答復(fu)函中提及(ji)，為推動(dong)中國工業(ye)半導體材料、芯片、器件及(ji)IGBT模塊(kuai)產(chan)業(ye)發展，工信部(bu)、發展改(gai)革委及(ji)相關部(bu)門，積極研究出臺政策扶持(chi)產(chan)業(ye)發展。

一是(shi)2014年國務(wu)院發布的《推進(jin)綱(gang)要》中，已經將工(gong)業半導體芯片相(xiang)關產品作(zuo)為發展重點，通過資金、應用(yong)、人才(cai)等方面政策推動產業進(jin)步。

二(er)是發展(zhan)改革委、我(wo)部(bu)研(yan)究制定了集成(cheng)電路相關(guan)布局(ju)規劃，推動(dong)包括工(gong)業(ye)半導體材(cai)料、芯(xin)片(pian)等產業(ye)形成(cheng)區域集聚(ju)、主(zhu)體集中的(de)良性發展(zhan)局(ju)面。

三是(shi)按照國發(fa)〔2011〕4號文件的有關要求，對符合條件的工業(ye)半導(dao)體(ti)芯片設計(ji)、制(zhi)造等(deng)企業(ye)的企業(ye)所得稅(shui)、進(jin)口關稅(shui)等(deng)方(fang)面(mian)出臺了多項稅(shui)收優惠政策，對相關領域給予重點扶持。

四是圍繞能源、交(jiao)通(tong)等國(guo)家(jia)重點工業(ye)領(ling)域(yu)，充分發揮相(xiang)關行業(ye)組織作(zuo)用，通(tong)過舉辦產用交(jiao)流對接會、新產品推介會、發布典型應用示范案例等方式，為我國(guo)工業(ye)半導體芯片企業(ye)和整機企業(ye)搭建交(jiao)流合作(zuo)平臺(tai)。

下一步，工(gong)信部及(ji)相關部門將持續推(tui)進工(gong)業(ye)(ye)半導體(ti)(ti)材料、芯片、器(qi)件(jian)及(ji)IGBT模塊產業(ye)(ye)發展(zhan)，根據產業(ye)(ye)發展(zhan)形勢，調整(zheng)完善(shan)政(zheng)策實施細則，更好的(de)支持產業(ye)(ye)發展(zhan)。通過行業(ye)(ye)協會等加大產業(ye)(ye)鏈合作力(li)度，深(shen)入推(tui)進產學研用(yong)協同，促進我(wo)國工(gong)業(ye)(ye)半導體(ti)(ti)材料、芯片、器(qi)件(jian)及(ji)IGBT模塊產業(ye)(ye)的(de)技術迭代和應用(yong)推(tui)廣(guang)。

答復(fu)函中還提(ti)及，工信部與相關(guan)部門積極(ji)支持國(guo)內(nei)企(qi)業(ye)(ye)、高校、研究院所與先(xian)進(jin)發達(da)國(guo)家加強(qiang)交流合作。引進(jin)國(guo)外(wai)先(xian)進(jin)技術和研發團隊，推動包括工業(ye)(ye)半導(dao)體芯片、器件等領域國(guo)際(ji)專家來華交流，支持海(hai)外(wai)高層次(ci)產業(ye)(ye)人(ren)才(cai)來華發展，提(ti)升中國(guo)在工業(ye)(ye)半導(dao)體芯片相關(guan)領域的研發能力和技術實(shi)力。

下一(yi)步，工信部和相關(guan)部門將繼(ji)續加快(kuai)推進(jin)開放(fang)發(fa)(fa)展。引導國內企業(ye)(ye)(ye)、研究機(ji)構等加強與先進(jin)發(fa)(fa)達國家(jia)產(chan)學研機(ji)構的戰略合作，進(jin)一(yi)步鼓(gu)勵(li)中(zhong)國企業(ye)(ye)(ye)引進(jin)國外專家(jia)團隊，促進(jin)中(zhong)國工業(ye)(ye)(ye)半導體材料、芯片(pian)、器件及IGBT模塊產(chan)業(ye)(ye)(ye)研發(fa)(fa)能力和產(chan)業(ye)(ye)(ye)能力的提升。

工信部回復稱，為解決工業半(ban)(ban)導體材料、芯片(pian)、器件(jian)、IGBT模塊(kuai)等(deng)核心部件(jian)的關鍵性技術(shu)問題，工信部等(deng)相關部門積極支(zhi)持工業半(ban)(ban)導體材料、芯片(pian)、器件(jian)、IGBT模塊(kuai)領域關鍵技術(shu)攻關。

