1、總頻差：在規定的(de)(de)時間內，由于規定的(de)(de)工作(zuo)(zuo)和非(fei)工作(zuo)(zuo)參數全部組合(he)而引起的(de)(de)晶體振蕩器頻率(lv)與給定標稱頻率(lv)的(de)(de)最大偏差。

2、頻率溫(wen)度(du)(du)穩(wen)定(ding)度(du)(du)：在標稱電源(yuan)和負載(zai)下，工(gong)作在規(gui)定(ding)溫(wen)度(du)(du)范圍內(nei)的不帶(dai)隱(yin)含基準(zhun)溫(wen)度(du)(du)或帶(dai)隱(yin)含基準(zhun)溫(wen)度(du)(du)的最大允許(xu)頻偏(pian)。

3、開(kai)機(ji)特(te)性（頻(pin)率(lv)穩(wen)定預熱(re)時(shi)(shi)間(jian)）：指開(kai)機(ji)后一段時(shi)(shi)間(jian)（如(ru)5分(fen)鐘）的(de)頻(pin)率(lv)到開(kai)機(ji)后另一段時(shi)(shi)間(jian)（如(ru)1小時(shi)(shi)）的(de)頻(pin)率(lv)的(de)變化(hua)率(lv)，表示了晶振達到穩(wen)定的(de)速度。

4、頻(pin)率(lv)(lv)(lv)老化率(lv)(lv)(lv)：在恒定的(de)環境條件(jian)(jian)下測量振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)頻(pin)率(lv)(lv)(lv)時(shi)，振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)頻(pin)率(lv)(lv)(lv)和(he)時(shi)間之(zhi)間的(de)關系。這種長期(qi)頻(pin)率(lv)(lv)(lv)漂移(yi)是(shi)由(you)晶體元件(jian)(jian)和(he)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)元件(jian)(jian)的(de)緩慢(man)變化造(zao)成的(de)。因此，其頻(pin)率(lv)(lv)(lv)偏(pian)移(yi)的(de)速率(lv)(lv)(lv)叫(jiao)老化率(lv)(lv)(lv)，可用(yong)規(gui)定時(shi)限后(hou)(hou)的(de)最大(da)變化率(lv)(lv)(lv)（如±10ppb/天，加電72小時(shi)后(hou)(hou)），或(huo)規(gui)定的(de)時(shi)限內最大(da)的(de)總(zong)頻(pin)率(lv)(lv)(lv)變化（如：±1ppm/（第一(yi)年(nian)）和(he)±5ppm/（十年(nian)））來表示。

5、短穩：短期穩定(ding)度。

6、頻(pin)(pin)率(lv)壓控范圍(wei)：將(jiang)頻(pin)(pin)率(lv)控制電壓從(cong)基準電壓調到規定的終點電壓，晶體振(zhen)蕩(dang)器頻(pin)(pin)率(lv)的最小峰(feng)值(zhi)改變(bian)量。

7、率(lv)壓控線性(xing)：與(yu)理想（直線）函數相比的輸出頻率(lv)-輸入(ru)控制電壓傳(chuan)輸特性(xing)的一種量度，它以百分數表示整個范圍頻偏的可容許(xu)非線性(xing)度。

8、單邊帶(dai)(dai)相位(wei)噪聲￡（f）：偏離載(zai)波(bo)f處，一個相位(wei)調(diao)制(zhi)邊帶(dai)(dai)的功率(lv)(lv)密度(du)與載(zai)波(bo)功率(lv)(lv)之(zhi)比(bi)。