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場效應管和mos管區別在哪里 場效應管的三個工作區域介紹

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:場效管(fet)是一種半導體裝置,它利用電場效應控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導體。接下來本文將帶來場效應管和mos管區別在哪里以及場效應管的三個工作區域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應管和mos管區別在哪里

場效應管之所以稱為場效應管,是因為它的工作方式是在柵極與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應管和mos管區別在哪里(li)呢?

1、主題不同

(1)場效應管:v型槽mos場效應管。它是繼mosfet之后(hou)新興的高效(xiao)功率開關器件。

(2)mos管(guan):金屬-氧化(hua)物-半導體場效應管(guan)屬絕緣柵型。

2、特性不同

(1)場效應管:mos場效應管不僅(jin)繼承了輸入阻抗高(gao)(gao)(≥108W)、驅動電流(約為(wei)0.1μA),而且(qie)還(huan)具(ju)有耐壓(ya)高(gao)(gao)(最(zui)高(gao)(gao)可耐壓(ya))、工(gong)作電流(1.5A~100A)、輸出功率高(gao)(gao)(約為(wei)108W)、驅動電流(約0.1μA)等優良特性。

(2)mos管:其主要特征是(shi)金屬柵極(ji)和溝道(dao)之(zhi)間有一層二氧化硅絕緣(yuan)層,因此有很高(gao)的輸入電(dian)阻(最高(gao)可達1015Ω)。

3、規則不同

(1)場效應管(guan):功率(lv)晶(jing)體管(guan)的優點集于一身(shen),因此(ci)在電壓放(fang)大器(qi)(電壓放(fang)大倍(bei)數達到數千倍(bei))、功率(lv)放(fang)大器(qi)、開關電源和逆(ni)變(bian)器(qi)等(deng)方面得到了廣泛的應用。

(2)mos管:當(dang)vgs=0時是處于截(jie)止(zhi)狀態,再(zai)加上正確的(de)vgs,大部分載(zai)體(ti)會被吸引到柵極上,從(cong)而“加強”這一區域的(de)載(zai)體(ti),形成導電(dian)溝道。

二、場效應管的三個工作區域介紹

前文已經簡(jian)單(dan)了解了場效應管(guan)和mos管(guan)區別在(zai)哪里,接著咱們就(jiu)重點來了解效應管(guan),來看看場效應管(guan)的三(san)個工(gong)作區域(yu)是什(shen)么。

場效應管有三個極(ji):源極(ji)(s),柵極(ji)(g),漏極(ji)(d),對應于晶體管的(de)發(fa)射極(ji),基(ji)極(ji),以(yi)及(ji)集電極(ji)。場效應管的(de)三個區域(yu):截止區,恒流區,可變電阻區,分別對應于三極(ji)管的(de)截止區,放大區以(yi)及(ji)飽和區。

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