一(yi)是(shi)2017年(nian)工(gong)信部推出“工(gong)業強基IGBT器件一(yi)條龍應用計(ji)劃(hua)”，針對(dui)新能源(yuan)汽車、智(zhi)能電網、軌道交通三大領域，重點支(zhi)持IGBT設(she)計(ji)、芯(xin)片制造(zao)、模塊生產(chan)(chan)及IDM、上游(you)材料、生產(chan)(chan)設(she)備(bei)制造(zao)等(deng)環(huan)節，促進IGBT及相關(guan)產(chan)(chan)業的發展(zhan)。

二是指導湖南省(sheng)建立(li)功率半導體制造業(ye)創新中(zhong)心建設(she)，整合產(chan)業(ye)鏈(lian)上下游資源，協同(tong)攻(gong)關工業(ye)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(ling)域關鍵共性技術。

三(san)是指(zhi)導(dao)(dao)中國寬禁(jin)帶半導(dao)(dao)體及應用產(chan)業(ye)(ye)聯盟發布《中國IGBT技(ji)術與產(chan)業(ye)(ye)發展(zhan)路線圖(2018-2030)》，引導(dao)(dao)我國IGBT行業(ye)(ye)技(ji)術升級，推動相關(guan)產(chan)業(ye)(ye)發展(zhan)。

下(xia)一步，工(gong)信部(bu)將繼續支持我(wo)國工(gong)業半導體領域(yu)成熟技術發(fa)展，推動中(zhong)國芯片(pian)(pian)制造領域(yu)良(liang)率、產(chan)量的(de)提升。積極部(bu)署(shu)新材料及(ji)新一代(dai)產(chan)品技術的(de)研發(fa)，推動我(wo)國工(gong)業半導體材料、芯片(pian)(pian)、器(qi)件(jian)、IGBT模塊產(chan)業的(de)發(fa)展。

工信部表示，當前(qian)，人才(cai)問題特(te)別是高端(duan)人才(cai)團隊短缺成為(wei)制約中(zhong)國工業半導(dao)體材料、芯片、器件及(ji)IGBT模塊產業可持續發(fa)展(zhan)的關(guan)鍵(jian)因素，為(wei)此(ci)工信部及(ji)相(xiang)關(guan)部門(men)積極推(tui)動中(zhong)國相(xiang)關(guan)產業人才(cai)的培養(yang)。

一是工信(xin)部、教育部共同(tong)推動籌建集(ji)成電路產(chan)教融合發展(zhan)聯盟，促進產(chan)業界(jie)和學(xue)術界(jie)的資源整合，推動培養擁(yong)有工程化(hua)能力(li)的產(chan)業人才。

二是同時以(yi)集成電(dian)路為試點實(shi)施關(guan)鍵(jian)領域核心技(ji)術緊(jin)缺博(bo)士人才(cai)自主培(pei)養專項，根據行業(ye)企(qi)業(ye)需要，依托高(gao)(gao)水平大學和(he)國內骨干企(qi)業(ye)，針對(dui)性地培(pei)養一批高(gao)(gao)端博(bo)士人才(cai)。

三(san)是教育部、工信(xin)部等相關部門印發(fa)了《關于支(zhi)持有關高(gao)(gao)校建(jian)設示范性微(wei)(wei)電子(zi)學(xue)院的通(tong)知》，支(zhi)持26所高(gao)(gao)校建(jian)設或籌建(jian)示范性微(wei)(wei)電子(zi)學(xue)院，推動高(gao)(gao)校與區域內集成電路領域骨干企業、國家公(gong)共服務(wu)平臺、科技創新平臺、產業化基地和地方(fang)政府等加(jia)強(qiang)合作(zuo)。

工信部(bu)表示，下一(yi)(yi)步，與教(jiao)育(yu)部(bu)等(deng)部(bu)門將進一(yi)(yi)步加(jia)強(qiang)人才隊伍建(jian)設。推進設立集(ji)成(cheng)電路一(yi)(yi)級學科(ke)，進一(yi)(yi)步做(zuo)實做(zuo)強(qiang)示范(fan)性(xing)微電子(zi)學院，加(jia)快(kuai)建(jian)設集(ji)成(cheng)電路產(chan)教(jiao)融合協(xie)同育(yu)人平(ping)臺，保障我國(guo)在工業(ye)半導體材料、芯片、器(qi)件(jian)及IGBT模塊(kuai)產(chan)業(ye)的(de)可(ke)持續發展(zhan)。