拋光(guang)片(pian)是用量(liang)最(zui)大的(de)(de)(de)產(chan)品(pin)，其(qi)他的(de)(de)(de)硅片(pian)產(chan)品(pin)都是在拋光(guang)片(pian)的(de)(de)(de)基礎(chu)上二次(ci)加(jia)工(gong)產(chan)生的(de)(de)(de)。

拋(pao)光片(pian)(pian)是最基(ji)礎、應用范圍最廣(guang)的(de)(de)硅(gui)片(pian)(pian)。拋(pao)光片(pian)(pian)可(ke)直接用于制作半導(dao)體器件(jian)，廣(guang)泛應用于存儲芯片(pian)(pian)與功率器件(jian)等(deng)，也可(ke)作為外延片(pian)(pian)、SOI硅(gui)片(pian)(pian)等(deng)其他類型(xing)硅(gui)片(pian)(pian)的(de)(de)襯底材料。

隨著集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路特征線寬的不斷縮小，光刻精度日益(yi)精細，硅片上(shang)極(ji)其(qi)微小的不平(ping)整都會造(zao)(zao)成(cheng)(cheng)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路圖形的形變(bian)和(he)錯位(wei)，硅片制造(zao)(zao)技術面臨越(yue)來越(yue)高(gao)的要求和(he)挑戰，硅片表面顆粒度和(he)潔凈(jing)度對半導體產品的良率(lv)也有(you)直接影響。

因此(ci)，拋光工藝對提高硅(gui)片表(biao)面(mian)的平整(zheng)度(du)和清(qing)潔(jie)度(du)至關重(zhong)要(yao)，主要(yao)原理為通(tong)過去除加工表(biao)面(mian)殘留的損傷(shang)層，實現半導(dao)體硅(gui)片表(biao)面(mian)平坦化，減小粗糙度(du)。