一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵(zha)極(ji)相(xiang)對(dui)于源極(ji)的電壓。

與NMOS一樣，導通(tong)的(de)PMOS的(de)工(gong)作區(qu)(qu)域(yu)也分為非飽和(he)區(qu)(qu)，臨界飽和(he)點(dian)和(he)飽和(he)區(qu)(qu)。當然，不論(lun)NMOS還是(shi)PMOS，當未形成反(fan)型溝道時，都處于截(jie)止區(qu)(qu)，其電壓條(tiao)件是(shi)：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得注意的(de)是(shi)，PMOS的(de)VGS和(he)VTP都是(shi)負值。

PMOS集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)是一種適合(he)(he)在(zai)(zai)低速、低頻領域(yu)內應用的(de)(de)器件。PMOS集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)采用-24V電壓供電。MOS場(chang)效應晶體管具有(you)很高的(de)(de)輸入阻(zu)抗，在(zai)(zai)電路(lu)中(zhong)便(bian)于直接耦合(he)(he)，容易制成(cheng)規模(mo)大的(de)(de)集(ji)(ji)成(cheng)電路(lu)。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開啟電(dian)(dian)壓(ya)（又稱閾值(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)）：使(shi)得(de)源極(ji)S和漏(lou)極(ji)D之間開始形成導電(dian)(dian)溝道(dao)所需的(de)(de)(de)柵極(ji)電(dian)(dian)壓(ya)，標(biao)準的(de)(de)(de)N溝道(dao)MOS管，VT約為(wei)3～6V，通過工藝(yi)上的(de)(de)(de)改進，可以使(shi)MOS管的(de)(de)(de)VT值(zhi)降到(dao)2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵(zha)(zha)(zha)源極之間加的電壓與(yu)柵(zha)(zha)(zha)極電流之比，這一特性有時以(yi)流過柵(zha)(zha)(zha)極的柵(zha)(zha)(zha)流表示，MOS管的RGS可以(yi)很容易(yi)地超過1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的(de)(de)條(tiao)件下(xia)，在增加(jia)漏源電壓過程中使(shi)(shi)ID開始劇(ju)增時(shi)的(de)(de)VDS稱(cheng)為漏源擊(ji)穿(chuan)(chuan)電壓BVDS，ID劇(ju)增的(de)(de)原(yuan)因(yin)有下(xia)列(lie)兩個方面：（1）漏極附(fu)近耗盡層的(de)(de)雪崩擊(ji)穿(chuan)(chuan)，（2）漏源極間(jian)的(de)(de)穿(chuan)(chuan)通擊(ji)穿(chuan)(chuan)，有些MOS管中，其溝道(dao)長(chang)度較短，不斷增加(jia)VDS會使(shi)(shi)漏區的(de)(de)耗盡層一直擴展到源區，使(shi)(shi)溝道(dao)長(chang)度為零，即產(chan)生漏源間(jian)的(de)(de)穿(chuan)(chuan)通，穿(chuan)(chuan)通后，源區中的(de)(de)多數(shu)載流子，將直接受耗盡層電場的(de)(de)吸引，到達漏區，產(chan)生大的(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增(zeng)(zeng)加柵(zha)源(yuan)電(dian)壓(ya)過程中，使(shi)柵(zha)極電(dian)流IG由零開(kai)始劇增(zeng)(zeng)時的VGS，稱(cheng)為柵(zha)源(yuan)擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數值的(de)(de)條件下(xia)，漏極電流(liu)的(de)(de)微變(bian)量(liang)和引起這個變(bian)化的(de)(de)柵(zha)源電壓微變(bian)量(liang)之(zhi)比(bi)稱為跨導，gm反映了柵(zha)源電壓對(dui)漏極電流(liu)的(de)(de)控制能力(li)，是表征MOS管放大能力(li)的(de)(de)一個重要參數，一般在十分之(zhi)幾至幾mA/V的(de)(de)范圍(wei)內。

6、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對(dui)ID的(de)影響，是漏極(ji)特(te)性某一點切線的(de)斜(xie)率的(de)倒數(shu)(shu)，在(zai)(zai)飽和區，ID幾(ji)(ji)乎不隨VDS改變，RON的(de)數(shu)(shu)值(zhi)很大，一般在(zai)(zai)幾(ji)(ji)十(shi)千歐到幾(ji)(ji)百千歐之(zhi)間(jian)，由于在(zai)(zai)數(shu)(shu)字(zi)電路中，MOS管(guan)導通時經常工作在(zai)(zai)VDS=0的(de)狀(zhuang)態下，所以(yi)這(zhe)時的(de)導通電阻RON可用(yong)原點的(de)RON來近似，對(dui)一般的(de)MOS管(guan)而言，RON的(de)數(shu)(shu)值(zhi)在(zai)(zai)幾(ji)(ji)百歐以(yi)內。

7、極間電容

三個(ge)電極(ji)之間(jian)都存在著極(ji)間(jian)電容：柵(zha)源電容CGS、柵(zha)漏(lou)電容CGD和(he)漏(lou)源電容CDS，CGS和(he)CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間(jian)。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)聲(sheng)(sheng)是由管(guan)子(zi)內(nei)部載流(liu)子(zi)運(yun)動的不規(gui)則性所引起的，由于它的存(cun)在(zai)，就(jiu)使(shi)一個(ge)放大器即便在(zai)沒(mei)有信號輸(shu)人(ren)時(shi)，在(zai)輸(shu)出端也出現(xian)不規(gui)則的電壓(ya)或電流(liu)變(bian)化，噪(zao)聲(sheng)(sheng)性能的大小通(tong)常用(yong)噪(zao)聲(sheng)(sheng)系數(shu)NF來表(biao)示，它的單(dan)位為分(fen)貝（dB），這個(ge)數(shu)值越小，代表(biao)管(guan)子(zi)所產生(sheng)的噪(zao)聲(sheng)(sheng)越小，低頻(pin)噪(zao)聲(sheng)(sheng)系數(shu)是在(zai)低頻(pin)范(fan)圍(wei)內(nei)測出的噪(zao)聲(sheng)(sheng)系數(shu)，場效(xiao)應管(guan)的噪(zao)聲(sheng)(sheng)系數(shu)約為幾個(ge)分(fen)貝，它比(bi)雙極(ji)性三極(ji)管(guan)的要(yao)小。