2019年1月9日，依據《中華(hua)人民共和國(guo)標準(zhun)化(hua)(hua)法》，國(guo)家(jia)標準(zhun)化(hua)(hua)管理(li)委(wei)員會、民政部(bu)制定(ding)了《團體標準(zhun)管理(li)規定(ding)》，并經國(guo)務院標準(zhun)化(hua)(hua)協調推進部(bu)際聯席會議(yi)(yi)第五次全(quan)體會議(yi)(yi)審議(yi)(yi)通過，于2019年1月15日印發(fa)。

相比(bi)2017年12月15日發布的(de)(de)《團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)管(guan)理(li)規定（試行）》管(guan)理(li)辦法(fa)，《團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)管(guan)理(li)規定》明確(que)了(le)團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)制修(xiu)訂(ding)流程，并(bing)強調(diao)團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)制修(xiu)訂(ding)過程中的(de)(de)廣泛性和客(ke)觀性，同時加強了(le)對團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)的(de)(de)監(jian)(jian)督(du)和管(guan)理(li)，強調(diao)了(le)社(she)團(tuan)(tuan)(tuan)組織的(de)(de)主體(ti)(ti)(ti)責任等。《團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)管(guan)理(li)規定》的(de)(de)出(chu)臺促進(jin)新《標(biao)準(zhun)(zhun)化法(fa)》的(de)(de)貫徹實施，進(jin)一(yi)步明確(que)團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)法(fa)律(lv)地位，規范、引導(dao)和監(jian)(jian)督(du)我國團(tuan)(tuan)(tuan)體(ti)(ti)(ti)標(biao)準(zhun)(zhun)化工作。

《團(tuan)體標準管理(li)規定(ding)（試行(xing)）》自(zi)本(ben)規定(ding)發(fa)布之日起廢(fei)止。

氫氧化鋁可作為阻燃劑，這主要是由于它能在高溫下能分解出化學結合水(約34.6%)，此分解反應為吸熱反應，因而可延緩高聚物的熱降解速度，減慢或抑制高聚物的燃燒，抑制高聚物的溫升，并促進炭化和抑煙。另外，釋出的大量水汽可稀釋可燃物的濃度、降低可燃氣對燃燒的貢獻，致使系統放熱量和生煙量減小，這也有助于使燃燒中斷。

另(ling)外，氫(qing)氧(yang)化鋁(lv)(lv)受熱(re)分(fen)(fen)解(jie)時釋(shi)放出(chu)水(shui)分(fen)(fen)，同時吸收大量的潛熱(re)，降低了材料表面(mian)的火焰(yan)(yan)實際溫度而使(shi)(shi)聚合(he)物(wu)(wu)(wu)降解(jie)為低分(fen)(fen)子(zi)的速(su)度減(jian)慢，減(jian)少(shao)了可(ke)(ke)燃(ran)物(wu)(wu)(wu)的發生；均勻釋(shi)放出(chu)的水(shui)汽沖淡了表面(mian)氧(yang)氣(qi)(qi)的濃(nong)度使(shi)(shi)表面(mian)燃(ran)燒不能進(jin)(jin)行，氫(qing)氧(yang)化鋁(lv)(lv)開(kai)始分(fen)(fen)解(jie)基本上完成(cheng)了脫水(shui)反(fan)應(ying)，釋(shi)放出(chu)結晶水(shui)，吸收潛熱(re)，降低溫度。氫(qing)氧(yang)化鋁(lv)(lv)分(fen)(fen)解(jie)釋(shi)放出(chu)的水(shui)蒸氣(qi)(qi)可(ke)(ke)以稀釋(shi)火焰(yan)(yan)區域里氣(qi)(qi)體(ti)反(fan)應(ying)物(wu)(wu)(wu)的濃(nong)度，兼有(you)一(yi)定的冷卻作用。氫(qing)氧(yang)化鋁(lv)(lv)填充到聚合(he)物(wu)(wu)(wu)里，有(you)助于燃(ran)燒時形成(cheng)炭化層(ceng)，該炭化層(ceng)既可(ke)(ke)阻擋熱(re)量和氧(yang)氣(qi)(qi)進(jin)(jin)入，又可(ke)(ke)阻擋小(xiao)分(fen)(fen)子(zi)可(ke)(ke)燃(ran)性氣(qi)(qi)體(ti)逸出(chu)。

氫氧化鋁(lv)作為(wei)(wei)一種阻燃(ran)劑(ji)，不僅能夠有效減慢聚合物(wu)的燃(ran)燒速度，減少燃(ran)燒產(chan)生的煙量，而且(qie)還能捕捉有害氣體。所(suo)以，氫氧化鋁(lv)作為(wei)(wei)阻燃(ran)劑(ji)，在(zai)市場上非常受歡迎。

