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場效應管和mos管區別在哪里 場效應管的三個工作區域介紹

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:場效管(fet)是一種半導體裝置,它利用電場效應控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導體。接下來本文將帶來場效應管和mos管區別在哪里以及場效應管的三個工作區域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應管和mos管區別在哪里

場效應管之所以稱為場效應管,是因為它的工作方式是在柵極與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應管和mos管(guan)區別在哪里呢?

1、主題不同

(1)場效應管:v型槽mos場效應管。它是繼mosfet之后新興的高效功率開關(guan)器件。

(2)mos管:金屬-氧化物-半(ban)導體場(chang)效應管屬絕緣柵(zha)型(xing)。

2、特性不同

(1)場效應管:mos場效應管不(bu)僅繼承了輸入阻抗(kang)高(≥108W)、驅動電(dian)(dian)流(liu)(liu)(約為0.1μA),而(er)且還具有(you)耐壓(ya)高(最(zui)高可耐壓(ya))、工作電(dian)(dian)流(liu)(liu)(1.5A~100A)、輸出功率高(約為108W)、驅動電(dian)(dian)流(liu)(liu)(約0.1μA)等優良(liang)特性。

(2)mos管:其(qi)主要(yao)特(te)征是金屬柵極和溝(gou)道之間(jian)有一層(ceng)二(er)氧化(hua)硅絕緣(yuan)層(ceng),因此有很高的輸入電阻(最高可(ke)達1015Ω)。

3、規則不同

(1)場(chang)效(xiao)應管:功(gong)率(lv)(lv)晶體(ti)管的(de)優點集于(yu)一身,因此在(zai)電(dian)壓(ya)放(fang)大器(電(dian)壓(ya)放(fang)大倍數達到數千(qian)倍)、功(gong)率(lv)(lv)放(fang)大器、開關電(dian)源和逆變器等(deng)方面得到了(le)廣泛的(de)應用。

(2)mos管:當(dang)vgs=0時(shi)是處于截止狀態(tai),再(zai)加(jia)(jia)上(shang)正(zheng)確(que)的(de)(de)vgs,大部(bu)分(fen)載(zai)體會被吸(xi)引到柵極(ji)上(shang),從而“加(jia)(jia)強”這一區域的(de)(de)載(zai)體,形成導電(dian)溝道。

二、場效應管的三個工作區域介紹

前文已經(jing)簡(jian)單了(le)解了(le)場效(xiao)應管(guan)(guan)和(he)mos管(guan)(guan)區別在哪里(li),接著咱們就重點來了(le)解效(xiao)應管(guan)(guan),來看(kan)看(kan)場效(xiao)應管(guan)(guan)的三個工(gong)作區域是(shi)什么。

場效應(ying)管(guan)有三(san)個極(ji)(ji)(ji):源極(ji)(ji)(ji)(s),柵極(ji)(ji)(ji)(g),漏極(ji)(ji)(ji)(d),對應(ying)于晶體管(guan)的(de)(de)發射極(ji)(ji)(ji),基極(ji)(ji)(ji),以及集電極(ji)(ji)(ji)。場效應(ying)管(guan)的(de)(de)三(san)個區(qu)(qu)域(yu):截止(zhi)區(qu)(qu),恒流(liu)區(qu)(qu),可變電阻區(qu)(qu),分(fen)別對應(ying)于三(san)極(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)截止(zhi)區(qu)(qu),放大區(qu)(qu)以及飽(bao)和(he)區(qu)(qu)。

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