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榜單說明

三極管十大品牌是由CN10排排榜技術研究部門和CNPP品牌數據研究部門聯合重磅推出的三極管品牌排行榜，榜單由品牌數據研究部門基于大數據統計及人為根據市場和參數條件變化的分析研究專業測評而得出，是大數據、云計算、數據統計真實客觀呈現的結果。名單以企業實力、品牌榮譽、網絡投票、網民口碑打分、企業在行業內的排名情況、企業獲得的榮譽及獎勵情況等為基礎，綜合了多家機構媒體和網站排行數據，通過特定的計算機模型對廣泛的數據資源進行采集分析研究，并由研究人員綜合考慮市場和參數條件變化后最終才形成數據并在網站顯示。

三極管十大品牌

行業推(tui)薦品(pin)牌

ROHM羅姆

上榜理由：羅姆半導體集團成立于1958年日本，全球知名的半導體廠商，為半導體、電子零部件行業佼佼者，以追求比行業標準高一個數量級的質保目標，提供IC、分立元器件、光學元器件、無源元件、模塊、半導體應用等產品。羅姆于1974年進入中國，在香港、上海、北京、深圳、天津、大連、臺灣等設有分公司、生產網點和技術中心。

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onsemi安森美

上榜理由：onsemi安森美于1999年從摩托羅拉拆分獨立，于2016年收購Fairchild仙童半導體公司，現已成為一家全球領先的半導體制造商，提供8萬多款不同的器件和全球供應鏈，包括全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯、分立、系統單芯片(SoC)及定制器件陣容，涵蓋汽車、功率元件、工業自動化、AC-DC、傳感器、信號控制等領域。

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ST意法半導體

上榜理由：意法半導體創始于1988年，由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成，為全球大型半導體公司，多媒體應用一體化和電源解決方案市場佼佼者，產品涵蓋分立器件、高性能微控制器、安全型智能卡芯片、微機電系統（MEMS）器件等眾多領域，擁有包括從分立二極管與晶體管到復雜的片上系統器件等廣泛的半導體產品線。

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NXP恩智浦

上榜理由：NXP恩智浦前身為1953年成立于的荷蘭飛利浦公司半導體事業部，2006年從飛利浦拆分出來，于2015年與飛思卡爾合并，成為全球大型半導體公司和汽車供應商，其以先進的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號和標準產品解決方案，分支機構遍布全球30多個國家和地區。

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VISHAY威世

上榜理由：威世成立于1962年美國，全球規模較大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商，提供二極管、各類晶體管、光電子產品，以及被動元件電容、電阻、電感等產品。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸擁有天津、惠州、珠海、西安等制造業工廠，為全球通訊、電腦、網絡、醫療及消費電子產品提供全方位服務。

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DIODES達凱

上榜理由：DIODES公司成立于1966年美國，為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商，產品涵蓋分立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場等廣泛領域，包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、GPP橋、GPP整流器、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯等，為消費性電子、運算、通訊、工業及汽車等市場提供服務。

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華潤微電子

上榜理由：華潤微電子是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的高科技企業，曾先后整合華科電子、中國華晶、上華科技、中航微電子等中國半導體企業，已成為中國本土具有重要影響力的綜合性半導體企業，于2020年上海證券交易所上市（股票代碼：688396），是擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業鏈一體化運營能力的半導體企業。

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揚杰YJ

上榜理由：揚杰電子成立于2000年，于2014年深圳證券交易所上市（股票代碼：300373），是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商，產品線含蓋分立器件芯片、整流器件、保護器件、小信號、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶提供一攬子產品解決方案。

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捷捷微電

上榜理由：捷捷微電創建于1995年，于2017年深圳證券交易所上市（股票代碼：300623），是專門從事半導體分立器件、電力電子元器件研發、制造和銷售的高新技術企業，是國內電力半導體器件領域中，晶閘管器件及芯片方片化IDM的半導體廠商，主導產品為單向/雙向可控硅、低結電容放電管、TVS等各類保護器件、高壓整流二極管、功率型開關晶體管等。

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華微電子

上榜理由：華微電子始于1965年，是集功率半導體器件設計研發、芯片加工、封裝測試及產品營銷為一體的高新技術企業，于2001年在上海證券交易所上市（股票代碼：600360），主要生產功率半導體器件及IC，涵蓋IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產品，在終端設計、工藝制造和產品設計方面擁有多項專利。

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以上品牌榜名單由CN10/CNPP品牌數據研究部門通過資料收集整理大數據統計分析研究而得出，排序不分先后，僅提供給您參考。我喜歡的三極管品牌投票>>

知名(ming)(著名(ming))三極管品牌名(ming)單(2022)：含十大三極管品(pin)牌 + Infineon英飛凌，士蘭微電子Silan，Toshiba東芝，長晶科技，固锝GOOD-ARK，G牌，強茂PANJIT，先科電子ST，LRC，韋爾Willsemi

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三極管行業簡介

一、bjt指的是什么

bjt是(shi)雙(shuang)(shuang)極(ji)結型晶體管(guan)（Bipolar Junction Transistor—BJT）的(de)縮(suo)寫，又常稱為雙(shuang)(shuang)載子晶體管(guan)。它(ta)是(shi)通過一(yi)定的(de)工藝將兩個PN結結合在(zai)一(yi)起的(de)器件，有PNP和NPN兩種組(zu)合結構。

