一、閃存是什么意思

閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)（Flash Memory）是(shi)(shi)一種長(chang)壽命的(de)(de)非易失性(xing)（在斷電(dian)(dian)情況下仍能(neng)(neng)保(bao)(bao)持(chi)所存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)的(de)(de)數(shu)據(ju)(ju)信息(xi)）的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)器，數(shu)據(ju)(ju)刪除(chu)不(bu)是(shi)(shi)以單個(ge)的(de)(de)字節(jie)為單位，而是(shi)(shi)以固定的(de)(de)區(qu)塊為單位（注意：NOR Flash為字節(jie)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)。），區(qu)塊大(da)小一般為256KB到20MB。閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)是(shi)(shi)電(dian)(dian)子可擦除(chu)只讀存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)器（EEPROM）的(de)(de)變種，閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)與(yu)EEPROM不(bu)同(tong)的(de)(de)是(shi)(shi)，EEPROM能(neng)(neng)在字節(jie)水(shui)平上(shang)進(jin)行(xing)刪除(chu)和重寫而不(bu)是(shi)(shi)整個(ge)芯(xin)片(pian)(pian)擦寫，而閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)的(de)(de)大(da)部分芯(xin)片(pian)(pian)需要塊擦除(chu)。由于其斷電(dian)(dian)時(shi)仍能(neng)(neng)保(bao)(bao)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)數(shu)據(ju)(ju)，閃存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)通常被用來保(bao)(bao)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)設置(zhi)信息(xi)，如在電(dian)(dian)腦(nao)的(de)(de)BIOS（基本程(cheng)序）、PDA（個(ge)人(ren)數(shu)字助理）、數(shu)碼(ma)相機中保(bao)(bao)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)資料等(deng)。

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二、閃存的存儲原理

要講解閃存(cun)的存(cun)儲(chu)原理，還(huan)是要從(cong)EPROM和EEPROM說(shuo)起(qi)。

EPROM是(shi)指其中的(de)(de)內容(rong)可以(yi)通過特殊手段擦(ca)去，然后重(zhong)新寫入(ru)。其基本單元電路(lu)（存儲細(xi)胞），常采用浮(fu)空柵雪崩注入(ru)式MOS電路(lu)，簡(jian)稱為FAMOS。它與MOS電路(lu)相似(si)，是(shi)在N型(xing)基片(pian)上生長出(chu)(chu)兩個高(gao)濃度(du)的(de)(de)P型(xing)區，通過歐(ou)姆(mu)接(jie)觸分別引(yin)出(chu)(chu)源(yuan)極(ji)S和(he)(he)漏極(ji)D。在源(yuan)極(ji)和(he)(he)漏極(ji)之(zhi)間有一個多晶硅(gui)柵極(ji)浮(fu)空在SiO2絕(jue)緣(yuan)層中，與四周無直接(jie)電氣(qi)聯接(jie)。這種電路(lu)以(yi)浮(fu)空柵極(ji)是(shi)否帶(dai)電來表(biao)示存1或者(zhe)0，浮(fu)空柵極(ji)帶(dai)電后（譬(pi)如負電荷），就在其下面(mian)，源(yuan)極(ji)和(he)(he)漏極(ji)之(zhi)間感應出(chu)(chu)正(zheng)的(de)(de)導電溝道(dao)，使(shi)MOS管(guan)(guan)導通，即表(biao)示存入(ru)0。若浮(fu)空柵極(ji)不(bu)帶(dai)電，則不(bu)形成(cheng)導電溝道(dao)，MOS管(guan)(guan)不(bu)導通，即存入(ru)1。

EEPROM基本存儲單元電(dian)路的工(gong)作(zuo)原理如下圖所示(shi)。與EPROM相似(si)，它是在EPROM基本單元電(dian)路的浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)的上面再生成一個浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)，前(qian)者稱為(wei)第(di)(di)一級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)，后(hou)者稱為(wei)第(di)(di)二(er)級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)。可給第(di)(di)二(er)級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)引出(chu)一個電(dian)極(ji)(ji)，使第(di)(di)二(er)級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)接(jie)某(mou)一電(dian)壓(ya)(ya)VG。若VG為(wei)正電(dian)壓(ya)(ya)，第(di)(di)一浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)與漏(lou)極(ji)(ji)之間產生隧道效應，使電(dian)子(zi)注入(ru)第(di)(di)一浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)，即(ji)編(bian)程寫(xie)入(ru)。若使VG為(wei)負電(dian)壓(ya)(ya)，強使第(di)(di)一級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)的電(dian)子(zi)散失，即(ji)擦除(chu)。擦除(chu)后(hou)可重新(xin)寫(xie)入(ru)。

