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什么是電子陶瓷材料 電子陶瓷材料有哪些種類

本文章由注冊用戶 時代工業園 上傳提供 2024-11-15 評論 0
摘要:電子陶瓷是一種應用于電子工業領域的陶瓷材料,通過對表面、晶界和尺寸結構的精密控制而獲得新功能,廣泛用于制作電子功能元件,電子陶瓷的種類也很多,一般根據功能用途不同,可分為絕緣裝置瓷、電容器瓷、鐵電陶瓷、半導體陶瓷和離子陶瓷五大類。下面一起來詳細了解一下什么是電子陶瓷材料以及電子陶瓷材料有哪些種類吧。

一、什么是電子陶瓷材料

電子陶瓷是指(zhi)在電子工業中能夠(gou)利用(yong)電、磁性質的陶瓷,一般在電子設(she)備(bei)當中,作為安裝、固(gu)定(ding)、支撐、保護、絕緣、隔(ge)離以及連(lian)接各種無線電元件(jian)及器(qi)件(jian)的材料。

電子陶瓷屬于無機多晶體,微觀結(jie)(jie)構(gou)上(shang)是介乎單品(pin)與玻璃之(zhi)間的一類物質,陶(tao)瓷內部(bu)之(zhi)間是由(you)離子鍵(jian)和共價鍵(jian)所結(jie)(jie)合,通過精密(mi)控制(zhi)陶(tao)瓷的表(biao)面、晶界和尺(chi)寸結(jie)(jie)構(gou)可以使陶(tao)瓷獲得(de)新功能(neng),具(ju)有高擦點(dian)、硬度(du)高和彈(dan)性(xing)模量大等(deng)特點(dian),能(neng)夠耐高溫、磨損和氧化腐蝕,化學穩定(ding)性(xing)好,廣泛應用于光(guang)通信(xin)、無線通信(xin)、工業激(ji)光(guang)、消費電子、汽車電子等(deng)領(ling)域。

二、電子陶瓷材料有哪些種類

電子(zi)陶瓷(ci)材料的種類眾多,按功能和用途(tu)不同(tong),可分為五大(da)類:

1、絕緣裝置瓷

簡稱裝(zhuang)置瓷(ci),具有優良的(de)(de)電(dian)(dian)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)性能,用作(zuo)電(dian)(dian)子(zi)設(she)備和(he)器(qi)件中的(de)(de)結構件、基片和(he)外(wai)(wai)殼(ke)等(deng)的(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)陶瓷(ci)。絕緣(yuan)(yuan)(yuan)裝(zhuang)置瓷(ci)件包括各種絕緣(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)、線(xian)圈骨架、電(dian)(dian)子(zi)管座、波段開關、電(dian)(dian)容器(qi)支柱支架、集成電(dian)(dian)路基片和(he)封裝(zhuang)外(wai)(wai)殼(ke)等(deng)。對這類瓷(ci)的(de)(de)基本要求是介電(dian)(dian)常數ε低,介質損耗(hao)tanδ小(xiao),絕緣(yuan)(yuan)(yuan)電(dian)(dian)阻率ρ高,擊穿強度E?大(da),介電(dian)(dian)溫度特性和(he)頻率特性好(hao)。此外(wai)(wai),還要求有較(jiao)高的(de)(de)機械強度和(he)化學穩(wen)定性。

在(zai)這類(lei)(lei)陶(tao)瓷(ci)(ci)中以滑石(shi)瓷(ci)(ci)和(he)氧(yang)化鋁(lv)(lv)(lv)瓷(ci)(ci)應(ying)用(yong)最廣(guang),滑石(shi)瓷(ci)(ci)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)絕緣(yuan)性(xing)優良且成本較低(di),是用(yong)于射電(dian)(dian)頻(pin)段內的(de)(de)(de)典型高(gao)(gao)(gao)頻(pin)裝置瓷(ci)(ci)。氧(yang)化鋁(lv)(lv)(lv)瓷(ci)(ci)是一類(lei)(lei)電(dian)(dian)絕緣(yuan)性(xing)更佳的(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)頻(pin)、高(gao)(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)(gao)強度裝置瓷(ci)(ci)。其電(dian)(dian)性(xing)能(neng)(neng)和(he)物理性(xing)能(neng)(neng)隨三(san)氧(yang)化二(er)鋁(lv)(lv)(lv)含量的(de)(de)(de)增(zeng)多而提高(gao)(gao)(gao)。常(chang)用(yong)的(de)(de)(de)有(you)含75%、95%、99%三(san)氧(yang)化二(er)鋁(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)鋁(lv)(lv)(lv)氧(yang)瓷(ci)(ci)。在(zai)一些要求極(ji)高(gao)(gao)(gao)的(de)(de)(de)集成電(dian)(dian)路中,甚至還使用(yong)三(san)氧(yang)化二(er)鋁(lv)(lv)(lv)含量達99.9%的(de)(de)(de)純剛(gang)玉(yu)瓷(ci)(ci),其性(xing)質與藍寶(bao)石(shi)單(dan)晶相近。高(gao)(gao)(gao)鋁(lv)(lv)(lv)氧(yang)瓷(ci)(ci),尤(you)其是純剛(gang)玉(yu)瓷(ci)(ci)的(de)(de)(de)缺(que)點是制(zhi)造困(kun)難,燒成溫度高(gao)(gao)(gao)、價格(ge)貴(gui)。

