高效多結太(tai)陽(yang)能(neng)電池技術 器(qi)件結構和系統的優(you)化(hua)設計(ji)

太(tai)陽(yang)能(neng)光伏(fu)技術經過近幾十年的發(fa)(fa)展，已經在(zai)新能(neng)源(yuan)領域確立了其重要(yao)地位。大力發(fa)(fa)展太(tai)陽(yang)能(neng)光伏(fu)發(fa)(fa)電(dian)已成為人類解決(jue)未來能(neng)源(yuan)問(wen)題的重要(yao)途徑。在(zai)產(chan)業界，當(dang)前太(tai)陽(yang)能(neng)技術的重點仍是硅(gui)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池，包括多晶硅(gui)和(he)非晶硅(gui)薄膜電(dian)池等。

由(you)于(yu)(yu)多晶硅和(he)非(fei)晶硅薄(bo)膜電池(chi)(chi)(chi)具有相對較高(gao)(gao)的(de)(de)轉(zhuan)換效率和(he)相對較低的(de)(de)成本(ben)，逐(zhu)漸成為市場的(de)(de)主導產品。而其它種類(lei)的(de)(de)薄(bo)膜電池(chi)(chi)(chi)由(you)于(yu)(yu)技(ji)術(shu)不(bu)是很(hen)成熟，似(si)乎很(hen)難在(zai)(zai)短期內替代硅系太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)。目前的(de)(de)硅系太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)最高(gao)(gao)轉(zhuan)換效率只有20%左(zuo)右，要想再進一步(bu)提高(gao)(gao)已(yi)經非(fei)常(chang)困難。眾(zhong)所周知，提高(gao)(gao)轉(zhuan)換效率和(he)降低成本(ben)是太(tai)陽(yang)能(neng)光(guang)伏技(ji)術(shu)中的(de)(de)根本(ben)因(yin)素。開展高(gao)(gao)效太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)技(ji)術(shu)研究(jiu)(jiu)，開發(fa)新的(de)(de)電池(chi)(chi)(chi)材料、電池(chi)(chi)(chi)結構，也一直是該領域的(de)(de)熱點。在(zai)(zai)這其中，高(gao)(gao)效多結太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)技(ji)術(shu)的(de)(de)研究(jiu)(jiu)尤為引人注目。

認識高效多結太陽能電池技術

一(yi)般所(suo)說(shuo)的(de)高效(xiao)多(duo)結(jie)太陽能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)是指針對太陽光譜，在不同的(de)波段選取不同頻寬的(de)半導體(ti)材(cai)料(liao)(liao)做(zuo)成多(duo)個太陽能(neng)子電(dian)池(chi)(chi)(chi)，最后(hou)將這些子電(dian)池(chi)(chi)(chi)串聯形成多(duo)結(jie)太陽能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)。目前研(yan)究較多(duo)的(de)III-V族材(cai)料(liao)(liao)體(ti)系(xi)，如InGaP/GaAs/Ge三結(jie)電(dian)池(chi)(chi)(chi)，所(suo)報(bao)導的(de)轉換(huan)效(xiao)率可(ke)達(da)42.8%左右。也有選取II-VI族材(cai)料(liao)(liao)的(de)，但(dan)目前還(huan)處于研(yan)究階段。本文將主要介紹InGaP/GaAs/Ge等III-V族材(cai)料(liao)(liao)體(ti)系(xi)。

圖(tu)(tu)1是一(yi)個(ge)典(dian)型(xing)的(de)(de)多結太陽(yang)能電(dian)池(chi)示意(yi)圖(tu)(tu)。其(qi)中(zhong)頂層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)InGaP電(dian)池(chi)、中(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)GaAs電(dian)池(chi)和(he)底層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)Ge電(dian)池(chi)帶隙分別為1.86eV、1.40eV和(he)0.65eV。在頂層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)中(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)相鄰(lin)兩個(ge)電(dian)池(chi)間設有寬(kuan)帶隙的(de)(de)異質(zhi)結構隧道(dao)結，使得入(ru)射光能順利通過(guo)頂層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)電(dian)池(chi)到達中(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)GaAs電(dian)池(chi)。同時提供高的(de)(de)結間勢壘，防(fang)止兩層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中(zhong)產(chan)生的(de)(de)少子擴散。

高效多結太(tai)陽(yang)能電池(chi)技術 器(qi)件結構和系統的優化設計(ji)

