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1、顯(xian)卡(ka)芯片：顯(xian)卡(ka)核(he)心型號(hao)差(cha)一檔(dang)，性能(neng)也就差(cha)了(le)一檔(dang)，所以可根據核(he)心型號(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)高低，例(li)如，N卡(ka)型號(hao)的(de)前綴(zhui)一共有GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)的(de)兩位數或一位數代表代數，再其后(hou)兩位數越(yue)大，表示同代中的(de)性能(neng)就越(yue)強，后(hou)綴(zhui)有Ti、SE、M、MX，分別(bie)表示加(jia)強版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加(jia)強版(ban)。

2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi)：流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi)是顯卡的(de)核心，直接影(ying)響處(chu)(chu)理(li)能(neng)力，對(dui)于(yu)N卡和A卡來(lai)說，流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單元個(ge)數越多則處(chu)(chu)理(li)能(neng)力越強。N卡和A卡的(de)流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單元可采取近似比較，N卡的(de)1個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單元相(xiang)當于(yu)AMD的(de)5個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)單元。

3、顯(xian)(xian)存(cun)(cun)(cun)位(wei)(wei)寬：顯(xian)(xian)存(cun)(cun)(cun)位(wei)(wei)寬表示一(yi)個(ge)時鐘周(zhou)期內所能(neng)傳(chuan)送數據(ju)的(de)位(wei)(wei)數，位(wei)(wei)數越(yue)大則傳(chuan)輸(shu)量越(yue)大，常見的(de)有(you)64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和(he)256位(wei)(wei)顯(xian)(xian)卡(ka)。在顯(xian)(xian)存(cun)(cun)(cun)頻率相(xiang)當情況下，顯(xian)(xian)存(cun)(cun)(cun)位(wei)(wei)寬決定(ding)著(zhu)帶寬的(de)大小。

4、顯(xian)存類(lei)型：顯(xian)存類(lei)型主(zhu)要有(you)SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三(san)種(zhong)，SDRAM顆粒主(zhu)要應(ying)用在低端顯(xian)卡上，頻率一般(ban)不超過200MHz；DDR SDRAM是(shi)主(zhu)流；DDR SGRAM適(shi)合繪圖專(zhuan)用。

5、散熱(re)設計：散熱(re)系統(tong)的(de)好壞直接決定了性能發揮的(de)穩定性，被動式噪音低(di)，適合低(di)頻(pin)率(lv)顯(xian)卡；主動式有散熱(re)片和(he)風扇，適合高頻(pin)率(lv)顯(xian)卡；導(dao)流(liu)式適合高檔游戲顯(xian)卡。