一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型，結型場效應管（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應晶體管有什么特點呢？

1、場效(xiao)應(ying)管是(shi)電壓控制(zhi)器(qi)件，它通過VGS（柵(zha)源電壓）來控制(zhi)ID（漏極電流）。

2、場(chang)效應管的(de)控制(zhi)輸(shu)入端電(dian)流極(ji)小，因此(ci)它的(de)輸(shu)入電(dian)阻（107～1012Ω）很(hen)大。

3、它是利用(yong)多(duo)數載流子導(dao)電(dian)，因此(ci)它的溫度穩定性較好(hao)。

4、它組成(cheng)的放大(da)(da)電(dian)路的電(dian)壓(ya)(ya)放大(da)(da)系數要小于三(san)極管組成(cheng)放大(da)(da)電(dian)路的電(dian)壓(ya)(ya)放大(da)(da)系數。

5、場效應(ying)管的抗(kang)輻射能力強。

6、由于它不存在雜(za)亂運(yun)動的電子(zi)擴散引起的散粒噪(zao)(zao)聲，所以噪(zao)(zao)聲低。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在(zai)場(chang)效應晶體管中(zhong)，柵(zha)極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)(dian)壓(ya)可(ke)以(yi)控制(zhi)漏極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)(dian)流(liu)。當柵(zha)極(ji)電(dian)(dian)壓(ya)為零時，漏極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)(dian)流(liu)是最大(da)的(de)，這種(zhong)狀態(tai)被稱(cheng)為飽和(he)狀態(tai)。當柵(zha)極(ji)電(dian)(dian)壓(ya)增加時，漏極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)電(dian)(dian)流(liu)會減小，這種(zhong)狀態(tai)被稱(cheng)為截止狀態(tai)。

場效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)(guan)是一種非常重要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體(ti)器(qi)件，它(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)工作原理是利用(yong)柵極(ji)(ji)(ji)電(dian)場的(de)(de)(de)(de)(de)作用(yong)來(lai)控(kong)制源(yuan)極(ji)(ji)(ji)和漏極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)流(liu)，可以用(yong)一個(ge)簡單的(de)(de)(de)(de)(de)模型來(lai)解釋。假設柵極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)(ya)為零，漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)流(liu)為I0。當柵極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)(ya)為Vg時，柵極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)場會產生一個(ge)電(dian)勢差(cha)，這個(ge)電(dian)勢差(cha)可以用(yong)公式Vg=Ed/d來(lai)計算，其中Ed是電(dian)場強度，d是柵極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)距離。這個(ge)電(dian)勢差(cha)會影響漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)流(liu)，使得電(dian)流(liu)減小(xiao)到I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是場效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)特定(ding)電(dian)壓(ya)(ya)。