多結太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池經(jing)過近十幾年的(de)發展，其在太(tai)空領(ling)域(yu)已經(jing)被(bei)廣泛應(ying)用，效率紀錄也不斷被(bei)刷新。但由于成本等原因(yin)，很難得以大規模地(di)面推(tui)廣。因(yin)此必須(xu)盡(jin)可能(neng)地(di)提高(gao)其轉換(huan)效率，降低成本，才能(neng)顯出其優勢(shi)。

目前降低成本主要采用聚(ju)(ju)光鏡(jing)技(ji)術，將太陽光通(tong)過透鏡(jing)收集起來，大大減小(xiao)了芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)面積。日(ri)本夏普公(gong)司2007年(nian)底公(gong)布了1000倍(bei)聚(ju)(ju)光、轉(zhuan)換效率(lv)(lv)高(gao)達40％的(de)(de)(de)(de)(de)4.5mm2的(de)(de)(de)(de)(de)InGaPAs系多(duo)結太陽能(neng)電(dian)池單元。2008年(nian)初，Delaware大學(xue)的(de)(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)(de)研究團(tuan)隊(dui)研制的(de)(de)(de)(de)(de)超高(gao)效太陽能(neng)電(dian)池（VHESC），僅在20個(ge)太陽的(de)(de)(de)(de)(de)聚(ju)(ju)光條件下即可(ke)實現42.8%的(de)(de)(de)(de)(de)組(zu)合效率(lv)(lv)。2008年(nian)8月，美(mei)國能(neng)源部可(ke)再生能(neng)源實驗室（NREL）宣(xuan)(xuan)布，采用倒置贗形三結結構的(de)(de)(de)(de)(de)太陽能(neng)電(dian)池在326個(ge)太陽的(de)(de)(de)(de)(de)聚(ju)(ju)光條件下，其光電(dian)轉(zhuan)化效率(lv)(lv)可(ke)達40.8%，并宣(xuan)(xuan)稱這是迄今為止光伏技(ji)術中(zhong)被證(zheng)實的(de)(de)(de)(de)(de)最高(gao)效率(lv)(lv)。隨著效率(lv)(lv)紀錄不(bu)斷被刷新，高(gao)效多(duo)結太陽能(neng)電(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)研發也正進一(yi)步(bu)深入。

太陽能電池新材料的研發現狀

為了提高多(duo)結太陽能電池的轉換效率，研究者們從新材料(liao)開(kai)發、器件結構乃至整個系統等(deng)方面對多(duo)結太陽能電池進行了優化。在新材料(liao)開(kai)發方面，主要有(you)摻氮材料(liao)、量子點結構，以及In(Ga)N氮化物材料(liao)。

新型材料的(de)(de)(de)研(yan)發始(shi)終是一個活躍的(de)(de)(de)領域，研(yan)究者們(men)首先(xian)想(xiang)到(dao)的(de)(de)(de)是摻氮材料。因為從III-V族半導體(ti)能帶結(jie)構(gou)和晶格(ge)常數關系圖中可以看(kan)出(chu)，對于(yu)GaInNAs材料四(si)元材料的(de)(de)(de)晶格(ge)和GaAs匹配，頻寬為在(zai)(zai)(zai)1.05eV附近，若將其加(jia)到(dao)GaInP/GaAs/Ge三結(jie)結(jie)構(gou)上，產生(sheng)的(de)(de)(de)四(si)結(jie)電池（1.88/1.42/1.05/0.67eV），其頻寬更(geng)加(jia)接近理想(xiang)值。在(zai)(zai)(zai)具(ju)有相同(tong)結(jie)數的(de)(de)(de)器件中，效率(lv)可達到(dao)最(zui)大。對于(yu)多(duo)結(jie)太陽(yang)能電池來(lai)說，它似(si)乎是實現高效率(lv)的(de)(de)(de)最(zui)理想(xiang)的(de)(de)(de)方法。但是，復雜的(de)(de)(de)四(si)元材料體(ti)系在(zai)(zai)(zai)生(sheng)長上很難保證材料的(de)(de)(de)品質(zhi)，更(geng)無法保證材料的(de)(de)(de)重復性(xing)穩定性(xing)等(deng)問(wen)題(ti)。比如少(shao)數載流子擴散(san)長度的(de)(de)(de)問(wen)題(ti)就(jiu)阻(zu)礙了GaInNAs材料的(de)(de)(de)進展。近十年來(lai)，GaInNAs在(zai)(zai)(zai)光伏方面(mian)的(de)(de)(de)應用正在(zai)(zai)(zai)逐漸(jian)減少(shao)。