裝置瓷中(zhong)還(huan)有一類以氧(yang)(yang)化鈹(pi)(BeO)為代表的(de)(de)(de)高(gao)熱(re)導(dao)瓷。含BeO95%的(de)(de)(de)氧(yang)(yang)化鈹(pi)瓷的(de)(de)(de)室溫(wen)(wen)導(dao)熱(re)率與(yu)金(jin)屬相同(tong)。氧(yang)(yang)化鈹(pi)還(huan)具有良(liang)好的(de)(de)(de)介(jie)電性(xing)、耐溫(wen)(wen)度(du)劇變性(xing)和(he)很高(gao)的(de)(de)(de)機械強度(du)。其缺(que)點是(shi)BeO原料(liao)(liao)的(de)(de)(de)毒性(xing)很大,瓷料(liao)(liao)燒成溫(wen)(wen)度(du)高(gao),因(yin)而限制了它的(de)(de)(de)應用(yong)。氮化硼(peng)?(BN)瓷和(he)氮化鋁(AlN)瓷也屬于高(gao)熱(re)導(dao)瓷,其導(dao)熱(re)性(xing)雖不及(ji)氧(yang)(yang)化鈹(pi)瓷,但無毒,加工性(xing)能和(he)介(jie)電性(xing)能均(jun)好,可(ke)供(gong)高(gao)頻大功率晶體(ti)管和(he)大規模集成電路中(zhong)作散(san)熱(re)及(ji)絕緣(yuan)用(yong)。

2、電容器瓷

是用作電容(rong)(rong)器介質的(de)電子陶瓷,這類陶瓷用量最(zui)(zui)大、規格品種(zhong)也(ye)最(zui)(zui)多,主要的(de)有(you)高頻、低頻電容(rong)(rong)器瓷和半(ban)導體電容(rong)(rong)器瓷:

(1)高頻電容器瓷:屬(shu)于Ⅰ類電(dian)容(rong)器(qi)瓷,主(zhu)要用于制造高頻電(dian)路中的高穩定性陶瓷電(dian)容(rong)器(qi)和溫(wen)度(du)補(bu)償電(dian)容(rong)器(qi)。構成這類陶瓷的主(zhu)要成分大(da)多是堿土(tu)(tu)金屬(shu)或稀(xi)土(tu)(tu)金屬(shu)的鈦酸鹽和以鈦酸鹽為(wei)基(ji)的固溶體。

(2)低頻電容器瓷:屬于(yu)Ⅱ類電(dian)容(rong)器瓷(ci),主要(yao)用于(yu)制(zhi)造低(di)頻電(dian)路中的(de)(de)旁路、隔直流(liu)和濾波用的(de)(de)陶瓷(ci)電(dian)容(rong)器。主要(yao)特點(dian)是介(jie)電(dian)常(chang)數ε?高,損耗角正切較(jiao)(jiao)大且tanδ及ε隨溫(wen)度的(de)(de)變化(hua)率較(jiao)(jiao)大。這類陶瓷(ci)中應用最多的(de)(de)是以鐵電(dian)鈦酸(suan)鋇(BaTiO3)為(wei)主成(cheng)分(fen),通過摻(chan)雜改(gai)性而得到的(de)(de)高ε(室溫(wen)下(xia)可達20000)和ε的(de)(de)溫(wen)度變化(hua)率低(di)的(de)(de)瓷(ci)料。

(3)半導體電容器瓷:利用半導(dao)體化(hua)的(de)(de)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)外表面或(huo)晶粒間的(de)(de)內(nei)表面(晶界)上形成的(de)(de)絕緣(yuan)層為(wei)電(dian)容(rong)(rong)器(qi)介(jie)質(zhi)的(de)(de)電(dian)子陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)。其中利用陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)晶界層的(de)(de)介(jie)電(dian)性質(zhi)而(er)制成的(de)(de)邊界層電(dian)容(rong)(rong)器(qi)是一(yi)類(lei)新型的(de)(de)高(gao)(gao)性能、高(gao)(gao)可靠的(de)(de)電(dian)容(rong)(rong)器(qi),它的(de)(de)介(jie)電(dian)損耗小、絕緣(yuan)電(dian)阻及工作電(dian)壓高(gao)(gao)。這種(zhong)(zhong)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)的(de)(de)視在介(jie)電(dian)常數極高(gao)(gao)(可達105以上)、介(jie)質(zhi)損耗小(小于(yu)1%)、體電(dian)阻率高(gao)(gao)(高(gao)(gao)于(yu)1011歐·厘(li)米)、介(jie)質(zhi)色散頻率高(gao)(gao)(高(gao)(gao)于(yu)1吉(ji)赫)、抗潮性好,是一(yi)種(zhong)(zhong)高(gao)(gao)性能、高(gao)(gao)穩定的(de)(de)電(dian)容(rong)(rong)器(qi)介(jie)質(zhi)。

