一、半導體激光器結構中的勢壘是什么

一般在談到(dao)半導體(ti)的PN結時(shi)，就(jiu)會聯系到(dao)勢(shi)(shi)壘(lei)，這涉及半導體(ti)的基礎內容。簡單(dan)地說(shuo)，所(suo)謂(wei)勢(shi)(shi)壘(lei)也稱位壘(lei)，就(jiu)是在PN結由于電子、空穴的擴(kuo)散所(suo)形(xing)成的阻擋層，兩側的勢(shi)(shi)能差，就(jiu)稱為勢(shi)(shi)壘(lei)。

二、半導體激光器產生激光的條件介紹

半導體激(ji)光器產(chan)生激(ji)光的(de)條件主要(yao)包括(kuo)以(yi)下幾點：

1、增益條件。需(xu)(xu)要在(zai)有源區（激(ji)射媒質）內(nei)建(jian)立載流子的(de)反轉分布，即在(zai)高能(neng)(neng)態(tai)(tai)導(dao)帶底(di)的(de)電子數需(xu)(xu)要大于低(di)能(neng)(neng)態(tai)(tai)價(jia)帶頂的(de)空穴(xue)(xue)數。這(zhe)通常通過給同質結或異質結加正向偏(pian)壓來實(shi)現，從而將(jiang)電子從能(neng)(neng)量(liang)較低(di)的(de)價(jia)帶激(ji)發到能(neng)(neng)量(liang)較高的(de)導(dao)帶。當電子和空穴(xue)(xue)在(zai)粒子數反轉狀(zhuang)態(tai)(tai)下復合時，會產生受激(ji)發射作用。

2、光學諧振腔。諧振腔由半導(dao)體晶體的(de)(de)自然解理面形成反(fan)(fan)射鏡(jing)，出(chu)光(guang)面通常鍍(du)有減(jian)反(fan)(fan)膜，而不(bu)出(chu)光(guang)的(de)(de)那一端則鍍(du)上高反(fan)(fan)多(duo)(duo)層介(jie)質(zhi)膜，形成F-P（法布里-拍羅）腔。這(zhe)樣(yang)的(de)(de)結(jie)構使得受激輻射的(de)(de)光(guang)在腔內多(duo)(duo)次反(fan)(fan)饋，形成激光(guang)振蕩。

3、滿足閾值條件。激(ji)光媒質必須提供足夠(gou)的(de)增(zeng)益，以彌補(bu)諧振(zhen)腔引起的(de)光損(sun)耗及激(ji)光輸出引起的(de)損(sun)耗。這要求(qiu)有(you)足夠(gou)強的(de)電(dian)流注入，即(ji)有(you)足夠(gou)的(de)粒(li)子(zi)數反轉。當(dang)激(ji)光器達到(dao)閾值時，具(ju)有(you)特定波長的(de)光就能(neng)在腔內諧振(zhen)并被放(fang)大(da)，形成激(ji)光并連續輸出。

此(ci)外，半導體激光器產生激光還需要滿足(zu)相位(wei)條件，以及具有良好的散熱措施，以保證激光器的穩定性和壽(shou)命。