鋁(lv)電(dian)解電(dian)容器的(de)技術水平在(zai)(zai)很大程度上取(qu)決于電(dian)極(ji)(ji)箔(bo)(bo)(bo)制(zhi)造技術。我國(guo)在(zai)(zai)80年代初就開始(shi)從國(guo)外大量弓進(jin)鋁(lv)電(dian)解電(dian)容器生(sheng)產(chan)(chan)設備,同(tong)時也引進(jin)了(le)(le)電(dian)極(ji)(ji)箔(bo)(bo)(bo)的(de)生(sheng)產(chan)(chan)設備和技術。現在(zai)(zai)電(dian)極(ji)(ji)箔(bo)(bo)(bo)的(de)生(sheng)產(chan)(chan)已具規(gui)模,生(sheng)產(chan)(chan)廠家同(tong)科研院校相結合(he)使科學技術轉化(hua)(hua)為生(sheng)產(chan)(chan)力也取(qu)得了(le)(le)良好的(de)效果同(tong)國(guo)外同(tong)行(xing)相比無論是生(sheng)產(chan)(chan)規(gui)模、工(gong)藝(yi)技術還是產(chan)(chan)品質量尚(shang)有在(zai)(zai)著(zhu)一定的(de)差距。要(yao)(yao)趕超(chao)界(jie)(jie)先進(jin)水平,一方面要(yao)(yao)加大基礎砢究的(de)投入(ru)包括鋁(lv)原(yuan)箔(bo)(bo)(bo)化(hua)(hua)工(gong)材料和生(sheng)產(chan)(chan)工(gong)藝(yi),另方面企(qi)業應走(zou)橫向(xiang)聯合(he)的(de)路子(zi)。目前我國(guo)電(dian)極(ji)(ji)箔(bo)(bo)(bo)要(yao)(yao)進(jin)入(ru)世界(jie)(jie)市場，還需做更多工(gong)作。

多(duo)芯電(dian)纜組件是電(dian)子設備的重要部件;不同(tong)功能電(dian)子設備的多(duo)芯電(dian)纜組件其構架(jia)各不相同(tong)。

在電(dian)(dian)子設(she)備(bei)中廣泛使用多芯電(dian)(dian)纜組(zu)(zu)件( multicore cable)；多芯電(dian)(dian)纜組(zu)(zu)件由多根導線、電(dian)(dian)纜線和(he)電(dian)(dian)連接器組(zu)(zu)成,并(bing)具(ju)有一定(ding)長(chang)度(du)的單組(zu)(zu)或多組(zu)(zu)線束(shu)組(zu)(zu)成的線纜用以傳輸電(dian)(dian)能、電(dian)(dian)子信息和(he)實現電(dian)(dian)磁能轉換功能的部件。

這里所指(zhi)的(de)多(duo)芯電(dian)(dian)纜是(shi)指(zhi)用(yong)(yong)以傳輸(shu)低(di)頻電(dian)(dian)能(neng)、信(xin)(xin)息和(he)(he)實現(xian)電(dian)(dian)磁能(neng)轉換功能(neng)的(de)沒(mei)有(you)組裝電(dian)(dian)連接器及其(qi)附(fu)件的(de)線(xian)材(cai)產品(pin)。包括(kuo)由供應商提供的(de)、用(yong)(yong)以傳輸(shu)低(di)頻電(dian)(dian)能(neng)、信(xin)(xin)息和(he)(he)實現(xian)電(dian)(dian)磁能(neng)轉換功能(neng)的(de)線(xian)材(cai)產品(pin)成品(pin)多(duo)芯電(dian)(dian)纜和(he)(he)由各(ge)單位設(she)計制作(zuo)的(de)、用(yong)(yong)以傳輸(shu)低(di)頻電(dian)(dian)能(neng)、信(xin)(xin)息和(he)(he)實現(xian)電(dian)(dian)磁能(neng)轉換功能(neng)的(de)自制多(duo)芯電(dian)(dian)纜。

