一、場效應管有幾種類型

場效應(ying)管分為結型場效應(ying)管（JFET）和絕緣柵場效應(ying)管（MOS管）兩大類。

按溝道(dao)材料型(xing)和絕緣柵型(xing)各分(fen)N溝道(dao)和P溝道(dao)兩種；按導電方(fang)式：耗(hao)(hao)盡型(xing)與增強型(xing)，結型(xing)場效應管均(jun)為耗(hao)(hao)盡型(xing)，絕緣柵型(xing)場效應管既有耗(hao)(hao)盡型(xing)的，也有增強型(xing)的。

場(chang)效(xiao)應晶體管可分為(wei)結場(chang)效(xiao)應晶體管和MOS場(chang)效(xiao)應晶體管，而(er)MOS場(chang)效(xiao)應晶體管又分為(wei)N溝(gou)耗盡型(xing)和增強型(xing)；P溝(gou)耗盡型(xing)和增強型(xing)四大類。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選好(hao)場(chang)效(xiao)應晶(jing)(jing)體管電(dian)(dian)(dian)子元件(jian)的第一步是(shi)取決選用(yong)N溝道或是(shi)P溝道場(chang)效(xiao)應晶(jing)(jing)體管。在典型(xing)的功(gong)率使(shi)用(yong)中，當1個場(chang)效(xiao)應晶(jing)(jing)體管接地(di)，而負載接入到干線電(dian)(dian)(dian)壓上時，該場(chang)效(xiao)應晶(jing)(jing)體管就(jiu)組(zu)成了(le)低壓側(ce)開(kai)關。在低壓側(ce)開(kai)關中，應選用(yong)N溝道場(chang)效(xiao)應晶(jing)(jing)體管，它是(shi)出自于對關閉或導(dao)通電(dian)(dian)(dian)子元件(jian)所要(yao)電(dian)(dian)(dian)壓的考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在(zai)實際情況下，場效應晶體(ti)管并不一定是理想的(de)電(dian)子元(yuan)件，歸因于在(zai)導(dao)電(dian)過程中(zhong)會有電(dian)能消耗(hao)，這叫做(zuo)導(dao)通損(sun)耗(hao)。場效應晶體(ti)管在(zai)“導(dao)通”時好比一個可變電(dian)阻，由電(dian)子元(yuan)件的(de)RDS（ON）所確認，并隨溫度(du)而明顯變動。

電(dian)子(zi)元件(jian)的(de)功率(lv)損耗可(ke)由Iload2×RDS（ON）估算，因為導通電(dian)阻(zu)隨溫度(du)變動，因而功率(lv)損耗也會(hui)隨著按(an)占比(bi)變動。對場效應晶體(ti)管施加(jia)的(de)電(dian)壓VGS越高，RDS（ON）就會(hui)越小；反之(zhi)RDS（ON）就會(hui)越高。注意RDS（ON）電(dian)阻(zu)會(hui)隨著電(dian)流輕微升(sheng)高。關于RDS（ON）電(dian)阻(zu)的(de)各類(lei)電(dian)氣叁數變動可(ke)在生產(chan)商出示的(de)技術資(zi)料表里(li)得知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般(ban)建議(yi)采(cai)用針對最壞的(de)結果(guo)計算，因(yin)為這個(ge)結果(guo)提供(gong)更大的(de)安(an)全余量，能夠確保系統(tong)不會失(shi)效。