一、手機芯片幾納米是什么意思

對手機芯片(pian)比較關注(zhu)的經常會(hui)聽到幾(ji)納米(mi)(mi)幾(ji)納米(mi)(mi)的芯片(pian)，這個納米(mi)(mi)是什么意(yi)思(si)呢？

其實，手機芯片幾納米，指的是手機芯片的工(gong)藝制(zhi)程：手(shou)機(ji)芯片是晶體管結構，在晶體管結構中，電流從Source（源極）流入Drain（漏級(ji)），Gate（柵(zha)極）相當于閘門，主要負責控制(zhi)兩端源極和漏級(ji)的通斷。而(er)柵(zha)極的最小寬(kuan)度（柵(zha)長），就是工(gong)藝制(zhi)程。

手(shou)機芯片的工(gong)藝制程(cheng)越(yue)(yue)小，柵極寬度越(yue)(yue)小，意味(wei)著閘門(men)通道越(yue)(yue)小，那么單位面積所容納的晶(jing)體管就會(hui)越(yue)(yue)多，芯片性能也(ye)就越(yue)(yue)強，芯片也(ye)就越(yue)(yue)先進。

二、手機芯片納米越小越好嗎

理論上來說，手機芯片的(de)納(na)米數越小，說明工(gong)藝制程越先進，因為縮(suo)小工(gong)藝制程有以下(xia)三(san)大好處：

1、降低能耗

縮小工(gong)藝制程后，晶(jing)體管(guan)之間的(de)通(tong)道(dao)變窄(zhai)，晶(jing)體管(guan)之間的(de)電(dian)容(rong)(rong)也會變低(di)(di)(di)，從(cong)而(er)(er)提升(sheng)開(kai)關(guan)的(de)頻率。而(er)(er)晶(jing)體管(guan)開(kai)關(guan)消耗的(de)電(dian)量與電(dian)容(rong)(rong)成正比，因此，電(dian)容(rong)(rong)降(jiang)低(di)(di)(di)后，開(kai)關(guan)速度更快、也更省電(dian)。此外，工(gong)藝更精細的(de)芯片，需(xu)要更低(di)(di)(di)的(de)開(kai)關(guan)電(dian)壓(ya)，也能(neng)降(jiang)低(di)(di)(di)部(bu)分(fen)能(neng)耗。

2、節約材料

芯片(pian)向(xiang)著更(geng)小(xiao)的(de)工(gong)藝(yi)尺(chi)寸進(jin)發，會導(dao)致組(zu)件更(geng)小(xiao)，一片(pian)晶(jing)圓切割出來的(de)芯片(pian)就會更(geng)多，進(jin)而(er)節約(yue)材料，達到(dao)降低成本的(de)目的(de)。但是，當芯片(pian)工(gong)藝(yi)達到(dao)一定(ding)程(cheng)度后(hou)(hou)，尤其(qi)是進(jin)入7nm工(gong)藝(yi)后(hou)(hou)，高昂的(de)設備成本、精細化(hua)制造(zao)、無塵化(hua)工(gong)廠等反而(er)吞噬了晶(jing)圓切割出來的(de)更(geng)多晶(jing)片(pian)。

3、滿足輕薄設備的需求

縮小(xiao)工藝尺寸還(huan)有一(yi)個好(hao)處，就是可(ke)以在不(bu)變大(da)芯(xin)片(pian)(pian)的尺寸前提(ti)下，提(ti)高芯(xin)片(pian)(pian)能性(xing)能，以達到提(ti)高手(shou)機、電(dian)腦性(xing)能的目(mu)的。同(tong)時高性(xing)能，小(xiao)尺寸的芯(xin)片(pian)(pian)也有助于制造輕薄(bo)設(she)備，使(shi)設(she)備向輕薄(bo)型、微小(xiao)型進軍。

不(bu)過實際上，并(bing)不(bu)一定手機(ji)芯(xin)(xin)片納米越小越好，因為(wei)手機(ji)芯(xin)(xin)片的性(xing)能(neng)還會(hui)受到其(qi)他因素(su)的影響(xiang)，包括(kuo)核(he)心(xin)數、主頻、CPU架構(gou)等。

三、手機芯片是幾納米工藝

手(shou)機(ji)(ji)芯(xin)片是幾納米工(gong)藝(yi)，主(zhu)要看(kan)手(shou)機(ji)(ji)芯(xin)片的(de)(de)型號(hao)，過(guo)去(qu)一度認(ren)為7nm是芯(xin)片的(de)(de)物理(li)極(ji)(ji)限(xian)，因為當(dang)制程低(di)于7nm時，晶體管非常(chang)集中，而且距離非常(chang)近(jin)，柵極(ji)(ji)的(de)(de)厚度也(ye)接近(jin)極(ji)(ji)限(xian)，因此容(rong)易產生量子隧穿效應，漏電率會大(da)幅增加，不過(guo)隨著技術的(de)(de)進(jin)步，7nm、5nm技術逐漸攻破，7nm和5nm的(de)(de)手(shou)機(ji)(ji)芯(xin)片也(ye)是現在主(zhu)流手(shou)機(ji)(ji)品牌使(shi)用的(de)(de)；隨著技術的(de)(de)進(jin)步，各大(da)廠(chang)商已經(jing)開始進(jin)軍3nm、2nm工(gong)藝(yi)了。