閃(shan)存(cun)的(de)(de)基(ji)本單元電(dian)路，與(yu)EEPROM類似，也是由(you)(you)雙層浮空(kong)(kong)柵(zha)MOS管(guan)組成。但(dan)是第一(yi)層柵(zha)介(jie)質很薄，作為隧道氧化層。寫入(ru)方法(fa)與(yu)EEPROM相(xiang)同(tong)，在(zai)(zai)第二(er)級浮空(kong)(kong)柵(zha)加以正(zheng)電(dian)壓，使電(dian)子(zi)進(jin)入(ru)第一(yi)級浮空(kong)(kong)柵(zha)。讀出方法(fa)與(yu)EPROM相(xiang)同(tong)。擦除方法(fa)是在(zai)(zai)源極(ji)加正(zheng)電(dian)壓利用(yong)第一(yi)級浮空(kong)(kong)柵(zha)與(yu)源極(ji)之間的(de)(de)隧道效應，把注(zhu)入(ru)至浮空(kong)(kong)柵(zha)的(de)(de)負(fu)電(dian)荷吸引(yin)到(dao)源極(ji)。由(you)(you)于利用(yong)源極(ji)加正(zheng)電(dian)壓擦除，因此各單元的(de)(de)源極(ji)聯在(zai)(zai)一(yi)起，這樣，快擦存(cun)儲(chu)器不能按字(zi)節擦除，而是全片或分塊擦除。 到(dao)后(hou)來(lai)，隨著半導(dao)體技(ji)術的(de)(de)改進(jin)，閃(shan)存(cun)也實(shi)現了(le)單晶體管(guan)（1T）的(de)(de)設計(ji)，主(zhu)要(yao)就(jiu)是在(zai)(zai)原(yuan)有的(de)(de)晶體管(guan)上加入(ru)了(le)浮動柵(zha)和選擇柵(zha)，

在(zai)源極和(he)漏(lou)極之間電(dian)流單向傳導(dao)的半導(dao)體上(shang)形成貯存電(dian)子(zi)的浮(fu)動棚。浮(fu)動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上(shang)面(mian)是(shi)(shi)在(zai)源極和(he)漏(lou)極之間控制(zhi)傳導(dao)電(dian)流的選(xuan)擇/控制(zhi)柵。數據是(shi)(shi)0或1取(qu)決于(yu)在(zai)硅底板上(shang)形成的浮(fu)動柵中是(shi)(shi)否有電(dian)子(zi)。有電(dian)子(zi)為0，無電(dian)子(zi)為1。

閃(shan)存就如同(tong)其(qi)名字一樣，寫入(ru)前刪除數據(ju)進(jin)行初(chu)始化(hua)。具體說就是從所(suo)(suo)有(you)(you)浮動柵中導出電子(zi)。即將有(you)(you)所(suo)(suo)數據(ju)歸(gui)“1”。

寫入時(shi)只有數據(ju)為0時(shi)才(cai)進行寫入，數據(ju)為1時(shi)則(ze)什么(me)也不做。寫入0時(shi)，向柵(zha)電極和漏(lou)(lou)極施加高電壓，增加在源極和漏(lou)(lou)極之(zhi)間傳導的電子(zi)能(neng)量(liang)。這(zhe)樣一(yi)來，電子(zi)就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵(zha)。

讀取數據(ju)時，向柵(zha)(zha)(zha)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)施(shi)(shi)加一定的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)大為(wei)(wei)1，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)小則定為(wei)(wei)0。浮動(dong)柵(zha)(zha)(zha)沒有(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)的(de)(de)狀態(tai)(tai)（數據(ju)為(wei)(wei)1）下，在(zai)(zai)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)施(shi)(shi)加電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)的(de)(de)狀態(tai)(tai)時向漏極(ji)施(shi)(shi)加電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)，源極(ji)和漏極(ji)之間由于大量電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)的(de)(de)移動(dong)，就(jiu)(jiu)會產生(sheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。而在(zai)(zai)浮動(dong)柵(zha)(zha)(zha)有(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)的(de)(de)狀態(tai)(tai)（數據(ju)為(wei)(wei)0）下，溝(gou)道(dao)中傳導的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)就(jiu)(jiu)會減少。因為(wei)(wei)施(shi)(shi)加在(zai)(zai)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)被浮動(dong)柵(zha)(zha)(zha)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)吸(xi)收后，很難(nan)對溝(gou)道(dao)產生(sheng)影響。

三、閃存和硬盤的區別

優點

1．閃(shan)存(cun)(cun)的(de)體(ti)積小。并(bing)不(bu)是說閃(shan)存(cun)(cun)的(de)集成(cheng)度就一定會高(gao)。微硬(ying)盤(pan)做(zuo)的(de)這么大一塊主要原因就是微硬(ying)盤(pan)不(bu)能(neng)做(zuo)的(de)小過閃(shan)存(cun)(cun)，并(bing)不(bu)代表微硬(ying)盤(pan)的(de)集成(cheng)度就不(bu)高(gao)。

2．相對于硬盤(pan)來說閃存結構不(bu)怕(pa)震，更抗(kang)摔。硬盤(pan)最怕(pa)的就是強烈震動。雖然我們使用的時候可(ke)以很(hen)小心，但老虎也有(you)打盹(dun)的時候，不(bu)怕(pa)一(yi)萬就怕(pa)萬一(yi)。

3．閃存可(ke)以提供更快的數據讀(du)取速度，硬(ying)盤則受到轉速的限制。

4．閃存存儲數據更加安(an)全，原因包括：

（1）其非機械(xie)結(jie)構，因此移動并不會對它的讀(du)寫產生影響(xiang)；

（2）廣(guang)泛應(ying)用(yong)的機(ji)械型硬盤的使用(yong)壽命(ming)與讀寫次(ci)數和(he)讀寫速度關系非常大，而閃存受影響(xiang)不大；

（3）硬盤(pan)的寫(xie)入(ru)是靠磁性來寫(xie)入(ru)，閃存則(ze)采用(yong)電壓，數據不會因為(wei)時間而消除。

5．質量更輕。

缺點

1、材料(liao)貴(gui)，所以(yi)單(dan)位(wei)容量更貴(gui)。

2、讀(du)寫速度相(xiang)對(dui)較慢(man)。