答復函中(zhong)提及(ji)(ji)，為推動中(zhong)國工業(ye)半導體材料(liao)、芯片、器(qi)件及(ji)(ji)IGBT模塊產(chan)業(ye)發(fa)展，工信部、發(fa)展改革委及(ji)(ji)相關部門，積(ji)極研究出臺(tai)政策(ce)扶持產(chan)業(ye)發(fa)展。

一是(shi)2014年國務(wu)院發布的(de)《推(tui)進綱(gang)要》中，已經將工業(ye)半(ban)導體芯片相關產品作(zuo)為發展重點，通過資金、應用、人才等方(fang)面政策推(tui)動產業(ye)進步。

二是(shi)發(fa)展(zhan)改革委(wei)、我部研究(jiu)制定了集成(cheng)(cheng)電路相(xiang)關(guan)布局(ju)規劃，推動包(bao)括工業(ye)半導(dao)體(ti)材料(liao)、芯片等產業(ye)形(xing)成(cheng)(cheng)區域集聚、主體(ti)集中的良性發(fa)展(zhan)局(ju)面。

三是按照國發〔2011〕4號文件的(de)有關(guan)(guan)要(yao)求，對(dui)符合(he)條件的(de)工業半導(dao)體芯片設計、制造等企業的(de)企業所(suo)得稅、進口關(guan)(guan)稅等方(fang)面出(chu)臺了多項稅收(shou)優惠政策，對(dui)相關(guan)(guan)領域給予重(zhong)點扶持。

四是圍(wei)繞能源(yuan)、交通等(deng)國(guo)家重點(dian)工業(ye)(ye)領域，充分發揮相(xiang)關(guan)行業(ye)(ye)組織作用(yong)，通過舉辦(ban)產用(yong)交流對接會、新產品推(tui)介會、發布(bu)典型應用(yong)示范(fan)案例等(deng)方(fang)式，為(wei)我國(guo)工業(ye)(ye)半導(dao)體芯片企業(ye)(ye)和整機企業(ye)(ye)搭(da)建(jian)交流合作平臺。

下一步(bu)，工(gong)(gong)信(xin)部及(ji)(ji)相關部門將持續推進工(gong)(gong)業(ye)半導體材料、芯(xin)片(pian)、器(qi)件(jian)及(ji)(ji)IGBT模(mo)塊產(chan)(chan)業(ye)發展(zhan)(zhan)，根據產(chan)(chan)業(ye)發展(zhan)(zhan)形(xing)勢，調(diao)整完(wan)善政策實(shi)施(shi)細則(ze)，更(geng)好的(de)支持產(chan)(chan)業(ye)發展(zhan)(zhan)。通過行業(ye)協(xie)會等(deng)加大(da)產(chan)(chan)業(ye)鏈合(he)作力度(du)，深(shen)入推進產(chan)(chan)學(xue)研用(yong)協(xie)同，促進我國(guo)工(gong)(gong)業(ye)半導體材料、芯(xin)片(pian)、器(qi)件(jian)及(ji)(ji)IGBT模(mo)塊產(chan)(chan)業(ye)的(de)技術迭代和應用(yong)推廣(guang)。

答復函中還提(ti)及，工(gong)信(xin)部(bu)與相關(guan)部(bu)門積極支(zhi)持國內(nei)企業、高校、研究院所與先進發達國家(jia)加強交流(liu)合作(zuo)。引進國外(wai)先進技(ji)術和研發團(tuan)隊(dui)，推動包(bao)括工(gong)業半(ban)導體芯片、器件等領域(yu)國際專(zhuan)家(jia)來華交流(liu)，支(zhi)持海外(wai)高層(ceng)次產業人才來華發展(zhan)，提(ti)升中國在(zai)工(gong)業半(ban)導體芯片相關(guan)領域(yu)的研發能(neng)力(li)和技(ji)術實力(li)。

下一(yi)步，工信部和(he)(he)相關部門(men)將繼續加快推進(jin)開放(fang)發(fa)(fa)展。引(yin)導國(guo)內企(qi)業(ye)(ye)、研(yan)(yan)究機(ji)構等加強與(yu)先(xian)進(jin)發(fa)(fa)達國(guo)家產學(xue)研(yan)(yan)機(ji)構的戰(zhan)略合作(zuo)，進(jin)一(yi)步鼓勵(li)中國(guo)企(qi)業(ye)(ye)引(yin)進(jin)國(guo)外專家團(tuan)隊，促進(jin)中國(guo)工業(ye)(ye)半(ban)導體材料、芯片(pian)、器件及IGBT模塊產業(ye)(ye)研(yan)(yan)發(fa)(fa)能(neng)力和(he)(he)產業(ye)(ye)能(neng)力的提(ti)升。