晶體管分兩類：

1、一類(lei)是雙極性晶(jing)體管，BJT；BJT是電流控(kong)制器件。

2、一(yi)類是(shi)場效應晶體(ti)管，FET；FET是(shi)電壓控制器(qi)件(jian)。

兩種類別都能在三極管十大品牌進行查詢，想要了解(jie)它們，趕緊點擊(ji)看看吧！

二、MOSFET和BJT有什么區別

金屬氧化物半導體場效應晶體管(guan)(MOSFET)和(he)雙極結(jie)型晶體管(guan)(BJT)是兩(liang)種(zhong)封裝(zhuang)形(xing)式各異的晶體管(guan)，不(bu)(bu)熟悉電子產品的人常(chang)常(chang)難以決定應該在他們的開發(fa)項目中使用(yong)哪(na)一種(zhong)。雖然(ran)MOSFET和(he)BJT都是晶體管(guan)，但它們的工作方式不(bu)(bu)同，表(biao)現出不(bu)(bu)同的行為，因此它們的使用(yong)方式不(bu)(bu)同。

MOSFET和BJT之間有很多(duo)不同之處：

1、MOSFET（電壓控制）是金(jin)屬氧化物半導(dao)體(ti)，而BJT（電流控制）是雙極結型(xing)晶體(ti)管(guan)。

2、雖(sui)然(ran)兩(liang)者都有(you)三個終(zhong)端(duan)，但它們有(you)所不同。MOSFET具(ju)有(you)源極(ji)、漏極(ji)和(he)柵極(ji)，而BJT具(ju)有(you)基極(ji)、發射極(ji)和(he)集(ji)電極(ji)。

3、MOSFET是(shi)高功率應(ying)用的理想選(xuan)擇(ze)，而BJT更常(chang)用于低電流(liu)應(ying)用。

4、BJT取決(jue)于其基極(ji)端子上的電(dian)流(liu)，而MOSFET取決(jue)于氧化物絕(jue)緣柵電(dian)極(ji)上的電(dian)壓。

5、MOSFET的結構本(ben)質上(shang)比BJT的結構更復(fu)雜(za)。

三、三極管的作用是什么

1、擴流

把(ba)一(yi)(yi)(yi)只小功(gong)率可控(kong)(kong)硅和一(yi)(yi)(yi)只大(da)(da)(da)功(gong)率三(san)極管(guan)組合(he)，就可得(de)到(dao)一(yi)(yi)(yi)只大(da)(da)(da)功(gong)率可控(kong)(kong)硅，其最(zui)大(da)(da)(da)輸出(chu)電(dian)流由(you)大(da)(da)(da)功(gong)率三(san)極管(guan)的特性決定(ding)，利用三(san)極管(guan)的電(dian)流放大(da)(da)(da)作用，將電(dian)容(rong)(rong)(rong)容(rong)(rong)(rong)量擴(kuo)大(da)(da)(da)若干(gan)倍。這種等效電(dian)容(rong)(rong)(rong)和一(yi)(yi)(yi)般(ban)電(dian)容(rong)(rong)(rong)器一(yi)(yi)(yi)樣，可浮置工(gong)作，適用于在長延時(shi)電(dian)路中作定(ding)時(shi)電(dian)容(rong)(rong)(rong)。

2、代換

兩(liang)只(zhi)三(san)極(ji)管串聯可(ke)(ke)直接(jie)代換調光臺燈中的雙(shuang)向觸發二極(ji)管，三(san)極(ji)管可(ke)(ke)代用(yong)(yong)8V左右的穩壓(ya)(ya)管。三(san)極(ji)管可(ke)(ke)代用(yong)(yong)30V左右的穩壓(ya)(ya)管。上(shang)述應(ying)用(yong)(yong)時，三(san)極(ji)管的基極(ji)均不使用(yong)(yong)。

3、模擬

用三(san)極管(guan)(guan)夠(gou)成的電(dian)(dian)路還可(ke)以模(mo)擬其它元器件。大(da)功(gong)率可(ke)變(bian)電(dian)(dian)阻(zu)價貴難覓，其穩(wen)(wen)壓原(yuan)理是：當(dang)加(jia)到(dao)A、B兩(liang)端(duan)的輸入電(dian)(dian)壓上(shang)升時，因三(san)極管(guan)(guan)的B、E結壓降基本不變(bian)，故R2兩(liang)端(duan)壓降上(shang)升，經過R2的電(dian)(dian)流上(shang)升，三(san)極管(guan)(guan)發射結正偏增強，其導通(tong)性(xing)也增強，C、E極間呈現的等效電(dian)(dian)阻(zu)減小，壓降降低，從而使AB端(duan)的輸入電(dian)(dian)壓下(xia)降。調節R2即可(ke)調節此模(mo)擬穩(wen)(wen)壓管(guan)(guan)的穩(wen)(wen)壓值。

四、三極管的工作原理是什么

三(san)極管(guan)工作(zuo)原理是(shi)(shi)(shi)(shi)：三(san)極管(guan)，是(shi)(shi)(shi)(shi)一(yi)種(zhong)電(dian)(dian)流控制電(dian)(dian)流的半導(dao)體器件，三(san)極管(guan)是(shi)(shi)(shi)(shi)在一(yi)塊(kuai)半導(dao)體基片上制作(zuo)兩(liang)個(ge)相(xiang)距很近的PN結，兩(liang)個(ge)PN結把整塊(kuai)半導(dao)體分成三(san)部(bu)分，中間部(bu)分是(shi)(shi)(shi)(shi)基區，兩(liang)側部(bu)分是(shi)(shi)(shi)(shi)發射區和集(ji)電(dian)(dian)區，從而完成工作(zuo)。