一、中國芯片發展的4個階段

我國芯片產業的發展(zhan)(zhan)大致(zhi)可分(fen)為四個階段，分(fen)別(bie)是1956-1978年自(zi)力更生的初創期(qi)、1979-1989年改革開放后(hou)的探索發展(zhan)(zhan)期(qi)、1990-1999年重(zhong)點建設(she)時期(qi)、2000年以來的快速發展(zhan)(zhan)時期(qi)。

自2000年(nian)以來，我國(guo)的(de)芯片產業(ye)進(jin)入了(le)快速發(fa)展時(shi)期。在(zai)(zai)該時(shi)期內，國(guo)家及各級政府從財稅、投(tou)融資環境(jing)、研究(jiu)開發(fa)、進(jin)出(chu)口、人才等幾個方面(mian)在(zai)(zai)國(guo)內市場加大了(le)對芯片和(he)相關軟件產業(ye)的(de)扶持力(li)度，這些舉措進(jin)一步優化了(le)芯片產業(ye)發(fa)展環境(jing)，培育(yu)了(le)一批具有實力(li)和(he)影響(xiang)力(li)的(de)企(qi)業(ye)。

二、中國芯片的發展歷程

中(zhong)國的芯(xin)片發展史(shi)，最早要(yao)追溯到20世(shi)紀五(wu)十年代。

1956年，在周(zhou)恩來總理的重點關(guan)注下，半導(dao)體技術(shu)被列入國家重要(yao)的科學技術(shu)項(xiang)目。由此(ci)中國開始了漫長(chang)的半導(dao)體全面攻(gong)堅戰。

1947年(nian)12月23日，美國貝爾實驗(yan)室正(zheng)式(shi)地成功(gong)演示了(le)第一個基(ji)于鍺半(ban)導體(ti)的具(ju)有放(fang)大功(gong)能的點(dian)接觸(chu)式(shi)晶體(ti)管，標(biao)志著現代半(ban)導體(ti)產業的誕生和信(xin)息(xi)時代的開啟。

1960年，中(zhong)科院(yuan)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)所和河北半(ban)導(dao)(dao)體(ti)所正式成立，標(biao)志(zhi)著我國半(ban)導(dao)(dao)體(ti)工(gong)業體(ti)系初步(bu)建(jian)成。

此時(shi)(shi)(shi)全世界各(ge)國(guo)(guo)都在(zai)積蓄力量發(fa)展科技，然而此時(shi)(shi)(shi)的(de)中(zhong)國(guo)(guo)在(zai)這場科技戰(zhan)爭(zheng)打響(xiang)前時(shi)(shi)(shi)期，中(zhong)國(guo)(guo)卻顯(xian)現出無(wu)力感，集(ji)成電路等(deng)先進(jin)技術在(zai)國(guo)(guo)際社會的(de)施壓之下，讓中(zhong)國(guo)(guo)斷了與國(guo)(guo)際技術交(jiao)流。再者就是當時(shi)(shi)(shi)中(zhong)國(guo)(guo)還在(zai)進(jin)行文革，街上浮現的(de)是甚是夸(kua)張的(de)標(biao)語：街邊隨(sui)便的(de)一(yi)個老(lao)太太在(zai)弄堂(tang)里拉一(yi)個爐子都能做出半導體(ti)。

技(ji)術(shu)更(geng)迭速度是(shi)非常的迅速，中國(guo)至此已經開始落后。

1960年，國營江南無線電器材廠就(jiu)成立于(yu)無錫一(yi)個名為棉花巷(xiang)的(de)地方(fang)，200左右名員(yuan)工(gong)的(de)主要任務就(jiu)是生產二極管。隨(sui)后在1968年底，國家“大力發展(zhan)電子工(gong)業”的(de)號召從上(shang)傳到(dao)下，國防工(gong)業軍管小(xiao)組大手一(yi)揮，無錫無線電機械學校與“742”廠合并(bing)，開始搞新型半導(dao)體工(gong)藝設備的(de)研(yan)究、試制和生產。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發展(zhan)規(gui)劃，四年之后，籌備許久的關于中(zhong)國芯的第一個發展(zhan)戰略(lve)誕生——“531”戰略(lve)。

1988年(nian)，我國集成電路產量(liang)達到1億塊，標(biao)志著我國開(kai)始進入工業(ye)化大生產，比老美晚了22年(nian)，比日(ri)本晚了20年(nian)，從1965年(nian)的第一塊集成電路，中國用了漫漫的23年(nian)。

“531”戰(zhan)略(lve)的成功，讓(rang)當時的中國人充滿了斗志(zhi)，于是908工程順利誕生(sheng)，當時計劃(hua)投入20億(yi)資金，但是這一計劃(hua)在(zai)審核階(jie)段就花費(fei)了整(zheng)整(zheng)兩(liang)年的時間，兩(liang)年時間說(shuo)長(chang)不長(chang)，但是對于高(gao)新技術(shu)發展來(lai)說(shuo)卻是漫(man)長(chang)的一段時間。1997年無(wu)錫華晶才建成，此時已經(jing)整(zheng)整(zheng)落(luo)后(hou)其他國家一大截(jie)。

20世(shi)紀90年代，國家領導人在(zai)參觀了(le)三星集成電路生產線后(hou)意識(shi)到(dao)了(le)中國在(zai)集成電路方(fang)面的(de)落(luo)后(hou)。當時帶(dai)回來(lai)的(de)是(shi)“觸目驚(jing)心”的(de)四字感嘆。在(zai)如此背景下誕生了(le)909工(gong)(gong)程(cheng)。909工(gong)(gong)程(cheng)的(de)審批上吸(xi)取(qu)了(le)908的(de)教訓。資金計(ji)劃審批幾乎(hu)是(shi)即刻(ke)就到(dao)位(wei)了(le)。

2001年對(dui)中國(guo)(guo)人來說是(shi)一(yi)個不(bu)平凡的(de)(de)一(yi)年，2001年中國(guo)(guo)申奧成功，2001年“方(fang)舟(zhou)1號”誕生。此時(shi)中國(guo)(guo)的(de)(de)龍芯項(xiang)目(mu)也(ye)在悄然地進行著。當(dang)時(shi)龍芯項(xiang)目(mu)所遇(yu)也(ye)是(shi)困難重(zhong)重(zhong)，由于(yu)技術上面(mian)的(de)(de)不(bu)成熟，無法得到市場的(de)(de)認(ren)可。

2006年，“核(he)(he)高(gao)基”重大專項(xiang)(xiang)正式上馬。“核(he)(he)高(gao)基”是“核(he)(he)心電子(zi)器(qi)件、高(gao)端通用芯(xin)片(pian)及基礎軟件產品”的簡稱。當年，國務(wu)院頒(ban)布(bu)了《國家中長期科學和(he)技(ji)術發展規劃綱(gang)要（2006－2020年）》，將“核(he)(he)高(gao)基”列為(wei)16個科技(ji)重大專項(xiang)(xiang)之(zhi)首，與載人航天、探(tan)月(yue)工程等并列。

現在的(de)美國技術制裁的(de)情(qing)況下，換種思路考(kao)慮何(he)嘗不是(shi)促(cu)進(jin)中國的(de)高新技術發展了，希望國家砥礪前行(xing)，美國是(shi)否是(shi)搬(ban)起(qi)石頭砸(za)自己的(de)腳，讓我們拭目以待。