工信部(bu)回復稱(cheng)，為解(jie)決工業(ye)半導體材料(liao)(liao)、芯(xin)(xin)片、器件(jian)(jian)、IGBT模塊等核心部(bu)件(jian)(jian)的關(guan)(guan)鍵(jian)性(xing)技術問題，工信部(bu)等相關(guan)(guan)部(bu)門積極支持工業(ye)半導體材料(liao)(liao)、芯(xin)(xin)片、器件(jian)(jian)、IGBT模塊領域關(guan)(guan)鍵(jian)技術攻關(guan)(guan)。

一是2017年工(gong)信部推(tui)出(chu)“工(gong)業強基(ji)IGBT器件一條(tiao)龍(long)應用(yong)計劃”，針對新能(neng)(neng)源汽(qi)車、智能(neng)(neng)電網、軌道交通三(san)大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產(chan)及IDM、上游材料、生產(chan)設備制造等環節，促(cu)進IGBT及相(xiang)關產(chan)業的發展(zhan)。

二是指導湖南省建立(li)功率半導體(ti)制造業創新中心建設，整合產業鏈上下游資源，協同攻關工業半導體(ti)材料、芯片、器(qi)件、IGBT模塊(kuai)領域(yu)關鍵共性技術。

三是指導中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)寬(kuan)禁帶半導體及應用產業(ye)聯(lian)盟發布(bu)《中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)IGBT技(ji)術(shu)與(yu)產業(ye)發展路線圖(2018-2030)》，引導我國(guo)(guo)IGBT行業(ye)技(ji)術(shu)升級，推動(dong)相關產業(ye)發展。

下一步(bu)，工(gong)信部將繼續(xu)支持我(wo)國工(gong)業(ye)半(ban)導體領域(yu)成熟技術發展，推動(dong)中國芯(xin)片制(zhi)造領域(yu)良率、產量的提升。積(ji)極(ji)部署新材料及新一代(dai)產品技術的研發，推動(dong)我(wo)國工(gong)業(ye)半(ban)導體材料、芯(xin)片、器件、IGBT模(mo)塊產業(ye)的發展。

工(gong)信部(bu)表示(shi)，當前，人(ren)才問題特別(bie)是高端人(ren)才團隊(dui)短缺成為(wei)制約(yue)中國工(gong)業半導體材料(liao)、芯片、器件及IGBT模塊產業可持(chi)續發展的關鍵因素，為(wei)此工(gong)信部(bu)及相(xiang)關部(bu)門積極推動(dong)中國相(xiang)關產業人(ren)才的培養(yang)。

一是工(gong)信部、教育(yu)部共(gong)同推動(dong)籌建集(ji)成(cheng)電路產教融合發展聯盟(meng)，促(cu)進(jin)產業界和學術界的資源整(zheng)合，推動(dong)培養擁有工(gong)程(cheng)化能(neng)力的產業人才(cai)。

二是同時以集成電路為(wei)試點(dian)實施關鍵領域核心技術緊缺(que)博士人才自主培養專(zhuan)項，根據行(xing)業企業需要，依托高水(shui)平大(da)學(xue)和(he)國(guo)內骨干企業，針對性地培養一批高端博士人才。

三是(shi)教育部(bu)、工信部(bu)等相關部(bu)門印發了《關于支(zhi)持有關高(gao)(gao)校建設(she)示范性(xing)微(wei)電(dian)(dian)子學院的通知》，支(zhi)持26所高(gao)(gao)校建設(she)或籌(chou)建示范性(xing)微(wei)電(dian)(dian)子學院，推(tui)動高(gao)(gao)校與區(qu)域(yu)內(nei)集(ji)成電(dian)(dian)路(lu)領(ling)域(yu)骨干企業(ye)、國家公(gong)共(gong)服務平臺、科技創新(xin)平臺、產業(ye)化基(ji)地和地方政府等加(jia)強合作(zuo)。

工信部(bu)表(biao)示，下一步，與(yu)教育部(bu)等部(bu)門將進(jin)一步加強人才隊伍建設(she)。推進(jin)設(she)立集(ji)成電路(lu)一級(ji)學(xue)科，進(jin)一步做(zuo)實做(zuo)強示范性微電子學(xue)院，加快建設(she)集(ji)成電路(lu)產教融(rong)合協同(tong)育人平臺，保障我國在工業(ye)半導體材(cai)料(liao)、芯片、器件及IGBT模塊產業(ye)的可持續(xu)發展。