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人物簡介

中文名：尹志堯

出生地：北京

畢業院校：中國(guo)科學技術大學

人物履歷

1962年(nian)，考入科大化學(xue)物(wu)理系。由于文革的緣故，遲到1968年(nian)春才(cai)畢業。

1968-1971年，在蘭州煉油廠工作。

1973年，轉到(dao)中(zhong)科(ke)院蘭州物理(li)化學(xue)所(suo)。

1978-1980年，在北大化學系(xi)讀碩士學位。

1980年，在(zai)美國一些親戚的幫助下，來到加州(zhou)大學(xue)洛杉嘰(ji)分(fen)校攻(gong)讀(du)博士(shi)學(xue)位。三年半就拿到物理化學(xue)博士(shi)學(xue)位。

1984年，以后的16年里(li)一直在硅谷工作(zuo)。開(kai)始(shi)是在Intel公司的中心技(ji)術發展(zhan)部(bu)門做(zuo)電漿(jiang)蝕刻工作(zuo)。

1986年，轉(zhuan)到(dao)LAM研究所，開(kai)(kai)始是高(gao)級工程師，后(hou)來做到(dao)了技術(shu)發展經理。在那里尹志堯負(fu)責彩虹等離子體刻蝕設備(bei)的開(kai)(kai)發。LAM靠著一(yi)些非常好的產品成(cheng)為這個領(ling)域(yu)的領(ling)先者之一(yi)。

1991年(nian)，尹志堯來到應用材料(liao)(liao)公司(si)，負(fu)責同一領(ling)域的(de)研究開(kai)(kai)(kai)發(fa)(fa)工作，先(xian)后獲得了60多(duo)個美(mei)國(guo)和國(guo)外(wai)的(de)專利(li)，還(huan)有一些(xie)正等著批準。尹志堯開(kai)(kai)(kai)發(fa)(fa)或參(can)與開(kai)(kai)(kai)發(fa)(fa)的(de)產品，現(xian)在在這個領(ling)域大概占了全(quan)世界的(de)50％。曾(ceng)任Applied Materials應用材料(liao)(liao)公司(si)的(de)副總裁，負(fu)責等離子(zi)體(ti)刻蝕部門(men)的(de)業務。另外(wai)，還(huan)幫助成立(li)了硅谷中(zhong)國(guo)工程師協會，并擔(dan)任了頭(tou)兩任的(de)主(zhu)席(xi)。

2004年，他和(he)美(mei)國硅谷幾個(ge)志同道合的伙伴回到上海，組建了中微半導體設備(bei)公司（AMEC），他自己擔任公司董事長兼總裁。

榮譽成就

2012年，尹(yin)志堯(yao)獲(huo)得(de)上海市“白(bai)玉蘭紀念獎”。