其(qi)次，量(liang)子(zi)點(dian)(dian)結(jie)(jie)(jie)構也是(shi)新材料開發(fa)方面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱點(dian)(dian)。主要理(li)念是(shi)將(jiang)量(liang)子(zi)點(dian)(dian)層(ceng)(ceng)放在(zai)(zai)p-n結(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)耗盡區內，在(zai)(zai)光生(sheng)(sheng)(sheng)載流子(zi)復合(he)之(zhi)前被集中(zhong)起來。這其(qi)實是(shi)一種(zhong)使(shi)用中(zhong)間帶的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方法，通過提高(gao)(gao)量(liang)子(zi)效(xiao)率(lv)(lv)來獲得高(gao)(gao)效(xiao)率(lv)(lv)。很容易看出，必須有足夠多的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)品質量(liang)子(zi)點(dian)(dian)作為(wei)(wei)吸收(shou)層(ceng)(ceng)才能(neng)實現提高(gao)(gao)效(xiao)率(lv)(lv)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，這就(jiu)在(zai)(zai)量(liang)子(zi)點(dian)(dian)材料生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)方面提出了很高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)要求。例如，日本(ben)筑(zhu)波(bo)大學(xue)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究者利用量(liang)子(zi)點(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)單(dan)元的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光電(dian)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)(lv)可達到(dao)8.54％。其(qi)量(liang)子(zi)點(dian)(dian)型(xing)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)是(shi)在(zai)(zai)p-n結(jie)(jie)(jie)之(zhi)間層(ceng)(ceng)疊多個(ge)量(liang)子(zi)點(dian)(dian)層(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)1cm2的(de)(de)(de)(de)(de)(de)GaAs襯(chen)底上(shang)(shang)交(jiao)替疊加了30層(ceng)(ceng)GaNAs和30層(ceng)(ceng)InAs的(de)(de)(de)(de)(de)(de)超晶格(ge)結(jie)(jie)(jie)構（見圖2）。在(zai)(zai)GaNAs上(shang)(shang)生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)InAs時，自組織生(sheng)(sheng)(sheng)成高(gao)(gao)為(wei)(wei)3～4nm、直徑為(wei)(wei)20～30nm的(de)(de)(de)(de)(de)(de)量(liang)子(zi)點(dian)(dian)。同(tong)時，超晶格(ge)結(jie)(jie)(jie)構導致量(liang)子(zi)點(dian)(dian)之(zhi)間產生(sheng)(sheng)(sheng)結(jie)(jie)(jie)合(he)后(hou)，在(zai)(zai)傳導帶上(shang)(shang)形成微帶，使(shi)各種(zhong)波(bo)長(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光吸收(shou)成為(wei)(wei)可能(neng)。多個(ge)早期研(yan)究量(liang)子(zi)點(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究組目(mu)前正對量(liang)子(zi)點(dian)(dian)在(zai)(zai)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)應用進行(xing)深入(ru)研(yan)究，如英國(guo)格(ge)拉斯哥大學(xue)、日本(ben)東京大學(xue)等。量(liang)子(zi)點(dian)(dian)型(xing)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)理(li)論轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)(lv)可達60％以上(shang)(shang)，是(shi)頗受矚目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)效(xiao)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)候選者之(zhi)一。

高效多結太陽能電池(chi)技術(shu) 器件(jian)結構和系統的優化設計

InN和(he)InGaN的(de)全氮化物(wu)太陽能電(dian)池是(shi)一(yi)種非常吸引人的(de)高效電(dian)池，理論上(shang)它可以連續(xu)復蓋0.7到(dao)2.4eV光譜。南京大學的(de)研(yan)(yan)究(jiu)者們通過計算得出，在理想情況下(xia)，InGaN材(cai)料(liao)(liao)應用(yong)于單結、雙(shuang)結和(he)三(san)結太陽電(dian)池時，其轉換效率可分(fen)別高達27.3%、36.6%和(he)41.3%。但是(shi)，氮化物(wu)本身也存在很多問(wen)題，如襯底材(cai)料(liao)(liao)選擇、材(cai)料(liao)(liao)品質控(kong)制、p型材(cai)料(liao)(liao)的(de)摻雜、隧道二極管的(de)問(wen)題等，因此目前(qian)的(de)研(yan)(yan)究(jiu)還處于開發基礎材(cai)料(liao)(liao)和(he)器(qi)件(jian)的(de)階段(duan)。

