1、沉積

制造芯(xin)片的第一步，通常(chang)是(shi)將材(cai)(cai)料薄膜沉積到晶圓上(shang)。材(cai)(cai)料可以是(shi)導體(ti)、絕緣體(ti)或半導體(ti)。

2、光刻膠涂覆

進行光刻(ke)前，首(shou)先要在(zai)晶(jing)圓上(shang)涂(tu)覆光敏材料“光刻(ke)膠(jiao)”或“光阻”，然后將(jiang)晶(jing)圓放(fang)入光刻(ke)機。

3、曝光

在掩模(mo)版(ban)上制作需要印刷的圖案(an)藍圖。晶(jing)圓放入光(guang)刻機(ji)后，光(guang)束(shu)會通過掩模(mo)版(ban)投射(she)到晶(jing)圓上。光(guang)刻機(ji)內的光(guang)學元件(jian)將(jiang)圖案(an)縮小(xiao)并(bing)聚(ju)焦到光(guang)刻膠(jiao)涂層(ceng)上。在光(guang)束(shu)的照射(she)下(xia)，光(guang)刻膠(jiao)發生化學反(fan)應，光(guang)罩上的圖案(an)由此印刻到光(guang)刻膠(jiao)涂層(ceng)。

4、計算光刻

光(guang)刻期間產(chan)生的物理(li)、化學效應(ying)可(ke)能造成圖(tu)案形變，因此(ci)需(xu)要事先對掩模版上(shang)的圖(tu)案進行調整，確保最終光(guang)刻圖(tu)案的準確。

5、烘烤與顯影

晶圓(yuan)離開光(guang)刻機后(hou)，要進行烘烤及顯(xian)影，使光(guang)刻的圖案(an)永久(jiu)固定。洗去(qu)多余光(guang)刻膠，部分涂層留出空(kong)白(bai)部分。

6、刻蝕

顯影完成(cheng)后，使(shi)用(yong)氣體等材料去除(chu)多余的空白部分，形成(cheng)3D電路圖案。

7、計量和檢驗

芯片生產過程中，始(shi)終對晶圓進(jin)(jin)行計(ji)量和檢驗，確保(bao)沒有誤(wu)差。檢測結果反饋至光刻系(xi)統，進(jin)(jin)一(yi)(yi)(yi)步(bu)優化、調(diao)整設備。這一(yi)(yi)(yi)部，就需要(yao)用到納米級超精密運動平臺這一(yi)(yi)(yi)關鍵設備了。

8、離子注入

在去除剩余的(de)(de)光刻膠之(zhi)前，可以用正離子(zi)或負離子(zi)轟擊(ji)晶圓，對部(bu)分圖案的(de)(de)半(ban)導(dao)體特(te)性進(jin)行(xing)調整。

9、視需要重復(fu)制程步(bu)驟

從薄膜(mo)沉積到去除光刻(ke)膠，整個流程為晶(jing)圓片覆蓋上一(yi)層(ceng)圖案。而要在晶(jing)圓片上形成(cheng)集成(cheng)電路，完成(cheng)芯片制(zhi)作，這一(yi)流程需(xu)要不斷重復(fu)，可多(duo)達(da)100次。

10、封裝芯片

最后一步，運(yun)(yun)用(yong)超(chao)精(jing)密(mi)運(yun)(yun)動平臺，進行晶圓切割，獲得(de)單個芯片(pian)(pian)，封裝在保護殼中。這樣(yang)，成品芯片(pian)(pian)就可以用(yong)來生產電(dian)視、平板電(dian)腦或者其他數字設備了！