一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱極紫(zi)外(wai)(wai)光(guang)(guang)刻膠或EUVL，是一(yi)種使用極紫(zi)外(wai)(wai)（EUV）波長(chang)的(de)下一(yi)代光(guang)(guang)刻技術。EUV光(guang)(guang)刻膠采(cai)用波長(chang)為10-14納(na)米的(de)極紫(zi)外(wai)(wai)光(guang)(guang)作為光(guang)(guang)源(yuan)，可使曝(pu)光(guang)(guang)波長(chang)一(yi)下子降(jiang)到13.5nm，它能夠把光(guang)(guang)刻技術擴展到32nm以下的(de)特征尺寸。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用(yong)于(yu)晶圓廠的芯(xin)片(pian)生產，它使用(yong)一(yi)個巨大的掃(sao)描儀在高級節(jie)點(dian)上對芯(xin)片(pian)的微小特征進(jin)行圖(tu)案化，在操作中(zhong)，EUV的掃(sao)描儀產生光(guang)子，最終與晶圓上的光(guang)敏材(cai)料光(guang)刻(ke)膠相互作用(yong)，以形成精確的特征化圖(tu)案。

不(bu)過，并不(bu)是每次(ci)都(dou)可(ke)(ke)以實(shi)現精確圖案化，在EUV中，光(guang)(guang)子撞擊光(guang)(guang)刻膠發生(sheng)反(fan)應(ying)(ying)(ying)且這(zhe)一(yi)動作重復多次(ci)，這(zhe)些過程充滿不(bu)可(ke)(ke)預測性和隨(sui)(sui)機性，可(ke)(ke)能會產(chan)生(sheng)新的(de)反(fan)應(ying)(ying)(ying)，也(ye)就是說EUV光(guang)(guang)刻工藝容易出現所謂的(de)隨(sui)(sui)機性，是具有隨(sui)(sui)機變量的(de)事(shi)件，這(zhe)些變化被統稱為隨(sui)(sui)機效應(ying)(ying)(ying)。隨(sui)(sui)機效應(ying)(ying)(ying)有時會導致(zhi)芯片中出現不(bu)必要的(de)接觸缺陷或有粗糙度的(de)圖案，兩者都(dou)會影(ying)響(xiang)芯片的(de)性能，甚至導致(zhi)設備出現故障。

在操(cao)作(zuo)中，EUV掃(sao)描儀(yi)應該在芯片中創建各種圖(tu)案，例(li)如(ru)微小的(de)接觸(chu)孔、線條和通孔，并且(qie)具有良(liang)好的(de)均(jun)勻性。但有時，掃(sao)描儀(yi)可能(neng)無法(fa)圖(tu)案化所需線條，出現換行(xing)符，無法(fa)打印每一個接觸(chu)孔，出現缺失(shi)接觸(chu)，其他情況下，該過程還會導致一個或多個孔合并，出現“接吻接觸(chu)”。

換(huan)行符(fu)、缺失接(jie)(jie)觸和(he)接(jie)(jie)吻接(jie)(jie)觸都被認為(wei)是隨機(ji)效應(ying)引起的缺陷，另(ling)一個隨機(ji)效應(ying)是線(xian)邊緣粗糙度(du)（LER）。LER被定義為(wei)特征(zheng)邊緣與(yu)理想形狀的偏差，不(bu)隨特征(zheng)大(da)小而縮放，因此是有問題的。