一、場效應管有幾種類型

場(chang)(chang)效應(ying)管分(fen)為結型(xing)場(chang)(chang)效應(ying)管（JFET）和絕緣(yuan)柵場(chang)(chang)效應(ying)管（MOS管）兩大類。

按溝道(dao)材(cai)料(liao)型(xing)(xing)和絕(jue)緣(yuan)柵型(xing)(xing)各分N溝道(dao)和P溝道(dao)兩(liang)種；按導電方式(shi)：耗(hao)(hao)盡型(xing)(xing)與(yu)增強型(xing)(xing)，結型(xing)(xing)場效應管均(jun)為耗(hao)(hao)盡型(xing)(xing)，絕(jue)緣(yuan)柵型(xing)(xing)場效應管既有耗(hao)(hao)盡型(xing)(xing)的(de)，也有增強型(xing)(xing)的(de)。

場效(xiao)應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管可分(fen)為結場效(xiao)應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管和MOS場效(xiao)應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管，而MOS場效(xiao)應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管又(you)分(fen)為N溝耗盡型(xing)和增強(qiang)型(xing)；P溝耗盡型(xing)和增強(qiang)型(xing)四大類(lei)。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑(tiao)選好場效(xiao)(xiao)應晶體(ti)(ti)管(guan)電(dian)子(zi)(zi)元件的第一步是(shi)取決(jue)選用(yong)N溝(gou)道(dao)或是(shi)P溝(gou)道(dao)場效(xiao)(xiao)應晶體(ti)(ti)管(guan)。在(zai)典型的功率使用(yong)中，當1個(ge)場效(xiao)(xiao)應晶體(ti)(ti)管(guan)接地，而負載接入到干線電(dian)壓(ya)上時，該(gai)場效(xiao)(xiao)應晶體(ti)(ti)管(guan)就組(zu)成了(le)低壓(ya)側開關。在(zai)低壓(ya)側開關中，應選用(yong)N溝(gou)道(dao)場效(xiao)(xiao)應晶體(ti)(ti)管(guan)，它是(shi)出自于對關閉或導通電(dian)子(zi)(zi)元件所(suo)要(yao)電(dian)壓(ya)的考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在(zai)實際情(qing)況下，場(chang)效應晶體(ti)管(guan)并不(bu)一定是(shi)理想的(de)電(dian)(dian)子元(yuan)件，歸因于在(zai)導(dao)電(dian)(dian)過程(cheng)中會有電(dian)(dian)能消(xiao)耗，這叫做導(dao)通損耗。場(chang)效應晶體(ti)管(guan)在(zai)“導(dao)通”時好比一個可變電(dian)(dian)阻，由電(dian)(dian)子元(yuan)件的(de)RDS（ON）所確認，并隨溫度而(er)明(ming)顯變動(dong)。

電子(zi)元(yuan)件的(de)功(gong)率(lv)損(sun)耗可(ke)由Iload2×RDS（ON）估算，因(yin)為導通電阻隨溫度變(bian)動(dong)，因(yin)而功(gong)率(lv)損(sun)耗也會(hui)隨著按占(zhan)比變(bian)動(dong)。對場效應(ying)晶體管施加的(de)電壓VGS越(yue)高(gao)，RDS（ON）就(jiu)會(hui)越(yue)小；反之RDS（ON）就(jiu)會(hui)越(yue)高(gao)。注意(yi)RDS（ON）電阻會(hui)隨著電流輕微升(sheng)高(gao)。關于(yu)RDS（ON）電阻的(de)各(ge)類電氣叁數變(bian)動(dong)可(ke)在生產(chan)商出(chu)示(shi)的(de)技術資料表里得知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般建議采用針對最壞的結果(guo)計算，因為這個結果(guo)提供更大(da)的安全余量，能夠(gou)確保系(xi)統不會失效。