一、半導體硅片純度要求分析

半導體(ti)硅(gui)片的純(chun)度要(yao)求極(ji)高，通常要(yao)求純(chun)度達到99.9999999%以上(shang)。硅(gui)片的雜質種(zhong)類和(he)濃度對(dui)(dui)晶(jing)體(ti)管(guan)和(he)集成電路性(xing)能有著直接的影響(xiang)。各種(zhong)雜質對(dui)(dui)半導體(ti)硅(gui)片性(xing)能的影響(xiang)程度不同(tong)，對(dui)(dui)于不同(tong)的電路應用，其要(yao)求的雜質種(zhong)類和(he)濃度也有所不同(tong)。

半導體硅片的純(chun)(chun)度檢測(ce)是半導體工藝制造中的重要環節。常用的半導體硅片純(chun)(chun)度檢測(ce)方法包括室溫光(guang)導率、霍(huo)爾效應(ying)、拉曼(man)散(san)射光(guang)譜、小角散(san)射等。

在半(ban)導體(ti)工藝(yi)制造(zao)中，加強半(ban)導體(ti)硅片純度(du)(du)控制，提(ti)高半(ban)導體(ti)硅片的(de)純度(du)(du)，將有助(zhu)于保證(zheng)半(ban)導體(ti)器件性能的(de)穩(wen)定性和可靠(kao)性，提(ti)高產品的(de)競爭(zheng)力(li)。

二、半導體硅片標準規范

符合標準規范的硅片能夠提高器件的品質，降低制造成本，加速研發和生產進程。因此，半導體硅片的標準規范對于(yu)半(ban)導體行業的發展至關(guan)重要。

1、尺寸：半導體硅(gui)片的尺寸(cun)(cun)應符合SEMI M1-0303標準規范(fan)。常見的尺寸(cun)(cun)有2、3、4、5、6和8英寸(cun)(cun)等(deng)多(duo)種規格(ge)。在制造過程中必須(xu)嚴(yan)格(ge)控(kong)制硅(gui)片的尺寸(cun)(cun)，保證(zheng)尺寸(cun)(cun)精度和一致性。

2、表面平整度：硅片的(de)表面平整度(du)直接影響(xiang)到芯(xin)片制造的(de)可靠性(xing)和(he)性(xing)能(neng)。表面平整度(du)應符合(he)SEMI M1-0303E標(biao)準規范，要求不(bu)同區域的(de)平整度(du)誤(wu)差(cha)在2um以(yi)內。

3、雜質含量：半導體硅片的(de)雜(za)(za)質(zhi)(zhi)含(han)量應(ying)符合(he)SEMI M1-0303E標準規(gui)范(fan)。硅片內稟的(de)雜(za)(za)質(zhi)(zhi)含(han)量應(ying)該低于(yu)1ppb，同時在制造過程中應(ying)避免外源性雜(za)(za)質(zhi)(zhi)的(de)污染。

4、表面特性：硅(gui)片(pian)的(de)表(biao)(biao)面(mian)特性(xing)(xing)包括(kuo)反射(she)(she)性(xing)(xing)、吸收性(xing)(xing)、散射(she)(she)性(xing)(xing)等(deng)，這些(xie)特性(xing)(xing)與芯片(pian)的(de)光學性(xing)(xing)能直接相關(guan)。硅(gui)片(pian)的(de)表(biao)(biao)面(mian)應該經過(guo)特殊處(chu)理(li)，保證(zheng)其在(zai)可見和近紅外(wai)光譜范圍內(nei)具有良好的(de)性(xing)(xing)質。

嚴(yan)格遵守半導(dao)體(ti)硅片(pian)的標準(zhun)規(gui)范對于半導(dao)體(ti)生產(chan)企業(ye)來說很重要，它不僅可以提高(gao)產(chan)品的質量和(he)穩定(ding)性，同時(shi)也(ye)(ye)可以節省人力(li)和(he)物力(li)成本，提高(gao)生產(chan)效率。在(zai)芯片(pian)設(she)計和(he)制造過(guo)程(cheng)中，半導(dao)體(ti)硅片(pian)的標準(zhun)規(gui)范也(ye)(ye)是一個非常重要的參考標準(zhun)。

三、半導體硅片國家標準

半導體硅(gui)片的(de)相(xiang)關國家(jia)標準命名為(wei)：GA 1015-2013《半導體硅(gui)片》。

1、標準范圍

本(ben)標(biao)準適用于半導體硅(gui)片(pian)生產的質量控制及檢驗(yan)，包括半導體硅(gui)片(pian)的外(wai)觀、尺寸、厚(hou)度、表面質量、電學特性(xing)、熱學特性(xing)、機(ji)械特性(xing)等方面的指標(biao)和測試方法。

2、主要技術要求

對于半導體硅片的外觀，其表面應平整光滑，無裂紋、劃痕、污漬等明顯缺陷。對于半導體硅片的厚度，應根據所生產的不同硅片類型(xing)和(he)用途來確(que)(que)定具(ju)體(ti)規格(ge)，在標準(zhun)范圍(wei)內進行抽(chou)樣檢驗。對于(yu)半導(dao)體(ti)硅片的電學特性(xing)，應根據國際上統一的測試方法(fa)和(he)儀器進行測試，并保證(zheng)測試數據的準(zhun)確(que)(que)性(xing)和(he)可靠性(xing)。