一、二極管激光器和半導體激光器的區別

二極管(guan)激(ji)光(guang)器(qi)和半導體激(ji)光(guang)器(qi)在發光(guang)材料、光(guang)譜范圍、使用范圍、工作原理(li)、輻射光(guang)譜的差異、電(dian)流的差異和應用方面有所不同。以下是詳(xiang)細(xi)介紹：

1、發光材料不同。二極管激(ji)(ji)光(guang)器的(de)主(zhu)要發光(guang)材料是氮化鎵，而半導體激(ji)(ji)光(guang)器的(de)發光(guang)材料主(zhu)要是氮化鎵。

2、光譜范圍不同。二極管激光(guang)器的光(guang)波長主要(yao)在800至1000納米(mi)范圍內(nei)，屬于近紅外波段(duan)；半導體激光(guang)器的光(guang)譜范圍為(wei)650至1100納米(mi)。

3、使用范圍不同。二極管激光器通常用于淺組織照射，如消炎和減輕疼痛；半導體激光器更(geng)適用于牙(ya)周病、牙(ya)髓炎(yan)等問題的治(zhi)療。

4、工作原理和輻射光譜不同。半導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)是(shi)受(shou)激(ji)(ji)輻(fu)射的(de)結果，采用電能激(ji)(ji)勵激(ji)(ji)光(guang)(guang)，而(er)二極管(guan)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)是(shi)自發的(de)輻(fu)射產(chan)生光(guang)(guang)。半導體激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)發出的(de)光(guang)(guang)具有(you)高(gao)單色性(xing)，而(er)二極管(guan)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)發出的(de)光(guang)(guang)則(ze)有(you)寬(kuan)帶譜性(xing)。

5、電流不同。半(ban)導體激(ji)光器(qi)發射(she)光需要(yao)一(yi)個(ge)高電流的激(ji)勵，而二極管(guan)激(ji)光器(qi)則只需要(yao)一(yi)個(ge)低電壓的激(ji)勵。

6、應用不同。半導體激(ji)光器具有(you)高功(gong)率、高空間一致性和窄譜性的特點，廣泛(fan)應用(yong)于工業、生物醫(yi)學等(deng)多個領域(yu)；二極管激(ji)光器因(yin)為具有(you)低功(gong)耗、長壽命、體積小的特點，在照明(ming)、顯示以及(ji)室內嵌(qian)入式(shi)等(deng)領域(yu)有(you)廣泛(fan)的應用(yong)。

二、二極管激光器的主要技術參數介紹

1、波長：即激光管工(gong)作波長(chang)，可(ke)作光電開關用的激光管波長(chang)有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。

2、閾值電流：即激(ji)光管開始產生激(ji)光振(zhen)蕩(dang)的電流，對一般小功率激(ji)光管而言，其值(zhi)約在數十毫(hao)安，具有應(ying)變多量子阱結構(gou)的激(ji)光管閾值(zhi)電流可(ke)低至(zhi)10mA以(yi)下。

3、工作電流：即(ji)激光(guang)管達到額(e)定輸出功(gong)率時(shi)的驅動電(dian)流(liu)，此值對于設計調試激光(guang)驅動電(dian)路較重要。

4、工作電壓：是發出規定的光輸出時需要的正向(xiang)電(dian)壓。

5、光輸出功率：最(zui)大(da)允許的(de)瞬時光學功率(lv)輸出(chu)。這適用于連(lian)續(xu)或脈(mo)沖操作模式。

6、暗電流：光電(dian)二極管(guan)(guan)反向偏置時的泄漏電(dian)流。暗電(dian)流既取決于(yu)溫度又(you)取決于(yu)電(dian)壓，理想(xiang)的二極管(guan)(guan)/光電(dian)二極管(guan)(guan)在相反的方(fang)向上(shang)沒有電(dian)流。?