一、IGBT內部結構是怎樣的

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡稱，是一種三端半導體開關的器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關的場景中，一般igbt有(you)三個(ge)端(duan)子：集電極(ji)、發射極(ji)和柵極(ji)，它們都是附(fu)有(you)金(jin)屬層(ceng)，但是柵極(ji)端(duan)子上的(de)金(jin)屬材料具有(you)二(er)氧化硅層(ceng)。IGBT結構其實(shi)就相當于是一個(ge)四層(ceng)半導體(ti)的(de)器件。四層(ceng)器件是通(tong)過組合PNP和NPN晶體(ti)管來實(shi)現的(de)，它們構成(cheng)了P-N-P-N排列。

IGBT模塊是由IGBT芯(xin)片和反并聯(lian)二極管、驅動(dong)電路(lu)等組成的(de)，它的(de)結構(gou)相(xiang)比IGBT芯(xin)片要復(fu)雜很多，一般由以下幾部分組成：

1、散熱基板：IGBT模塊最下面的就是散熱基板，主要目的是把IGBT開關過程(cheng)產生的熱量快速傳遞出去。

2、DBC基板：全稱為直(zhi)接覆銅(tong)基板，一共包含3層，中間為陶瓷(ci)絕緣(yuan)層，上下為覆銅(tong)層，簡單來(lai)講就(jiu)是在一個絕緣(yuan)材料的兩面覆上一層銅(tong)皮，然后在正面刻蝕(shi)出能(neng)夠(gou)走電流的圖形(xing)，背面要(yao)直(zhi)接焊接在散熱(re)基板上，因此就(jiu)不需要(yao)刻蝕(shi)了。

3、IGBT芯片：IGBT芯(xin)片是(shi)IGBT模塊的核心(xin)。

4、Diode芯片：二極管的電流方向是從上至下(xia)的，正好與IGBT的電流方向相(xiang)反。

5、鍵合線：IGBT芯(xin)片、Diode芯(xin)片以(yi)及DBC的上銅層互連一般采用鍵合線(xian)實現，常用的鍵合線(xian)有鋁線(xian)和(he)銅線(xian)兩(liang)種。

二、igbt工作原理是什么

IGBT是一種功率晶體管，主要用(yong)于(yu)變頻(pin)器逆變和其(qi)(qi)他(ta)逆變電(dian)(dian)路，將直流(liu)電(dian)(dian)壓逆變成(cheng)頻(pin)率可調(diao)的交流(liu)電(dian)(dian)，其(qi)(qi)工作原(yuan)理是通過不斷激活(huo)和停用(yong)其(qi)(qi)柵極端子來開啟(qi)、關閉：

IGBT的開關作用是通過加正向柵極(ji)電(dian)(dian)壓(ya)形(xing)成溝道，給PNP晶體(ti)(ti)(ti)管(guan)提(ti)供基(ji)(ji)極(ji)電(dian)(dian)流(liu)，使(shi)IGBT導通。反之(zhi)，加反向門(men)極(ji)電(dian)(dian)壓(ya)消除溝道，切斷(duan)基(ji)(ji)極(ji)電(dian)(dian)，使(shi)IGBT關斷(duan)。若在IGBT的柵極(ji)和發(fa)射極(ji)之(zhi)間加上驅動正電(dian)(dian)壓(ya)，則MOSFET導通，這樣PNP晶體(ti)(ti)(ti)管(guan)的集電(dian)(dian)極(ji)與基(ji)(ji)極(ji)之(zhi)間成低(di)阻狀態(tai)而使(shi)得(de)晶體(ti)(ti)(ti)管(guan)導通;若IGBT的柵極(ji)和發(fa)射極(ji)之(zhi)間電(dian)(dian)壓(ya)為0V，則MOSFET截止，切斷(duan)PNP晶體(ti)(ti)(ti)管(guan)基(ji)(ji)極(ji)電(dian)(dian)流(liu)的供給，使(shi)得(de)晶體(ti)(ti)(ti)管(guan)截止。