隨著(zhu)半導體技(ji)術的(de)不(bu)斷發展,在高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)數字系(xi)統(tong)中(zhong),時鐘(zhong)頻(pin)率(lv)日益提高(gao)(gao)(gao)至GHz相應地信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)傳(chuan)輸速(su)(su)(su)(su)率(lv)也髙(gao)達〔bps。高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)的(de)有效頻(pin)率(lv)也已(yi)經達到微波(bo)頻(pin)段甚至毫米波(bo)頻(pin)段,其在傳(chuan)輸過(guo)程中(zhong)會由(you)(you)于(yu)傳(chuan)輸線效應導致(zhi)信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)完(wan)整(zheng)性(xing)( Signal Integrity,SⅠ)問(wen)題,此(ci)時成熟(shu)的(de)MHz系(xi)統(tong)的(de)低(di)速(su)(su)(su)(su)設計方法已(yi)經無法適用于(yu)高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)產品的(de)設計信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)完(wan)整(zheng)性(xing)問(wen)題主要是由(you)(you)于(yu)高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)經過(guo)互連線時產生(sheng)的(de)回損(sun)( Return loss)插入損(sun)耗( Insertion loss)、串擾( Crosstalk)等因素引起(qi)信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)的(de)幅值(zhi)與(yu)相位變形達不(bu)到信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)接收端的(de)要求。高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)率(lv)背板連接器(qi)(qi)作(zuo)為母板與(yu)子板之間信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)傳(chuan)遞的(de)橋梁,對板級之間的(de)通信(xin)(xin)(xin)起(qi)著(zhu)至關(guan)重要的(de)作(zuo)用。基于(yu)服務器(qi)(qi)及高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)數字系(xi)統(tong)對高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)率(lv)的(de)需求,目前國外的(de)高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)率(lv)背板連接器(qi)(qi)速(su)(su)(su)(su)率(lv)已(yi)經達到了54Gbps,但國內對25Gbps以上高(gao)(gao)(gao)速(su)(su)(su)(su)率(lv)背板連接器(qi)(qi)的(de)信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)完(wan)整(zheng)性(xing)研究(jiu)并不(bu)多見。

電(dian)(dian)連接(jie)(jie)器(qi)由固(gu)定端(duan)電(dian)(dian)連接(jie)(jie)器(qi),即陰接(jie)(jie)觸(chu)件(jian)（簡稱插座），與自(zi)由端(duan)電(dian)(dian)連接(jie)(jie)器(qi),即陽接(jie)(jie)觸(chu)件(jian)（簡稱插頭）組成。插座通過其方（圓）盤固(gu)定在用(yong)電(dian)(dian)部件(jian)上（個別還采用(yong)焊(han)接(jie)(jie)方式），插頭一般接(jie)(jie)電(dian)(dian)纜，通過連接(jie)(jie)螺(luo)帽實現插頭、插座連接(jie)(jie)。

電連(lian)接器(qi)由殼體、絕緣(yuan)體、接觸(chu)體三大基本單元組(zu)成。

電連(lian)接(jie)器除了(le)要滿足一般的(de)性(xing)能要求(qiu)外，特(te)別重要的(de)要求(qiu)是(shi)電連(lian)接(jie)器必(bi)須達到接(jie)觸良好，工作可靠，維護方(fang)便，其工作可靠與否直(zhi)接(jie)影(ying)響飛機電路的(de)正常(chang)工作，涉及整(zheng)個(ge)主機的(de)安危(wei)。

為(wei)此，主機電(dian)路對(dui)電(dian)連接器的(de)質量(liang)和(he)可靠性有非常嚴格的(de)要求，也(ye)正(zheng)因為(wei)電(dian)連接器的(de)高質量(liang)和(he)高可靠性，使它也(ye)廣(guang)泛應用于航(hang)空、航(hang)天、國防等軍用系(xi)統(tong)中(zhong)。

屏蔽電連(lian)接器是具有防(fang)止電磁(ci)干擾輻(fu)射進入或防(fang)止泄(xie)漏能力的(de)連(lian)接器。

壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)發(fa)聲(sheng)元件，特別是一種(zhong)無鉛的(de)壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)發(fa)聲(sheng)元件，它(ta)主(zhu)要由金屬(shu)薄(bo)片與壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)薄(bo)片組成，其中，金屬(shu)薄(bo)片表面上緊(jin)(jin)密貼合有2片或(huo)以上相(xiang)同尺寸(cun)并依次緊(jin)(jin)密貼合的(de)壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)薄(bo)片，相(xiang)鄰的(de)壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)薄(bo)片的(de)極化方向相(xiang)反，這種(zhong)新結(jie)構的(de)壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)發(fa)聲(sheng)器所產生的(de)聲(sheng)壓(ya)(ya)(ya)(ya)與壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)薄(bo)片的(de)數量成正(zheng)比，數量越多，聲(sheng)壓(ya)(ya)(ya)(ya)越大，通(tong)過增加壓(ya)(ya)(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)薄(bo)片數量，輕易地實現所需的(de)大聲(sheng)壓(ya)(ya)(ya)(ya)，其生產工藝簡單，生產成本較低。

