一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就(jiu)是絕(jue)緣柵雙極晶體管(guan)，它(ta)主要用(yong)于多種電子設備(bei)中的(de)高效快速(su)開關的(de)場景中，兼有BJT和MOS管(guan)的(de)好處，它(ta)的(de)優點和缺點都是很明顯的(de)：

1、igbt的優點

（1）具有較高的電(dian)壓和(he)電(dian)流處理能(neng)力、極高的輸入阻抗。

（2）可以使用非(fei)常低的電壓切換非(fei)常高的電流。

（3）具(ju)有(you)電(dian)壓控制裝置，沒有(you)輸入(ru)電(dian)流和(he)低輸入(ru)損耗。

（4）柵極驅(qu)動電路簡單(dan)且(qie)便宜，降低了柵極驅(qu)動的要求。

（5）通過(guo)施加正(zheng)電壓可以很容易地打(da)開(kai)它，通過(guo)施加零(ling)電壓或稍微負電壓可以很容易地關閉它。

（6）具有非常低的導通電阻(zu)。

（7）具有(you)(you)高電流密度，使其能(neng)夠具有(you)(you)更小(xiao)的芯(xin)片尺寸。

（8）具有比BJT和MOS管更高的功率增益(yi)。

（9）具有(you)比BJT更高(gao)的開關速度。

（10）可(ke)以使用低控制電壓切換高電流電平(ping)。

（11）具(ju)有雙極性質，增(zeng)強了傳導性。

（12）安全可靠(kao)。

2、igbt的缺點

（1）開關速度低于MOS管。

（2）因為是單向的(de)，在沒有附加電路的(de)情(qing)況下無法處理AC波形。

（3）不能阻擋更(geng)高的(de)反向電(dian)壓。

（4）比BJT和(he)MOS管(guan)價格(ge)更高。

（5）類似(si)于(yu)晶閘管的P-N-P-N結構，因此它存在(zai)鎖(suo)存問(wen)題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有(you)良好的功(gong)率(lv)特性，其(qi)重復性能(neng)優于(yu)MOSFET，可實現高效的恒定功(gong)率(lv)輸出，有(you)利于(yu)提高整個系統的工作(zuo)效率(lv)。

2、控制特性

IGBT具有良好的控制特性，其輸入電壓范圍(wei)較寬，可(ke)實現電壓控制調節，可(ke)以有效抑制電壓波(bo)動(dong)。

3、可靠性

IGBT具有良好的可靠性，具有抗電磁干擾(rao)能(neng)力強、抗溫度(du)變化(hua)性能(neng)好和耐久(jiu)性高(gao)等優點(dian)，可以長期穩定運(yun)行。

4、結構特性

IGBT有著緊湊的結構，體積(ji)小，可以降低整個系統的體積(ji)，有利于系統的自動(dong)化程度的提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電壓范圍一般在600V-6.5kV之間(jian)。

2、功率限制：IGBT的(de)功率范圍一般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的漏(lou)電流比MOSFET要小得多，一般在(zai)1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一(yi)般比MOSFET要低，可以達到(dao)1W-15MW之(zhi)間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比MOSFET要(yao)小，可以達(da)到(dao)20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反應時間(jian)一般(ban)比MOSFET要快，可(ke)以達(da)到1ns-50ns之間(jian)。