一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵(zha)極相對于(yu)源極的電(dian)壓。

與(yu)NMOS一樣(yang)，導通(tong)的(de)PMOS的(de)工作區域也分為非飽(bao)和(he)區，臨界飽(bao)和(he)點和(he)飽(bao)和(he)區。當(dang)然，不論NMOS還是(shi)PMOS，當(dang)未形成反型溝道(dao)時，都處于截(jie)止區，其電(dian)壓條件是(shi)：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得(de)注意的(de)是(shi)，PMOS的(de)VGS和(he)VTP都是(shi)負值。

PMOS集成電(dian)(dian)路是一種(zhong)適(shi)合(he)在低(di)速、低(di)頻領(ling)域內應(ying)用(yong)的器件。PMOS集成電(dian)(dian)路采(cai)用(yong)-24V電(dian)(dian)壓供(gong)電(dian)(dian)。MOS場效應(ying)晶體管(guan)具有很高的輸入阻抗，在電(dian)(dian)路中便(bian)于直接(jie)耦合(he)，容易(yi)制成規模(mo)大(da)的集成電(dian)(dian)路。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開(kai)啟(qi)電(dian)壓(ya)（又稱閾值(zhi)電(dian)壓(ya)）：使得源極S和漏(lou)極D之間開(kai)始形成導電(dian)溝道所需(xu)的柵極電(dian)壓(ya)，標準的N溝道MOS管，VT約(yue)為3～6V，通過(guo)工藝上的改進，可以使MOS管的VT值(zhi)降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵(zha)源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間加的電壓與柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電流之(zhi)比，這一特性(xing)有時以流過(guo)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)的柵(zha)流表(biao)示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guo)1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在(zai)VGS=0（增強(qiang)型）的(de)(de)條件下(xia)，在(zai)增加漏(lou)(lou)源(yuan)(yuan)電(dian)壓過程中使(shi)ID開始劇增時的(de)(de)VDS稱為漏(lou)(lou)源(yuan)(yuan)擊(ji)(ji)(ji)穿電(dian)壓BVDS，ID劇增的(de)(de)原(yuan)因有下(xia)列兩個方(fang)面：（1）漏(lou)(lou)極(ji)附近(jin)耗盡(jin)層(ceng)(ceng)的(de)(de)雪崩擊(ji)(ji)(ji)穿，（2）漏(lou)(lou)源(yuan)(yuan)極(ji)間(jian)的(de)(de)穿通(tong)擊(ji)(ji)(ji)穿，有些MOS管中，其溝道(dao)長度較(jiao)短，不斷增加VDS會使(shi)漏(lou)(lou)區(qu)(qu)的(de)(de)耗盡(jin)層(ceng)(ceng)一直擴展到源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)，使(shi)溝道(dao)長度為零，即產(chan)生漏(lou)(lou)源(yuan)(yuan)間(jian)的(de)(de)穿通(tong)，穿通(tong)后，源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)中的(de)(de)多數載流子，將直接受耗盡(jin)層(ceng)(ceng)電(dian)場的(de)(de)吸(xi)引，到達漏(lou)(lou)區(qu)(qu)，產(chan)生大的(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在(zai)增加(jia)柵(zha)源電壓過程(cheng)中，使柵(zha)極電流IG由(you)零開始劇增時的VGS，稱為柵(zha)源擊穿(chuan)電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在(zai)VDS為某(mou)一固定數值的(de)(de)條件(jian)下，漏(lou)極電流(liu)的(de)(de)微(wei)(wei)變量(liang)和(he)引(yin)起這個(ge)變化(hua)的(de)(de)柵(zha)源(yuan)電壓(ya)微(wei)(wei)變量(liang)之比稱為跨導，gm反映了柵(zha)源(yuan)電壓(ya)對漏(lou)極電流(liu)的(de)(de)控制能力，是表(biao)征MOS管放大能力的(de)(de)一個(ge)重要參(can)數，一般在(zai)十分之幾(ji)至(zhi)幾(ji)mA/V的(de)(de)范圍內。

6、導通電阻RON

導通電(dian)阻(zu)RON說明了VDS對ID的(de)(de)影響，是漏(lou)極特性某一(yi)點切線的(de)(de)斜率(lv)的(de)(de)倒數(shu)(shu)，在飽(bao)和區(qu)，ID幾(ji)乎(hu)不隨VDS改變，RON的(de)(de)數(shu)(shu)值很大，一(yi)般在幾(ji)十千歐(ou)到(dao)幾(ji)百(bai)千歐(ou)之間，由于在數(shu)(shu)字(zi)電(dian)路中，MOS管(guan)導通時(shi)經常工作在VDS=0的(de)(de)狀態下，所以(yi)這時(shi)的(de)(de)導通電(dian)阻(zu)RON可用(yong)原點的(de)(de)RON來近似，對一(yi)般的(de)(de)MOS管(guan)而言，RON的(de)(de)數(shu)(shu)值在幾(ji)百(bai)歐(ou)以(yi)內。

7、極間電容

三個(ge)電極之間都存在(zai)著極間電容(rong)：柵(zha)源電容(rong)CGS、柵(zha)漏電容(rong)CGD和漏源電容(rong)CDS，CGS和CGD約為(wei)1～3pF，CDS約在(zai)0.1～1pF之間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)聲是(shi)由(you)管子內(nei)部載(zai)流子運動的(de)不規(gui)則(ze)性(xing)所引起的(de)，由(you)于它(ta)的(de)存在，就使(shi)一(yi)個(ge)放(fang)大器即(ji)便在沒(mei)有(you)信號輸人時，在輸出(chu)端也出(chu)現不規(gui)則(ze)的(de)電壓或電流變化，噪(zao)聲性(xing)能(neng)的(de)大小通(tong)常用噪(zao)聲系(xi)數NF來表示，它(ta)的(de)單位為分貝(bei)（dB），這個(ge)數值越(yue)小，代表管子所產(chan)生的(de)噪(zao)聲越(yue)小，低頻噪(zao)聲系(xi)數是(shi)在低頻范(fan)圍內(nei)測出(chu)的(de)噪(zao)聲系(xi)數，場效應(ying)管的(de)噪(zao)聲系(xi)數約為幾個(ge)分貝(bei)，它(ta)比(bi)雙(shuang)極性(xing)三極管的(de)要小。