作(zuo)為壓(ya)電(dian)陶(tao)(tao)瓷濾(lv)波器等的(de)壓(ya)電(dian)陶(tao)(tao)瓷元件,以(yi)往(wang)普(pu)遍地使用以(yi)鈦(tai)酸(suan)(suan)鋯(gao)酸(suan)(suan)鉛(qian)(qian)(qian)(Pb(TZr1x)O3)或(huo)鈦(tai)酸(suan)(suan)鉛(qian)(qian)(qian)( PbTio3)作(zuo)為主(zhu)成(cheng)分(fen)(fen)的(de)壓(ya)電(dian)陶(tao)(tao)瓷。然而,以(yi)鈦(tai)酸(suan)(suan)鋯(gao)酸(suan)(suan)鉛(qian)(qian)(qian)或(huo)鈦(tai)酸(suan)(suan)鉛(qian)(qian)(qian)作(zuo)為主(zhu)成(cheng)分(fen)(fen)的(de)壓(ya)電(dian)陶(tao)(tao)瓷由(you)于(yu)含(han)有有害的(de)鉛(qian)(qian)(qian),因(yin)此(ci)在(zai)(zai)制(zhi)造時(shi)(shi)或(huo)廢(fei)棄(qi)時(shi)(shi)對人體或(huo)環境產生影響,這是(shi)存在(zai)(zai)的(de)問題。另外,在(zai)(zai)其制(zhi)造的(de)過程(cheng)中(zhong),由(you)于(yu)作(zuo)為原料使用的(de)鉛(qian)(qian)(qian)成(cheng)分(fen)(fen)的(de)蒸(zheng)發,導(dao)致壓(ya)電(dian)陶(tao)(tao)瓷品質的(de)均一性降低,這也(ye)是(shi)存在(zai)(zai)的(de)問題。

壓電陶(tao)瓷含有(you)(you)由第(di)1元素(su)、第(di)2元素(su)和氧(O)形(xing)成(cheng)的鈣鈦礦型氧化物(wu),其中,第(di)1元素(su)含有(you)(you)鈉(na)(Na)、鉀(K)、鋰(Li)和銀(Ag);第(di)2元素(su)在鈮(Nb)和鉭(Ta)的物(wu)組中至(zhi)少含有(you)(you)Nb。在制造該壓電陶(tao)瓷的場合,通過(guo)在950~1350℃的溫度下進行燒(shao)結,獲得相對介電常數(shu)ε;為412~502、機電耦合系數(shu)K1為38~42%、發(fa)生變位量為0.064~0.075%的壓電陶(tao)瓷。

壓敏(min)電(dian)阻(zu)器(qi)(qi)( Varistor)是(shi)由(you) variable resistors兩字合(he)并而來,所以也稱其為可變電(dian)阻(zu)器(qi)(qi)。它(ta)是(shi)一種因外加(jia)電(dian)壓的(de)改變而呈現(xian)非線(xian)性電(dian)阻(zu)變化(hua)的(de)電(dian)阻(zu)器(qi)(qi),具有(you)雙(shuang)向、對稱的(de)V/I特性。金(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)物壓敏(min)電(dian)阻(zu)器(qi)(qi)簡(jian)稱為MOV,是(shi)一種以氧(yang)(yang)化(hua)鋅為主體,添加(jia)多種金(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)物,經典型的(de)電(dian)子陶瓷(ci)工藝(yi)制成的(de)多晶半導體陶瓷(ci)元件。

當壓敏(min)電(dian)(dian)阻器遭受瞬時(shi)(shi)過(guo)電(dian)(dian)壓或是浪涌(yong)時(shi)(shi),壓敏(min)電(dian)(dian)阻器會從穩(wen)定狀(zhuang)態(tai)(近似開(kai)路)轉向(xiang)限壓狀(zhuang)態(tai)(高導(dao)電(dian)(dian)狀(zhuang)態(tai))。

壓(ya)敏電阻器的(de)主要用途就是保護設備免受瞬時過電壓(ya)的(de)破壞。

壓(ya)敏電阻器的(de)典型V-2特性曲線如(ru)圖(tu)2所示。

在預擊穿區,壓敏(min)電阻器V-1特性近(jin)似線性關系。此時(shi)壓敏(min)電阻器呈(cheng)現高阻狀(zhuang)態近(jin)似絕緣(yuan)體,可看作(zuo)開路(lu)。

在擊穿(chuan)區,壓敏電阻器(qi)的(de)曲(qu)線可以用(yong)下面(mian)的(de)指(zhi)數(shu)函數(shu)描述(shu)：I=KVα

在這里(li),K為常數,a表示非線(xian)性(xing)系數在上(shang)升區,壓敏電阻器呈(cheng)現低阻狀態,可以看作短(duan)路(lu)。