一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕緣柵(zha)雙(shuang)極型(xing)(xing)晶(jing)體(ti)管，是由晶(jing)體(ti)三(san)極管和MOS管組成的(de)復合型(xing)(xing)半導體(ti)器件。

2、mos管是什么

MOS管即(ji)MOSFET，又叫絕(jue)緣柵場效(xiao)應管，是(shi)場效(xiao)應管的一種類(lei)型(xing)(xing)(xing)。MOSFET又可分為N溝耗(hao)盡型(xing)(xing)(xing)、增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)、P溝耗(hao)盡型(xing)(xing)(xing)和增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)四大類(lei)。

3、igbt和mos管的區別

（1）在結(jie)構上，MOSFET和(he)IGBT看起(qi)來非常相似，實則不同。IGBT由發射極(ji)、集電極(ji)和(he)柵(zha)極(ji)端子組成(cheng)(cheng)，而MOSFET由源(yuan)極(ji)、漏(lou)極(ji)和(he)柵(zha)極(ji)端子組成(cheng)(cheng)。IGBT的(de)結(jie)構中有(you)(you)PN結(jie)，MOSFET沒有(you)(you)任何(he)PN結(jie)。

（2）在低電(dian)流區(qu)，MOSFET的導通電(dian)壓低于IGBT；在大(da)電(dian)流區(qu)IGBT的正向電(dian)壓特性(xing)優于MOSFET。

（3）IGBT的高溫特性(xing)更好(hao)，導通(tong)電壓比MOSFET低。

（4）IGBT適用于(yu)中到極高電(dian)流(liu)的傳導和控(kong)制，而MOSFET適用于(yu)低到中等(deng)電(dian)流(liu)的傳導和控(kong)制。

（5）IGBT不適合(he)(he)高頻應(ying)用，它能在(zai)(zai)千Hz頻率(lv)下(xia)運行良好。MOSFET特別適合(he)(he)非常(chang)高頻的應(ying)用，它可以在(zai)(zai)兆Hz頻率(lv)下(xia)運行良好。

（6）IGBT的開關速(su)度比(bi)較低，MOSFET開關速(su)度非(fei)常高。

（7）IGBT可以(yi)承受非(fei)常(chang)高的電壓(ya)以(yi)及大功率，MOSFET僅適用于(yu)低至中壓(ya)應用。

（8）IGBT具有(you)較(jiao)大的關(guan)斷(duan)時間(jian)，MOSFET的關(guan)斷(duan)時間(jian)較(jiao)小(xiao)。

（9）IGBT可以處(chu)理(li)任何瞬(shun)態電(dian)壓(ya)和電(dian)流，但當發(fa)生瞬(shun)態電(dian)壓(ya)時，MOSFET的運行會受到干擾(rao)。

（10）MOSFET器件成本低，價格便宜，而IGBT至今仍(reng)屬于較(jiao)高(gao)成本器件。IGBT適合(he)高(gao)功(gong)率(lv)交流應用(yong)(yong)，MOSFET適合(he)低功(gong)率(lv)直流應用(yong)(yong)。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和mos管(guan)相比，各(ge)有各(ge)的優(you)勢和缺點(dian)，并(bing)不好說(shuo)哪(na)種更好，主要是根據實際(ji)應(ying)用場合來選擇：

1、IGBT的主(zhu)要優勢是(shi)能夠處理和傳導中(zhong)(zhong)至超高電壓和大(da)(da)電流(liu)，擁有非常高的柵極絕緣特性，且在電流(liu)傳導過(guo)程中(zhong)(zhong)產生非常低的正向壓降，哪怕浪涌(yong)電壓出現(xian)時，IGBT的運行也不會受到干擾(rao)。與MOSFET相(xiang)比(bi)，IGBT開關(guan)速(su)度較(jiao)(jiao)慢，關(guan)斷(duan)時間較(jiao)(jiao)長，不適合高頻應(ying)用，比(bi)較(jiao)(jiao)適合高壓大(da)(da)電流(liu)應(ying)用。

2、MOSFET的(de)優點決定(ding)了它(ta)非常(chang)適合(he)高(gao)頻且開關速度(du)要求高(gao)的(de)應用。在開關電源（SMPS）中(zhong)，MOSFET的(de)寄生(sheng)參(can)數至關重要，它(ta)決定(ding)了轉換時間、導通(tong)電阻、振(zhen)鈴（開關時超調）和背柵擊穿等性能(neng)，這些都與SMPS的(de)效率密切(qie)相關。對于門驅(qu)動器或者逆(ni)變器應用，通(tong)常(chang)需要選擇低輸入電容（利于快速切(qie)換）以及較高(gao)驅(qu)動能(neng)力的(de)MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工作特性不一(yi)樣，一(yi)般(ban)不能(neng)互換，在考慮具體技(ji)術細(xi)節的情況下，可以用IGBT替代MOSFET，需要考慮的問題點有：

1、電路的工作頻率

IGBT工(gong)作頻率低，一般25Khz是(shi)上限。如果電路工(gong)作頻率超過IGBT頻率上限（以具體管子(zi)數據手冊為準），不能替(ti)換。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可以用零壓關(guan)斷(duan)，也可以用負(fu)壓關(guan)斷(duan)。IGBT只(zhi)能用負(fu)壓關(guan)斷(duan)。如果(guo)電路(lu)驅(qu)動電路(lu)，只(zhi)是(shi)零壓關(guan)斷(duan)，一般不能替代。

3、功率管并聯

MOSFET是(shi)正溫度特(te)性(xing)，可以直接(jie)(jie)并聯(lian)擴流，而IGBT是(shi)負溫度特(te)性(xing)，不(bu)能直接(jie)(jie)并聯(lian)。如(ru)果電路是(shi)多個MOSFET并聯(lian)使用(yong)，不(bu)能用(yong)IGBT簡單替(ti)換。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自帶寄生二(er)(er)極管，IGBT則是另外加進(jin)去的。保險起見(jian)，只選擇帶續流二(er)(er)極管的IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸入(ru)電容要和原電路MOSFET的輸入(ru)電容接近。這只是考慮(lv)驅(qu)動(dong)電路的驅(qu)動(dong)能力，與MOSFET和IGBT特性無(wu)關。

6、過流保護電路

對過(guo)流保(bao)護電路，IGBT要(yao)求更高。如(ru)果沒有電路圖的話，可(ke)以(yi)通過(guo)短路試驗(yan)來確定能否(fou)替換。

對于常見(jian)的簡單電路(lu)，考(kao)慮上述幾(ji)個因素，就可以用符合(he)功(gong)率耐壓要求(qiu)IGBT替代MOSFET。