器件結構和系統的優化設計

器件結(jie)(jie)構和系(xi)統的優化設計也是(shi)提高多結(jie)(jie)太陽(yang)能電(dian)池效率的重要(yao)方法。器件結(jie)(jie)構及系(xi)統改進方面主要(yao)包(bao)括(kuo)贗形層(ceng)結(jie)(jie)構、機械疊加結(jie)(jie)結(jie)(jie)構等(deng)等(deng)。

贗(yan)形層結(jie)構是指在已有的(de)GaInP/GaAs/Ge三結(jie)電(dian)池(chi)上增加一(yi)個晶格失配層（贗(yan)形層），其(qi)實這是結(jie)合材料(liao)生長與器(qi)件結(jie)構優化的(de)一(yi)種方法。

一般多(duo)(duo)結(jie)(jie)電(dian)(dian)池的(de)(de)(de)外延層(ceng)是(shi)晶格失(shi)配生(sheng)長(chang)，會產生(sheng)很多(duo)(duo)位錯，減少(shao)了少(shao)子擴散長(chang)度，降低了器(qi)件性(xing)(xing)能(neng)。在(zai)(zai)贗(yan)形(xing)層(ceng)結(jie)(jie)構(gou)多(duo)(duo)結(jie)(jie)太陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)池中(zhong)，使(shi)用(yong)組(zu)分漸變方法在(zai)(zai)GaInP/GaAs雙結(jie)(jie)上(shang)(shang)生(sheng)長(chang)InGaAs結(jie)(jie)，使(shi)得所有位錯都(dou)局限在(zai)(zai)低頻寬的(de)(de)(de)InGaAs結(jie)(jie)中(zhong)。其實贗(yan)形(xing)層(ceng)方法在(zai)(zai)GaAs基HEMT的(de)(de)(de)開發中(zhong)廣泛應(ying)用(yong)，近(jin)幾年在(zai)(zai)GaAs基長(chang)波長(chang)雷射器(qi)中(zhong)也有應(ying)用(yong)。值(zhi)得一提的(de)(de)(de)是(shi)，倒(dao)置(zhi)的(de)(de)(de)贗(yan)形(xing)層(ceng)多(duo)(duo)結(jie)(jie)太陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)池結(jie)(jie)構(gou)（IMM）是(shi)EMCORE公司的(de)(de)(de)專利技術（見圖3），它(ta)采用(yong)倒(dao)置(zhi)的(de)(de)(de)方法生(sheng)長(chang)和(he)Ge或(huo)GaAs襯(chen)(chen)底匹配的(de)(de)(de)GaInP和(he)GaAs結(jie)(jie)，InGaP首先被淀積在(zai)(zai)基于Ge襯(chen)(chen)底的(de)(de)(de)子電(dian)(dian)池上(shang)(shang)面。這種(zhong)設計保持了GaInP/GaAs結(jie)(jie)的(de)(de)(de)品質，它(ta)對整個器(qi)件總(zong)的(de)(de)(de)發電(dian)(dian)能(neng)力具(ju)有決(jue)定性(xing)(xing)的(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)。倒(dao)置(zhi)贗(yan)性(xing)(xing)三結(jie)(jie)結(jie)(jie)構(gou)據稱可(ke)與多(duo)(duo)項(xiang)其它(ta)工(gong)藝相容，如柔性(xing)(xing)襯(chen)(chen)底。因為(wei)Ge襯(chen)(chen)底能(neng)夠被去除，從而器(qi)件可(ke)以安(an)裝在(zai)(zai)如聚醯亞胺(an)膠帶等柔性(xing)(xing)襯(chen)(chen)底上(shang)(shang)。

