1、總頻差(cha)：在規定的時間內，由于(yu)規定的工作(zuo)和(he)非(fei)工作(zuo)參數全(quan)部組合而引起的晶體振蕩器(qi)頻率(lv)與給定標稱頻率(lv)的最大(da)偏差(cha)。

2、頻率溫(wen)(wen)度(du)(du)穩定度(du)(du)：在標稱電源和負(fu)載下，工作在規定溫(wen)(wen)度(du)(du)范圍內的不帶隱含基(ji)準溫(wen)(wen)度(du)(du)或帶隱含基(ji)準溫(wen)(wen)度(du)(du)的最大允許頻偏。

3、開(kai)(kai)機(ji)特性（頻(pin)(pin)(pin)率穩定(ding)預熱時(shi)間）：指開(kai)(kai)機(ji)后(hou)(hou)一(yi)段時(shi)間（如5分(fen)鐘）的(de)頻(pin)(pin)(pin)率到(dao)開(kai)(kai)機(ji)后(hou)(hou)另一(yi)段時(shi)間（如1小時(shi)）的(de)頻(pin)(pin)(pin)率的(de)變化率，表示(shi)了晶振達到(dao)穩定(ding)的(de)速度。

4、頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)老化(hua)率(lv)(lv)(lv)：在恒定的(de)(de)環境條(tiao)件(jian)下測量振(zhen)蕩器頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)時(shi)，振(zhen)蕩器頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)和時(shi)間之間的(de)(de)關(guan)系(xi)。這種(zhong)長期頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)漂(piao)移是(shi)由晶體元(yuan)件(jian)和振(zhen)蕩器元(yuan)件(jian)的(de)(de)緩慢變(bian)化(hua)造(zao)成的(de)(de)。因此(ci)，其頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)偏移的(de)(de)速率(lv)(lv)(lv)叫(jiao)老化(hua)率(lv)(lv)(lv)，可用規定時(shi)限后的(de)(de)最(zui)大變(bian)化(hua)率(lv)(lv)(lv)（如(ru)±10ppb/天，加(jia)電72小(xiao)時(shi)后），或規定的(de)(de)時(shi)限內最(zui)大的(de)(de)總頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)變(bian)化(hua)（如(ru)：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來(lai)表示。

5、短穩：短期(qi)穩定度。

6、頻率(lv)壓(ya)(ya)控范圍(wei)：將頻率(lv)控制電(dian)壓(ya)(ya)從(cong)基(ji)準(zhun)電(dian)壓(ya)(ya)調到規定的終點電(dian)壓(ya)(ya)，晶體振蕩(dang)器頻率(lv)的最小峰值改變量。

7、率壓(ya)控線性：與(yu)理想（直線）函(han)數相比的(de)輸出頻(pin)(pin)率-輸入控制電壓(ya)傳輸特性的(de)一種量度(du)，它(ta)以百分數表(biao)示(shi)整個范(fan)圍頻(pin)(pin)偏的(de)可容許(xu)非線性度(du)。

8、單(dan)邊帶(dai)(dai)相(xiang)位噪聲￡（f）：偏離(li)載波f處，一(yi)個(ge)相(xiang)位調制邊帶(dai)(dai)的功率密度(du)與載波功率之比。