3、鐵電陶瓷

是(shi)以(yi)(yi)鐵電(dian)(dian)(dian)性(xing)晶體為主晶相的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子陶瓷(ci)(ci),利(li)用其壓電(dian)(dian)(dian)特性(xing)可以(yi)(yi)制成壓電(dian)(dian)(dian)器件(jian),這是(shi)鐵電(dian)(dian)(dian)陶瓷(ci)(ci)的(de)(de)主要應(ying)用,因(yin)而常把鐵電(dian)(dian)(dian)陶瓷(ci)(ci)稱(cheng)為壓電(dian)(dian)(dian)陶瓷(ci)(ci)。利(li)用鐵電(dian)(dian)(dian)陶瓷(ci)(ci)的(de)(de)熱釋電(dian)(dian)(dian)特性(xing)(在溫(wen)度變化時,因(yin)極(ji)化強度的(de)(de)變化而在鐵電(dian)(dian)(dian)體表面釋放電(dian)(dian)(dian)荷(he)的(de)(de)效應(ying))可以(yi)(yi)制成紅外(wai)探(tan)測(ce)器件(jian),在測(ce)溫(wen)、控溫(wen)、遙(yao)測(ce)、遙(yao)感以(yi)(yi)至生(sheng)物、醫學(xue)等領域均(jun)有重要應(ying)用價值。

利(li)用透(tou)明(ming)鐵電(dian)(dian)(dian)陶(tao)瓷(ci)PLZT(摻鑭的(de)鈦鋯酸鉛(qian))的(de)強電(dian)(dian)(dian)光(guang)(guang)效(xiao)應(通過外(wai)加電(dian)(dian)(dian)場對(dui)透(tou)明(ming)鐵電(dian)(dian)(dian)陶(tao)瓷(ci)電(dian)(dian)(dian)疇狀態的(de)控制(zhi)(zhi)而改變其(qi)光(guang)(guang)學性質,從而表現出電(dian)(dian)(dian)控雙(shuang)折(zhe)射和電(dian)(dian)(dian)控光(guang)(guang)散射的(de)效(xiao)應),可以制(zhi)(zhi)成激光(guang)(guang)調(diao)制(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)、光(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)顯(xian)示(shi)器(qi)(qi)(qi)、光(guang)(guang)信息存儲器(qi)(qi)(qi)、光(guang)(guang)開關、光(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)傳感器(qi)(qi)(qi)、圖像存儲和顯(xian)示(shi)器(qi)(qi)(qi),以及(ji)激光(guang)(guang)或核輻(fu)射防護鏡(jing)等新型器(qi)(qi)(qi)件(jian)。

4、半導體陶瓷

通過半導體(ti)化(hua)措施使陶瓷具有半導電(dian)性晶粒(li)和(he)絕緣性(或半導體(ti)性)晶界(jie),從而(er)呈現很(hen)強的界(jie)面勢壘等半導體(ti)特性的電(dian)子(zi)陶瓷。

半導(dao)體(ti)陶(tao)瓷(ci)種類很多(duo),其中(zhong)(zhong)包括利用半導(dao)體(ti)瓷(ci)中(zhong)(zhong)晶粒本身(shen)性質制成(cheng)的各種負溫度系數熱敏電(dian)(dian)阻(zu);利用晶界性質制成(cheng)的半導(dao)體(ti)電(dian)(dian)容器(qi)(qi)、ZnO?壓敏電(dian)(dian)阻(zu)器(qi)(qi)、BaTiO3系正(zheng)溫度系數熱敏電(dian)(dian)阻(zu)器(qi)(qi)、CdS/Cu2S太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi);以及(ji)利用表面(mian)性質制成(cheng)的各種陶(tao)瓷(ci)型濕(shi)敏電(dian)(dian)阻(zu)器(qi)(qi)和氣(qi)敏電(dian)(dian)阻(zu)器(qi)(qi)等。

5、離子陶瓷

快離子導電的電子陶瓷,具有快速傳遞正(zheng)離(li)子的(de)特性,典型代表是β-Al2O3瓷。這(zhe)種陶(tao)瓷在(zai)300℃下離(li)子電(dian)導率(lv)可達0.1/(歐(ou)·厘米),可用來制作較經濟的(de)高比(bi)率(lv)能(neng)量的(de)固體電(dian)池,還可制作緩慢放(fang)電(dian)的(de)高儲能(neng)密度的(de)電(dian)容器(qi),它是有助于解(jie)決能(neng)源(yuan)問題(ti)的(de)材料。

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