一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是(shi)絕緣柵雙極晶體(ti)管(guan)(guan)，它主要用于多種電子設備中(zhong)的(de)高效快(kuai)速開(kai)關的(de)場(chang)景中(zhong)，兼有BJT和(he)MOS管(guan)(guan)的(de)好處(chu)，它的(de)優點(dian)(dian)和(he)缺點(dian)(dian)都是(shi)很明顯的(de)：

1、igbt的優點

（1）具(ju)有較高(gao)的(de)電壓(ya)和電流處理能(neng)力、極(ji)高(gao)的(de)輸入阻抗。

（2）可以使用非(fei)常(chang)低的(de)電壓切換非(fei)常(chang)高的(de)電流。

（3）具有電(dian)壓控制(zhi)裝(zhuang)置，沒(mei)有輸入電(dian)流和(he)低輸入損耗。

（4）柵極驅(qu)動電路簡單且便宜，降(jiang)低了柵極驅(qu)動的要(yao)求。

（5）通(tong)過(guo)施(shi)加(jia)正電(dian)壓(ya)可以(yi)(yi)很容易地(di)打開(kai)它，通(tong)過(guo)施(shi)加(jia)零電(dian)壓(ya)或稍微負電(dian)壓(ya)可以(yi)(yi)很容易地(di)關閉(bi)它。

（6）具有(you)非常低的導通電阻。

（7）具(ju)有高電流密度，使其能夠具(ju)有更小的芯(xin)片尺寸。

（8）具有比BJT和MOS管更高(gao)的(de)功(gong)率增益(yi)。

（9）具有比BJT更高的開關速度。

（10）可以使(shi)用低控制電(dian)壓切換(huan)高電(dian)流電(dian)平(ping)。

（11）具(ju)有(you)雙極性(xing)質，增強了(le)傳導(dao)性(xing)。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關速(su)度低于MOS管。

（2）因為(wei)是單(dan)向的(de)，在(zai)沒有(you)附加電(dian)路的(de)情況下(xia)無法處理AC波形。

（3）不能阻擋更高的反向電(dian)壓。

（4）比BJT和MOS管價(jia)格更高(gao)。

（5）類似(si)于晶閘管的P-N-P-N結構(gou)，因(yin)此它存在鎖存問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好的功(gong)率(lv)特性(xing)，其重復(fu)性(xing)能優于MOSFET，可實現(xian)高(gao)效的恒定(ding)功(gong)率(lv)輸出，有利(li)于提高(gao)整個系統的工作效率(lv)。

2、控制特性

IGBT具有良好(hao)的(de)控(kong)制(zhi)特性(xing)，其輸入電(dian)壓(ya)范圍較寬，可實現(xian)電(dian)壓(ya)控(kong)制(zhi)調節，可以有效抑制(zhi)電(dian)壓(ya)波動。

3、可靠性

IGBT具有良好(hao)的可(ke)靠性(xing)，具有抗電磁干擾能力(li)強、抗溫度變(bian)化性(xing)能好(hao)和耐久性(xing)高等(deng)優(you)點，可(ke)以長期(qi)穩定運行。

4、結構特性

IGBT有著(zhu)緊湊的結構，體(ti)積(ji)小，可以降低整個系統的體(ti)積(ji)，有利(li)于系統的自(zi)動化(hua)程度的提(ti)高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電(dian)壓范圍一般在600V-6.5kV之間。

2、功率限制：IGBT的(de)功(gong)率范圍一般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的漏電流比MOSFET要(yao)小得多，一般(ban)在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以達(da)到1W-15MW之(zhi)間。

5、熱效應：IGBT的熱效(xiao)應比(bi)MOSFET要小，可以達到20°C-150°C之間(jian)。

6、反應時間：IGBT的(de)反應時間一般比(bi)MOSFET要快，可(ke)以(yi)達到1ns-50ns之間。