1、接(jie)觸式曝光（Contact Printing）

掩膜板直接(jie)與光(guang)(guang)刻膠層接(jie)觸(chu)。曝光(guang)(guang)出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨(bian)率(lv)相當，設備簡單(dan)。接(jie)觸(chu)式，根據(ju)施加力量的方(fang)式不同又分為：軟接(jie)觸(chu)，硬接(jie)觸(chu)和真(zhen)空接(jie)觸(chu)。

（1）軟接觸：就是把基片通過托盤(pan)吸附住（類似于勻膠機的基片放(fang)置方式(shi)），掩膜蓋在基片上面。

（2）硬接(jie)觸：是(shi)將(jiang)基(ji)片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接(jie)觸。

（3）真(zhen)空(kong)接觸：是在掩膜和基(ji)片中間抽(chou)氣，使之更加好的(de)貼合（想(xiang)一(yi)想(xiang)把被子(zi)抽(chou)真(zhen)空(kong)放置(zhi)的(de)方式）。

缺點(dian)：光刻(ke)膠污染掩膜(mo)板(ban)；掩膜(mo)板(ban)的(de)磨損(sun)，容易損(sun)壞，壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷(xian)；上個世紀七十年代的(de)工業(ye)水(shui)準，已經(jing)逐漸被接近(jin)式曝(pu)(pu)光方式所淘汰了，國產(chan)光刻(ke)機均為(wei)接觸式曝(pu)(pu)光，國產(chan)光刻(ke)機的(de)開發機構無法(fa)提供工藝要求更高的(de)非接觸式曝(pu)(pu)光的(de)產(chan)品化。

2、接近式曝光（Proximity Printing）

掩(yan)膜(mo)板與(yu)光(guang)刻(ke)膠(jiao)基底(di)層(ceng)保留一個微小的(de)縫隙（Gap），Gap大約(yue)為0～200μm。可以有效避免(mian)與(yu)光(guang)刻(ke)膠(jiao)直接(jie)接(jie)觸而引起的(de)掩(yan)膜(mo)板損傷，使(shi)掩(yan)膜(mo)和光(guang)刻(ke)膠(jiao)基底(di)能耐久使(shi)用(yong)；掩(yan)模壽命長（可提(ti)高10倍以上），圖形缺(que)陷(xian)少。接(jie)近式在(zai)現代光(guang)刻(ke)工藝中應用(yong)最為廣泛(fan)。

3、投影(ying)式曝光（Projection Printing）

在掩膜板與光(guang)(guang)刻膠之(zhi)間使用光(guang)(guang)學系統聚集光(guang)(guang)實現曝光(guang)(guang)。一般掩膜板的(de)(de)尺寸會以需要轉移圖(tu)形的(de)(de)4倍制作。優點：提高了分辨率；掩膜板的(de)(de)制作更加容易；掩膜板上的(de)(de)缺陷影響(xiang)減小。

投影式曝光分類：

（1）掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代(dai)末～80年代(dai)初，〉1μm工(gong)藝；掩膜板1：1，全(quan)尺(chi)寸；

（2）步進重(zhong)復投影(ying)曝(pu)光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代(dai)末(mo)～90年代(dai)，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮(suo)小比例（4：1），曝(pu)光區域（Exposure Field）22×22mm（一次曝(pu)光所能(neng)覆蓋的(de)區域）。增(zeng)加了棱鏡系統的(de)制(zhi)作難度。

（3）掃描步進投(tou)影曝(pu)(pu)光(guang)（Scanning-Stepping Project Printing）。90年(nian)代末～至(zhi)今，用(yong)于≤0.18μm工藝。采用(yong)6英寸的(de)掩膜(mo)板按照4：1的(de)比例曝(pu)(pu)光(guang)，曝(pu)(pu)光(guang)區域（Exposure Field）26×33mm。優(you)點(dian)：增大了每次曝(pu)(pu)光(guang)的(de)視(shi)場；提(ti)供硅(gui)片表面(mian)不平(ping)整的(de)補償；提(ti)高整個硅(gui)片的(de)尺寸均勻性。但(dan)是，同時因為(wei)需要反向運動，增加了機械系統(tong)的(de)精度(du)要求。

4、高精度雙面

主要(yao)用(yong)于(yu)中小規模集(ji)成電(dian)(dian)路、半導體元器(qi)(qi)件、光電(dian)(dian)子(zi)器(qi)(qi)件、聲表面(mian)波器(qi)(qi)件、薄膜電(dian)(dian)路、電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子(zi)器(qi)(qi)件的研(yan)制和生產。

高(gao)精度(du)特制的翻(fan)版機構、雙視場CCD顯微(wei)顯示(shi)系(xi)統、多點光源(yuan)曝光頭(tou)、真(zhen)空管路系(xi)統、氣(qi)路系(xi)統、直聯式無油真(zhen)空泵、防(fang)震(zhen)工作臺(tai)等組(zu)成。

適用于φ100mm以下(xia)，厚度5mm以下(xia)的各種基片的對準曝光。

5、高精度單面

針對(dui)各大專院校、企(qi)業及(ji)科研(yan)單位，對(dui)光刻機使用(yong)特性研(yan)發的一種高精(jing)度光刻機，中小(xiao)規模(mo)集(ji)成電路、半導(dao)體元器件、光電子器件、聲表面(mian)波器件的研(yan)制和生(sheng)產。

高精度(du)對準工作(zuo)臺、雙目分離視場CCD顯微顯示(shi)系(xi)統、曝光頭(tou)、氣動系(xi)統、真(zhen)空管路系(xi)統、直(zhi)聯式無油真(zhen)空泵、防震工作(zuo)臺和附件箱等組成(cheng)。

解決非圓形基(ji)片(pian)、碎片(pian)和底面不平的(de)基(ji)片(pian)造(zao)成(cheng)的(de)版(ban)(ban)片(pian)分離不開(kai)所引(yin)起的(de)版(ban)(ban)片(pian)無(wu)法對(dui)準(zhun)的(de)問(wen)題。