汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉(chen)積步(bu)驟從晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)開(kai)始，晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)是從99.99%的(de)純(chun)硅圓(yuan)(yuan)柱體(ti)上(shang)(shang)切(qie)下來的(de)，并被打(da)磨得(de)極為(wei)光滑，再根據結(jie)構需求(qiu)將導體(ti)、絕緣體(ti)或半導體(ti)材料薄膜沉(chen)積到晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)上(shang)(shang)，以(yi)便能在上(shang)(shang)面(mian)印制(zhi)第一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓(yuan)隨后會被涂覆光敏材料“光刻膠”。光刻膠也分為(wei)兩種(zhong)——“正(zheng)性光刻膠”和(he)“負(fu)性光刻膠”。正(zheng)性和(he)負(fu)性光刻膠的主要區別(bie)在于材料的化(hua)學結構和(he)光刻膠對光的反(fan)應方(fang)式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的(de)晶(jing)體管可以(yi)做到多(duo)小。晶(jing)圓會被(bei)放入(ru)光(guang)刻(ke)(ke)機(ji)中，暴(bao)露(lu)在深紫(zi)外光(guang)下。光(guang)線會通過“掩模(mo)版”投射到晶(jing)圓上(shang)，光(guang)刻(ke)(ke)機(ji)的(de)光(guang)學系統(tong)（DUV系統(tong)的(de)透鏡）將掩模(mo)版上(shang)設計好(hao)的(de)電路圖(tu)案縮小并聚焦到晶(jing)圓上(shang)的(de)光(guang)刻(ke)(ke)膠。

4、刻蝕

在"刻(ke)蝕(shi)(shi)"過程(cheng)中，晶圓被烘烤(kao)和顯影，一些光刻(ke)膠被洗掉，從而顯示出(chu)一個開放通(tong)道的(de)3D圖案。刻(ke)蝕(shi)(shi)也分(fen)為“干(gan)(gan)式(shi)”和“濕式(shi)”兩種(zhong)。干(gan)(gan)式(shi)刻(ke)蝕(shi)(shi)使用(yong)氣體(ti)來(lai)確(que)定晶圓上(shang)的(de)暴(bao)露圖案。濕式(shi)刻(ke)蝕(shi)(shi)通(tong)過化(hua)學(xue)方法來(lai)清(qing)洗晶圓

5、離子注入

一旦(dan)圖案被刻蝕在晶圓(yuan)上，晶圓(yuan)會受到正離(li)子或負(fu)離(li)子的轟擊，以(yi)調整部分(fen)圖案的導電(dian)(dian)特性。將帶電(dian)(dian)離(li)子引導到硅晶體中，讓電(dian)(dian)的流動可以(yi)被控制，從而創造出(chu)芯(xin)片基(ji)本構件的電(dian)(dian)子開關——晶體管。

6、封裝

為了把芯片從(cong)晶(jing)(jing)圓(yuan)上(shang)取出來，要用金(jin)剛石鋸(ju)將其切(qie)成單個(ge)芯片，稱(cheng)為“裸(luo)晶(jing)(jing)”，這(zhe)些裸(luo)晶(jing)(jing)隨后會(hui)被放置在“基(ji)板(ban)”上(shang)——這(zhe)種基(ji)板(ban)使(shi)用金(jin)屬箔將裸(luo)晶(jing)(jing)的(de)輸入和輸出信號引導到系統的(de)其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車芯片(pian)(pian)的主(zhu)要材(cai)料是硅。硅是最常用(yong)的芯片(pian)(pian)材(cai)料之一，價格(ge)低廉、成熟，適用(yong)于(yu)(yu)大(da)規(gui)模(mo)生產(chan)。硅芯片(pian)(pian)的功率密度低，特別適用(yong)于(yu)(yu)低功耗和低成本的應用(yong)場景。硅材(cai)質也易于(yu)(yu)加工和集(ji)成，可以輕(qing)松實(shi)現超大(da)規(gui)模(mo)的集(ji)成電路。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯片(pian)的難度較(jiao)大(da)。

1、汽車對芯(xin)片和(he)元器件的(de)工作溫(wen)度要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)比(bi)較寬，根(gen)據(ju)不(bu)(bu)同(tong)的(de)安裝(zhuang)位(wei)置等(deng)有不(bu)(bu)同(tong)的(de)需求(qiu)(qiu)，但(dan)一般(ban)都要(yao)(yao)高于民(min)用產品的(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)，比(bi)如發動機(ji)艙要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)-40℃-150℃；車身控制(zhi)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)行進(jin)過程中(zhong)會(hui)遭遇更多的(de)振動(dong)和沖擊(ji)，車(che)規(gui)級半導體必須滿足(zu)在(zai)高低溫交變(bian)、震(zhen)動(dong)風擊(ji)、防水防曬、高速移動(dong)等各類變(bian)化中(zhong)持續保證穩定工作。另外汽車(che)對(dui)器件的(de)抗干擾(rao)性能要求極高，包括抗ESD靜電，EFT群(qun)脈沖，RS傳導輻射、EMC，EMI等分析，芯(xin)片在(zai)這(zhe)些干擾(rao)下既不(bu)(bu)能不(bu)(bu)可(ke)控的(de)影響(xiang)工作，也不(bu)(bu)能干擾(rao)車(che)內別的(de)設備（控制總線，MCU，傳感(gan)器，音響(xiang)，等等）等。