET。