一、手機芯片幾納米是什么意思

對手機芯(xin)片比較關(guan)注的經常會聽到幾(ji)納米幾(ji)納米的芯(xin)片，這個納米是什么意(yi)思呢？

其實，手機芯片幾納米，指的是手機芯片的(de)工(gong)藝(yi)制程(cheng)：手機芯(xin)片是(shi)(shi)晶體(ti)管(guan)結(jie)構，在晶體(ti)管(guan)結(jie)構中，電流(liu)從Source（源極）流(liu)入Drain（漏級），Gate（柵極）相(xiang)當于閘(zha)門，主要(yao)負責控制兩端(duan)源極和(he)漏級的(de)通(tong)斷。而(er)柵極的(de)最小寬度（柵長），就是(shi)(shi)工(gong)藝(yi)制程(cheng)。

手(shou)機(ji)芯片(pian)的工藝制程越(yue)(yue)(yue)小(xiao)，柵極寬度越(yue)(yue)(yue)小(xiao)，意(yi)味(wei)著閘門通道越(yue)(yue)(yue)小(xiao)，那么單位面積所容(rong)納的晶體(ti)管就(jiu)會越(yue)(yue)(yue)多，芯片(pian)性能也(ye)就(jiu)越(yue)(yue)(yue)強(qiang)，芯片(pian)也(ye)就(jiu)越(yue)(yue)(yue)先進。

二、手機芯片納米越小越好嗎

理論上來說，手機(ji)芯片的納(na)米數越(yue)小(xiao)(xiao)，說明(ming)工(gong)藝制程越(yue)先進，因為縮小(xiao)(xiao)工(gong)藝制程有(you)以下三(san)大好處：

1、降低能耗

縮小工藝(yi)制程(cheng)后，晶(jing)體(ti)管(guan)之間的通道變窄(zhai)，晶(jing)體(ti)管(guan)之間的電(dian)(dian)(dian)容也會變低，從而(er)提升開關的頻率。而(er)晶(jing)體(ti)管(guan)開關消耗的電(dian)(dian)(dian)量與電(dian)(dian)(dian)容成(cheng)正比，因此，電(dian)(dian)(dian)容降(jiang)低后，開關速(su)度更快、也更省電(dian)(dian)(dian)。此外，工藝(yi)更精(jing)細的芯(xin)片，需要更低的開關電(dian)(dian)(dian)壓，也能降(jiang)低部分能耗。

2、節約材料

芯(xin)片向著更(geng)小的(de)(de)工(gong)藝尺寸(cun)進(jin)發，會(hui)導致(zhi)組件(jian)更(geng)小，一片晶(jing)圓切(qie)割(ge)出(chu)(chu)來的(de)(de)芯(xin)片就會(hui)更(geng)多(duo)，進(jin)而(er)節(jie)約材料，達到(dao)降低成(cheng)本的(de)(de)目的(de)(de)。但是(shi)，當芯(xin)片工(gong)藝達到(dao)一定程度后，尤其是(shi)進(jin)入7nm工(gong)藝后，高昂的(de)(de)設備成(cheng)本、精(jing)細化(hua)制造、無塵化(hua)工(gong)廠等反而(er)吞噬(shi)了晶(jing)圓切(qie)割(ge)出(chu)(chu)來的(de)(de)更(geng)多(duo)晶(jing)片。

3、滿足輕薄設備的需求

縮小(xiao)工藝尺寸(cun)還有(you)(you)一個好(hao)處，就是可以(yi)在不變大芯(xin)(xin)片的(de)尺寸(cun)前提(ti)下，提(ti)高芯(xin)(xin)片能(neng)性(xing)能(neng)，以(yi)達(da)到提(ti)高手機、電腦性(xing)能(neng)的(de)目的(de)。同時(shi)高性(xing)能(neng)，小(xiao)尺寸(cun)的(de)芯(xin)(xin)片也有(you)(you)助于制造輕(qing)薄設備，使設備向輕(qing)薄型、微小(xiao)型進軍。

不(bu)(bu)過實際上，并不(bu)(bu)一定(ding)手機(ji)芯片納米越小越好，因(yin)為手機(ji)芯片的性能還會(hui)受(shou)到其他因(yin)素的影響，包括核心數、主(zhu)頻(pin)、CPU架構等。

三、手機芯片是幾納米工藝

手(shou)(shou)(shou)機(ji)(ji)芯(xin)片是(shi)(shi)幾納米工(gong)藝(yi)(yi)，主(zhu)要看(kan)手(shou)(shou)(shou)機(ji)(ji)芯(xin)片的型號，過去一度認為(wei)7nm是(shi)(shi)芯(xin)片的物理極限，因(yin)為(wei)當制程低(di)于7nm時，晶體管非常(chang)集中，而且距離非常(chang)近，柵(zha)極的厚度也(ye)接近極限，因(yin)此容易產生量子隧穿效(xiao)應(ying)，漏電率會大(da)幅增加，不過隨著技術的進步(bu)，7nm、5nm技術逐漸攻破，7nm和5nm的手(shou)(shou)(shou)機(ji)(ji)芯(xin)片也(ye)是(shi)(shi)現在主(zhu)流(liu)手(shou)(shou)(shou)機(ji)(ji)品牌(pai)使(shi)用的；隨著技術的進步(bu)，各大(da)廠商已經開(kai)始進軍3nm、2nm工(gong)藝(yi)(yi)了。