高(gao)效多(duo)結太陽能電池技術 器件結構和系統的優化設計

機械(xie)疊(die)加多芯片結(jie)一般(ban)是(shi)指，將(jiang)生(sheng)(sheng)長(chang)在不(bu)(bu)(bu)同襯底(di)上(shang)不(bu)(bu)(bu)同頻(pin)寬(kuan)(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電池(chi)(chi)壓焊到(dao)一起(qi)而(er)形成(cheng)所謂(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)多芯片結(jie)。如將(jiang)Ge或(huo)GaAs襯底(di)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)頻(pin)寬(kuan)(kuan)(kuan)較(jiao)寬(kuan)(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)GaInP/GaAs多結(jie)結(jie)構(gou)電池(chi)(chi)壓焊到(dao)InP襯底(di)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)頻(pin)寬(kuan)(kuan)(kuan)較(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)(de)(de)GaInAsP/GaInAs（1.05/0.75eV）串聯結(jie)構(gou)電池(chi)(chi)之(zhi)上(shang)。也(ye)可(ke)采用(yong)光電互連以及機械(xie)疊(die)加相結(jie)合的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方法，如Delaware大學(xue)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研究團隊研制的(de)(de)(de)(de)(de)(de)超高效(xiao)太陽(yang)能電池(chi)(chi)（VHESC），組合效(xiao)率在20個太陽(yang)聚(ju)光條件下可(ke)達42.8%。這種(zhong)超高效(xiao)太陽(yang)能電池(chi)(chi)采用(yong)全(quan)新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)橫(heng)向(xiang)光學(xue)聚(ju)焦(jiao)系統(tong)，使入射光的(de)(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)(bu)(bu)同光譜(pu)波段被光學(xue)地分離和(he)定向(xiang)，然后(hou)被不(bu)(bu)(bu)同頻(pin)寬(kuan)(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)太陽(yang)能電池(chi)(chi)所吸收（見(jian)圖(tu)4）。這種(zhong)光學(xue)聚(ju)焦(jiao)系統(tong)具有較(jiao)寬(kuan)(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接收角度，從而(er)不(bu)(bu)(bu)需要復雜的(de)(de)(de)(de)(de)(de)定位跟蹤系統(tong)。但是(shi)我們(men)可(ke)以看出(chu)，機械(xie)疊(die)加類型的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構(gou)設計在生(sheng)(sheng)長(chang)工藝(yi)需要多種(zhong)襯底(di)，工藝(yi)中需要襯底(di)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)剝離，在外延層上(shang)壓焊芯片等，成(cheng)本較(jiao)高和(he)而(er)且(qie)器件品質(zhi)很難保(bao)證(zheng)。

高效多結太陽能電池技(ji)術 器(qi)件結構和系統的優化設計

發展前景廣闊

高(gao)(gao)效多(duo)結(jie)太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)技(ji)術的(de)(de)研(yan)(yan)究一(yi)直(zhi)是太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)光(guang)伏技(ji)術中(zhong)的(de)(de)熱(re)點之(zhi)一(yi)，國外(wai)多(duo)家研(yan)(yan)究機構、公司等投入了大量的(de)(de)人(ren)力(li)物力(li)。我國在(zai)這方面(mian)的(de)(de)研(yan)(yan)究起步也較(jiao)早，如電(dian)(dian)(dian)子18所、航太(tai)(tai)811所、中(zhong)科院半導體(ti)所等等。最(zui)(zui)近(jin)廈門(men)三安的(de)(de)GaAs/Ge多(duo)結(jie)太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)外(wai)延(yan)片關鍵技(ji)術研(yan)(yan)制及(ji)產業化項目宣(xuan)稱，其研(yan)(yan)制的(de)(de)多(duo)結(jie)太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)光(guang)電(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)換效率(lv)(lv)達27%，遠高(gao)(gao)于(yu)19.5%的(de)(de)硅電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)最(zui)(zui)高(gao)(gao)轉(zhuan)換效率(lv)(lv)。并具有更強的(de)(de)抗(kang)輻照能(neng)(neng)力(li)、更好的(de)(de)耐高(gao)(gao)性能(neng)(neng)，加上(shang)聚光(guang)技(ji)術的(de)(de)應用（降低(di)成(cheng)本(ben)），將是新一(yi)代高(gao)(gao)性能(neng)(neng)長壽命太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)最(zui)(zui)具發(fa)展潛力(li)的(de)(de)產品(pin)。但我們可以看出，相比(bi)國外(wai)來(lai)說，轉(zhuan)換效率(lv)(lv)相對(dui)較(jiao)低(di)，并且器(qi)件指標還有一(yi)定差距。總之(zhi)，從(cong)新材料開(kai)發(fa)、器(qi)件結(jie)構乃至整個系統設計方面(mian)，在(zai)高(gao)(gao)效多(duo)結(jie)太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)方面(mian)還有很(hen)多(duo)工作值(zhi)得進一(yi)步深(shen)入研(yan)(yan)究。