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場效應晶體管有什么特點 場效應晶體管工作原理是什么

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:場效應晶體管(Field Effect Transistor)是一種半導體器件,它是由三個區域組成的,分別是源極、漏極和柵極。它的工作原理是利用柵極電場的作用來控制源極和漏極之間的電流,特點有輸入電阻很大、溫度穩定性較好、抗輻射能力強等,具體的場效應晶體管有什么特點以及場效應晶體管工作原理是什么,咱們就到文中仔細看看吧!

一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型,結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET),那么場效應晶體管有什么特點呢?

1、場效應管是電壓控制器件,它(ta)通過VGS(柵源(yuan)電壓)來控制ID(漏極電流)。

2、場效應管的(de)控制(zhi)輸(shu)入端電流(liu)極小(xiao),因此它的(de)輸(shu)入電阻(107~1012Ω)很大。

3、它是利用多數載(zai)流子導電,因此它的溫(wen)度穩(wen)定性(xing)較(jiao)好。

4、它(ta)組成的放(fang)(fang)大(da)電(dian)路的電(dian)壓放(fang)(fang)大(da)系(xi)數要(yao)小(xiao)于(yu)三極(ji)管組成放(fang)(fang)大(da)電(dian)路的電(dian)壓放(fang)(fang)大(da)系(xi)數。

5、場效應管的抗(kang)輻射能力強(qiang)。

6、由于(yu)它不(bu)存(cun)在雜亂運(yun)動(dong)的電子擴散(san)引起的散(san)粒噪聲(sheng),所以噪聲(sheng)低。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在場(chang)效應晶(jing)體管中,柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)的(de)(de)電壓(ya)(ya)可以控制漏極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)的(de)(de)電流(liu)。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電壓(ya)(ya)為零時(shi),漏極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)的(de)(de)電流(liu)是最大(da)的(de)(de),這種狀態被稱為飽和(he)(he)狀態。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電壓(ya)(ya)增加時(shi),漏極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)的(de)(de)電流(liu)會減(jian)小,這種狀態被稱為截止狀態。

場(chang)效應(ying)晶(jing)體管(guan)是(shi)一(yi)(yi)種非(fei)常重要的(de)(de)(de)半導體器件,它的(de)(de)(de)工(gong)作(zuo)原理是(shi)利用(yong)柵極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)場(chang)的(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)來控制源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)漏極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)流(liu),可以(yi)用(yong)一(yi)(yi)個簡單的(de)(de)(de)模型來解釋。假設柵極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)壓為(wei)零,漏極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)為(wei)I0。當(dang)柵極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)壓為(wei)Vg時,柵極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)場(chang)會產(chan)生一(yi)(yi)個電(dian)勢(shi)差,這(zhe)個電(dian)勢(shi)差可以(yi)用(yong)公(gong)式Vg=Ed/d來計算,其中(zhong)Ed是(shi)電(dian)場(chang)強度,d是(shi)柵極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)距(ju)離。這(zhe)個電(dian)勢(shi)差會影響漏極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)流(liu),使得電(dian)流(liu)減小到I0*(1-Vg/Vp),其中(zhong)Vp是(shi)場(chang)效應(ying)晶(jing)體管(guan)的(de)(de)(de)特定電(dian)壓。

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