一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱極紫(zi)外(wai)光(guang)(guang)刻(ke)膠或(huo)EUVL，是(shi)一種使用極紫(zi)外(wai)（EUV）波(bo)長(chang)的下一代光(guang)(guang)刻(ke)技術。EUV光(guang)(guang)刻(ke)膠采用波(bo)長(chang)為10-14納(na)米的極紫(zi)外(wai)光(guang)(guang)作(zuo)為光(guang)(guang)源，可(ke)使曝(pu)光(guang)(guang)波(bo)長(chang)一下子(zi)降到(dao)13.5nm，它能夠(gou)把光(guang)(guang)刻(ke)技術擴展到(dao)32nm以(yi)下的特征尺寸。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用(yong)于晶(jing)圓廠的(de)(de)芯片生(sheng)產，它使用(yong)一個(ge)巨大的(de)(de)掃描儀在(zai)高級節點(dian)上(shang)(shang)對(dui)芯片的(de)(de)微小特(te)征進行圖案化(hua)，在(zai)操作(zuo)中，EUV的(de)(de)掃描儀產生(sheng)光子，最終與晶(jing)圓上(shang)(shang)的(de)(de)光敏材(cai)料光刻膠相互作(zuo)用(yong)，以形成精確的(de)(de)特(te)征化(hua)圖案。

不(bu)過，并(bing)不(bu)是每次都(dou)可(ke)以實(shi)現精(jing)確圖案化，在EUV中(zhong)，光子(zi)撞擊光刻膠發生反應且這(zhe)(zhe)(zhe)一動作重復多次，這(zhe)(zhe)(zhe)些過程充滿不(bu)可(ke)預測性(xing)和隨機(ji)性(xing)，可(ke)能會產生新的(de)反應，也就是說(shuo)EUV光刻工藝容易出現所謂的(de)隨機(ji)性(xing)，是具有(you)隨機(ji)變(bian)(bian)量(liang)的(de)事件，這(zhe)(zhe)(zhe)些變(bian)(bian)化被統稱為(wei)隨機(ji)效(xiao)應。隨機(ji)效(xiao)應有(you)時會導致芯(xin)片(pian)中(zhong)出現不(bu)必要(yao)的(de)接(jie)觸缺陷或(huo)有(you)粗糙度的(de)圖案，兩者都(dou)會影響(xiang)芯(xin)片(pian)的(de)性(xing)能，甚(shen)至導致設備(bei)出現故障(zhang)。

在操(cao)作中(zhong)，EUV掃(sao)描(miao)儀(yi)應該(gai)在芯片中(zhong)創建各種圖(tu)案(an)，例如(ru)微小的接觸(chu)孔、線條和(he)通孔，并且具有(you)良好(hao)的均(jun)勻(yun)性(xing)。但(dan)有(you)時，掃(sao)描(miao)儀(yi)可(ke)能無法圖(tu)案(an)化所需線條，出(chu)現(xian)換(huan)行(xing)符，無法打(da)印每一個(ge)接觸(chu)孔，出(chu)現(xian)缺失接觸(chu)，其他情況(kuang)下，該(gai)過程還會導致一個(ge)或多個(ge)孔合并，出(chu)現(xian)“接吻接觸(chu)”。

換行符、缺(que)失(shi)接觸和接吻(wen)接觸都被認為是隨機效應引(yin)起的(de)缺(que)陷，另一(yi)個(ge)隨機效應是線邊緣(yuan)粗糙度（LER）。LER被定義為特(te)征(zheng)邊緣(yuan)與理想形狀的(de)偏差，不隨特(te)征(zheng)大(da)小而縮放，因(yin)此是有問題的(de)。