汽車芯片是怎么制造的
1、沉積
沉(chen)積(ji)步驟從晶圓開始,晶圓是從99.99%的純硅圓柱體上(shang)切(qie)下來的,并被打磨(mo)得極為(wei)光滑,再根據結構需求將導體、絕緣體或半導體材料薄膜(mo)沉(chen)積(ji)到晶圓上(shang),以便能在上(shang)面印制(zhi)第(di)一(yi)層(ceng)。
2、光刻膠涂覆
晶圓(yuan)隨后會被涂覆光(guang)(guang)敏材(cai)料“光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)”。光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)也分為兩種——“正性(xing)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)”和(he)(he)“負性(xing)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)”。正性(xing)和(he)(he)負性(xing)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)的主要區別在于材(cai)料的化學(xue)結構和(he)(he)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)對光(guang)(guang)的反應方式。
3、光刻
光刻決定芯片上(shang)的晶(jing)體管可(ke)以做到多小。晶(jing)圓會被放入光(guang)(guang)刻(ke)機中,暴(bao)露(lu)在深紫外光(guang)(guang)下(xia)。光(guang)(guang)線會通過“掩模版(ban)”投(tou)射(she)到晶(jing)圓上(shang),光(guang)(guang)刻(ke)機的光(guang)(guang)學系統(tong)(DUV系統(tong)的透鏡(jing))將掩模版(ban)上(shang)設計好的電路(lu)圖(tu)案縮小并聚焦到晶(jing)圓上(shang)的光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)。
4、刻蝕
在"刻蝕(shi)"過程中,晶(jing)圓被(bei)烘烤和顯(xian)影,一些光刻膠被(bei)洗掉,從而顯(xian)示出(chu)一個開放通道(dao)的(de)3D圖案(an)。刻蝕(shi)也分為(wei)“干式(shi)”和“濕式(shi)”兩種(zhong)。干式(shi)刻蝕(shi)使用氣體來(lai)確(que)定晶(jing)圓上的(de)暴露圖案(an)。濕式(shi)刻蝕(shi)通過化學方法來(lai)清(qing)洗晶(jing)圓
5、離子注入
一旦圖(tu)案被(bei)刻(ke)蝕在晶(jing)圓上,晶(jing)圓會受到正離子(zi)(zi)或(huo)負離子(zi)(zi)的(de)(de)轟擊,以(yi)調(diao)整(zheng)部分(fen)圖(tu)案的(de)(de)導(dao)電(dian)(dian)特性。將帶電(dian)(dian)離子(zi)(zi)引(yin)導(dao)到硅晶(jing)體(ti)中,讓(rang)電(dian)(dian)的(de)(de)流動(dong)可以(yi)被(bei)控制,從而創造出芯片基本構件的(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)(zi)開關(guan)——晶(jing)體(ti)管。
6、封裝
為(wei)了把芯片從晶(jing)圓上(shang)取出來(lai),要用(yong)金剛石鋸(ju)將(jiang)(jiang)其切成單(dan)個芯片,稱為(wei)“裸(luo)晶(jing)”,這些裸(luo)晶(jing)隨后會被放置在“基(ji)板”上(shang)——這種基(ji)板使用(yong)金屬(shu)箔將(jiang)(jiang)裸(luo)晶(jing)的(de)輸入(ru)和輸出信號引導到系統的(de)其他部分。
汽車芯片的主要材料是什么
汽車芯片(pian)(pian)的(de)(de)主要材料是硅(gui)。硅(gui)是最(zui)常用(yong)的(de)(de)芯片(pian)(pian)材料之一,價格低廉、成(cheng)(cheng)熟,適用(yong)于大規模生產。硅(gui)芯片(pian)(pian)的(de)(de)功(gong)率密度低,特別適用(yong)于低功(gong)耗(hao)和(he)低成(cheng)(cheng)本的(de)(de)應用(yong)場景。硅(gui)材質也易于加工和(he)集成(cheng)(cheng),可以輕(qing)松實現超大規模的(de)(de)集成(cheng)(cheng)電(dian)路。
汽車芯片很難制造嗎
造(zao)汽車芯片的(de)難度較大(da)。
1、汽車對(dui)芯片和元器件的(de)工(gong)作溫度要(yao)求比(bi)較寬,根(gen)據不(bu)同的(de)安裝位置等(deng)有不(bu)同的(de)需求,但(dan)一般都要(yao)高于民用產品的(de)要(yao)求,比(bi)如發動機艙要(yao)求-40℃-150℃;車身(shen)控制要(yao)求-40℃-125℃。
2、汽車在(zai)行進過(guo)程中會遭遇更多的(de)振(zhen)動(dong)和沖擊(ji),車(che)規級(ji)半(ban)導體必須滿足在(zai)高低溫交變、震動(dong)風(feng)擊(ji)、防水防曬、高速移動(dong)等(deng)各(ge)類變化(hua)中持(chi)續保證穩定(ding)工作(zuo)。另外汽(qi)車(che)對器(qi)件的(de)抗干擾(rao)(rao)性能要求極高,包括抗ESD靜電,EFT群脈沖,RS傳導輻(fu)射、EMC,EMI等(deng)分析,芯片在(zai)這些干擾(rao)(rao)下既不(bu)能不(bu)可(ke)控的(de)影響(xiang)工作(zuo),也不(bu)能干擾(rao)(rao)車(che)內別的(de)設備(控制總線,MCU,傳感器(qi),音響(xiang),等(deng)等(deng))等(deng)。