一、二極管激光器和半導體激光器的區別

二極管激光(guang)器和(he)半導體激光(guang)器在發光(guang)材料、光(guang)譜范(fan)圍(wei)、使用范(fan)圍(wei)、工作原理(li)、輻射(she)光(guang)譜的差(cha)異、電流的差(cha)異和(he)應用方面有所不同。以下是詳(xiang)細(xi)介紹：

1、發光材料不同。二極管激光(guang)器的主要(yao)發(fa)光(guang)材(cai)料(liao)是氮化(hua)鎵(jia)，而半導(dao)體激光(guang)器的發(fa)光(guang)材(cai)料(liao)主要(yao)是氮化(hua)鎵(jia)。

2、光譜范圍不同。二極管激光器(qi)的(de)光波(bo)長主要在800至1000納米范圍內，屬于近紅外波(bo)段(duan)；半導體激光器(qi)的(de)光譜范圍為650至1100納米。

3、使用范圍不同。二極管激光器通常用于淺組織照射，如消炎和減輕疼痛；半導體激光器更適用于(yu)牙周病、牙髓炎等(deng)問題的(de)治療(liao)。

4、工作原理和輻射光譜不同。半導體激(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)是受(shou)激(ji)輻(fu)射的(de)結果，采用電能(neng)激(ji)勵激(ji)光(guang)(guang)，而二(er)(er)極管激(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)是自發的(de)輻(fu)射產(chan)生光(guang)(guang)。半導體激(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)發出的(de)光(guang)(guang)具有(you)高單色性，而二(er)(er)極管激(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)發出的(de)光(guang)(guang)則(ze)有(you)寬帶譜(pu)性。

5、電流不同。半導體激光器(qi)發(fa)射光需(xu)要(yao)一(yi)個高電(dian)流的激勵(li)，而二極管激光器(qi)則只需(xu)要(yao)一(yi)個低電(dian)壓的激勵(li)。

6、應用不同。半導體(ti)(ti)激光(guang)器具(ju)有(you)(you)高功率(lv)、高空間一致性(xing)和窄譜性(xing)的特點，廣泛應用于工業、生物醫學(xue)等(deng)多個(ge)領域；二(er)極管(guan)激光(guang)器因為(wei)具(ju)有(you)(you)低功耗、長(chang)壽命、體(ti)(ti)積小(xiao)的特點，在照明、顯示以及室內嵌(qian)入(ru)式(shi)等(deng)領域有(you)(you)廣泛的應用。

二、二極管激光器的主要技術參數介紹

1、波長：即激光(guang)管工作波長，可作光(guang)電開關用的激光(guang)管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等(deng)。

2、閾值電流：即激(ji)(ji)光(guang)管開始(shi)產生激(ji)(ji)光(guang)振蕩(dang)的(de)電流，對一(yi)般小功率(lv)激(ji)(ji)光(guang)管而言，其值約在(zai)數十毫(hao)安(an)，具有應變多量子阱結構的(de)激(ji)(ji)光(guang)管閾(yu)值電流可低至(zhi)10mA以下。

3、工作電流：即激光管達(da)到額(e)定輸出(chu)功率時的(de)驅動(dong)電(dian)流(liu)，此值(zhi)對于設(she)計調試激光驅動(dong)電(dian)路較重要(yao)。

4、工作電壓：是發(fa)出(chu)規定的光(guang)輸出(chu)時需要的正向電壓。

5、光輸出功率：最大允許的瞬(shun)時光(guang)學功率輸出。這適用于連(lian)續或脈沖(chong)操作模(mo)式。

6、暗電流：光電(dian)(dian)二極管(guan)反向偏置時(shi)的泄漏電(dian)(dian)流。暗(an)電(dian)(dian)流既取決于(yu)溫度又取決于(yu)電(dian)(dian)壓，理想的二極管(guan)/光電(dian)(dian)二極管(guan)在相反的方向上沒有電(dian)(dian)流。?